用于增强型薄膜声学封装件（制造技术

一种用于制造声学滤波器封装件的装置和方法，其中该装置包括基层

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于增强型薄膜声学封装件(TFAP)的耐腐蚀焊盘


[0001]本公开总体上涉及集成电路
(IC)
和微机电系统
(MEMS)
封装件，并且更具体但不排他地涉及在诸如薄膜声学封装件
(TFAP)
等器件封装件中使用的耐腐蚀或耐化学焊盘
。

技术介绍

[0002]随着更小的电子器件和封装几何形状能够为小型电子器件提供更多应用，现代电子器件正变得越来越普遍
。
现代电子器件的基本组成部分中的一个是集成电路
(IC)
封装件
。IC
封装件为
IC
封装件中的电子器件
(
诸如逻辑裸片
、
半导体裸片
、
有源器件和无源器件
)
提供支持
、
保护和路由路径
。
[0003]存在用以减小或小型化传统
IC
封装件的尺寸或占地面积，同时最小化并且有助于防止腐蚀和制造过程中遇到的任何其他有害化学物质或不利氧化的有害影响的持续需求
。
由于不同的机制或工艺步骤，各种组件
(
诸如电焊盘
)
可能会腐蚀或损坏
。
这可能会对其功能
、
性能和未来可靠性产生不利影响
。
[0004]因此，存在能够克服传统方法的缺陷的装置和方法，包括本文中提供的装置和方法的需要
。

技术实现思路

[0005]以下呈现与本文中公开的装置和方法相关的一个或多个方面和
/
或示例的简化
技术实现思路

。
因此，以下
技术实现思路
不应当被视为与所有预期方面和
/
或示例相关的广泛概述，也不应当将以下
技术实现思路
认为确定与所有预期的方面和
/
或示例相关的关键或重要元素
、
或者界定与任何特定方面和
/
或示例相关联的范围
。
因此，以下
技术实现思路
的唯一目的是以简化的形式呈现与一个或多个方面相关的某些概念和
/
或与本文中公开的装置和方法相关的示例，以在下面呈现的详细描述之前呈现
。
[0006]在一个方面，一种装置包括声学滤波器封装件，并且还包括基层；支撑层，被设置在基层上；压电结构，被设置在支撑层上；其中压电结构还包括：压电层；顶部电极，在压电层的顶部表面上；底部电极，在压电层的底部表面上；接触焊盘，耦合到底部电极，该接触焊盘延伸穿过压电层中的开口并且被耦合到底部电极或顶部电极；以及耐腐蚀焊盘，被设置在接触焊盘上；以及封盖结构，被设置在压电结构上
。
[0007]在另一方面，一种用于形成包括声学滤波器封装件的装置的方法还包括：形成基层；形成支撑层，该支撑层被设置在基层上；形成压电结构，该压电结构被设置在支撑层上；其中压电结构还包括：形成压电层；在压电层的顶部表面上形成顶部电极；在压电层的底部表面上形成底部电极；形成接触焊盘，该接触焊盘被耦合到底部电极，接触焊盘延伸穿过压电层中的开口并且被耦合到底部电极或顶部电极；以及形成耐腐蚀焊盘，该耐腐蚀焊盘被设置在接触焊盘上；以及形成封盖结构，该封盖结构被设置在压电结构上
。
[0008]基于附图和详细描述，与本文中公开的装置和方法相关的其他特征和技术优势对本领域技术人员来说将是清楚的
。
附图说明
[0009]当结合附图考虑时，通过参考以下详细描述，将容易获取对本公开的各方面及其很多附带优点的更完整的理解，这些附图仅用于说明而非限制本公开，在附图中：
[0010]图
1A
‑
图
1C
图示了根据本公开的一些示例的一些示例性封装件配置
。
[0011]图
1D
图示了
TFAP
配置中的
BAW
滤波器的示例性封装件配置
。
[0012]图
1E
图示了示例性体声波
(BAW)
滤波器
。
[0013]图2图示了根据本公开的一些示例的记录工艺
(POR)
与所公开的钝化工艺之间的示例性分辨率比较
。
[0014]图3图示了根据本公开的一些示例的示例性氟硅烷钝化工艺
。
[0015]图
4A
‑
图
4B
图示了根据本公开的一个示例而堆叠的示例性耐腐蚀层
。
[0016]图
5A
‑
图
5D
图示了各种封装件层与凸块区域之间的示例性比较
。
[0017]图
6A
‑
图
6H
图示了根据本公开的一些示例的各种示例性配置和相关处理步骤
。
[0018]图7图示了根据本公开的一些示例的示例性制造方法
。
[0019]图8图示了可以与根据本公开的一些示例的方法
、
器件
、
半导体器件
、
集成电路
、
裸片
、
中介层
、
封装件
、
或层叠封装件
(PoP)
中的任何一者集成的各种电子设备
。
[0020]图9图示了根据本公开的一些示例的示例性移动设备
。
[0021]根据一般惯例，附图所示的特征可能不会按比例绘制
。
因此，为了清楚起见，所描绘的特征的尺寸可以任意地扩大或减小
。
根据一般惯例，为了清楚起见，对一些附图进行了简化
。
因此，附图可能没有描绘特定装置或方法的所有组件
。
此外，在整个说明书和附图中，相同的附图标记表示相同的特征
。
具体实施方式
[0022]本文中公开的示例性方法
、
装置和系统减轻了传统方法
、
装置
、
系统的缺点
、
以及其他先前未确定的需求
。
本领域技术人员将理解，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，本公开适用于表面声波
(SAW)
滤波器和体声波
(BAW)
滤波器以及其他相关技术
。
[0023]例如，本文中的示例包括用耐腐蚀层覆盖电接触件
(
例如，
EPAD)
，而不需要附加工艺或制造步骤来实现这种覆盖
。
传统的方法使用通过耐腐蚀层进行的探测，利用不同的修整方法，并且应用替代化学方法
。
[0024]一种示例性用途是屏蔽，有助于在制造过程中在任何电接触件接触腐蚀性物质或恶劣化学环境时保护电接触件
。
在一个方面，
EPAD本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种包括声学滤波器封装件的装置，包括：基层；支撑层，被设置在所述基层上；压电结构，被设置在所述支撑层上，其中所述压电结构包括：压电层；顶部电极，在所述压电层的顶部表面上；底部电极，在所述压电层的底部表面上；接触焊盘，耦合到所述底部电极，所述接触焊盘延伸穿过所述压电层中的开口并且被耦合到所述底部电极或所述顶部电极；耐腐蚀焊盘，被设置在所述接触焊盘上；以及封盖结构，被设置在所述压电结构上
。2.
根据权利要求1所述的装置，其中所述基层还包括：衬底；以及钝化层，被设置在所述衬底上
。3.
根据权利要求2所述的装置，其中所述衬底是硅
(Si)
，并且所述钝化层是二氧化硅
(SiO2)。4.
根据权利要求1所述的装置，其中所述支撑层包括一个或多个介电层
。5.
根据权利要求4所述的装置，其中所述支撑层包括一个或多个金属层，每个金属层由所述一个或多个介电层中的至少一个介电层分开
。6.
根据权利要求5所述的装置，其中所述一个或多个金属层包括：被设置在所述基层上的
、
形成第一多个镜的第一金属层；以及形成第二多个镜的第二金属层，其中所述第二金属层与所述压电结构相邻并且在所述第一金属层上方
。7.
根据权利要求6所述的装置，其中所述一个或多个金属层各自包括被沉积在钛
(Ti)
上的钨
(W)。8.
根据权利要求1所述的装置，还包括：接触件，通过所述耐腐蚀焊盘中的开口耦合到所述接触焊盘
。9.
根据权利要求8所述的装置，其中所述接触件包括导电柱和焊帽
。10.
根据权利要求9所述的装置，其中所述导电柱是铜，并且所述焊帽是锡银
(SnAg)
焊帽
。11.
根据权利要求1所述的装置，其中所述封盖结构包括：封盖层，被沉积在所述压电结构之上，其中所述封盖层在所述顶部电极之上形成气隙
。12.
根据权利要求
11
所述的装置，其中所述封盖结构还包括：密封层，被沉积在所述封盖层之上，其中所述封盖层在所述顶部电极之上形成气隙
。13.
根据权利要求
12
所述的装置，其中所述封盖结构还包括：增强层，被沉积在密封层之上
。14.
根据权利要求
13
所述的装置，其中所述封盖层是
SiO2或氮化硅
(SiN)
，所述密封层是苯并环丁烯
(BCB)、
环氧树脂或聚酰亚胺，并且所述增强层是氮化硅
(SiN)。
15.
根据权利要求1所述的装置，其中所述压电结构还包括：第一介电层，被沉积在所述压电结构
、
所述顶部电极之上，并且至少部分地在所述接触焊盘之上；以及第二介电层，被沉积在所述第一介电层之上，并且至少部分地在所述耐腐蚀焊盘之上
。16.
根据权利要求
15
所述的装置，其中所述第一介电层和所述第二介电层都是氮化硅
(SiN)。17.
根据权利要求1所述的装置，其中所述压电层是氮化铝钪
(AlScN)。18.
根据权利要求
17
所述的装置，其中所述耐腐蚀焊盘具有延伸部分
。19.
根据权利要求1所述的装置，其中所述声学滤波器封装件还包括多个电容器
。20.
根据权利要求1所述的装置，其中所述耐腐蚀焊盘由多个层形成
。21.
根据权利要求
20
所述的装置，其中所述耐腐蚀焊盘由被沉积在晶种层上的耐腐蚀层形成
。22.
根据权利要求
21
所述的装置，其中所述耐腐蚀层是钼
(Mo)、
钨
(W)、
铬
(Cr)
和钌
(Ru)
中的至少一种，并且所述晶种层是
Ti、TiN
或
Cr。23.
根据权利要求
21
所述的装置，其中所述耐腐蚀层由多个层形成
。24.
根据权利要求
23
所述的装置，其中所述多个层包括在被沉积在钼
(Mo)
上的金
(Au)
上所沉积的钼
(Mo)。25.
根据权利要求
23
所述的装置，其中所述多个层包括被沉积在钨
(W)
上的钼
(Mo)。26.
根据权利要求1所述的装置，其中所述接触焊盘由多个层形成
。27.
根据权利要求
26
所述的装置，其中所述接触焊盘由被沉积在晶种层上的铝铜
(AlCu)
形成
。28.
根据权利要求
26
所述的装置，其中所述接触焊盘是铝
(Al)、
铜
(Cu)、Al(Si、Pd、Sc)
或其合金中的至少一种
。29.
根据权利要求1所述的装置，其中所述装置选自由以下组成的组：音乐播放器
、
视频播放器
、
娱乐单元
、
导航设备
、
通信设备
、
移动设备
、
移动电话
、
智能电话
、
个人数字助理
、
固定位置终端
、
平板电脑
、
计算机
、
可穿戴设备
、
膝上型计算机
、
服务器
、
基站和机动交通工具中的设备
。30.
一种用于制造包括声学滤波器封装件的装置的方法，包括：形成基层；形成支撑层，所述支撑层被设置在所述基层上；形成压电结构，所述压电结构被设置在所述支撑层上，其中所述压电结构包括：形成压电层；在所述压电层的顶部表面上形成顶部...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：RF三六零，
类型：发明
国别省市：