【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的量测方法、半导体结构及量测设备
[0001]本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的量测方法
、
半导体结构及量测设备
。
技术介绍
[0002]随着尺寸的微缩及集成度的提高，半导体结构在制备过程中常出现尺寸波动的情况，尺寸的波动极易对最终形成的半导体结构的性能产生不利的影响
。
特别是在一些对结构的轮廓外形要求比较严格的半导体结构中，尺寸波动会带来明显的电性能差异，使得半导体结构无法满足正常使用需求
。
[0003]因此，亟待开发一种结构，以使工作人员可通过该结构获得半导体结构在制备过程中尺寸变化的情况
。
技术实现思路
[0004]本公开实施例提供了一种半导体结构的量测方法，包括：
[0005]提供半导体结构，所述半导体结构包括第一区域和第二区域；所述第一区域的两侧分别设置有第一测试结构和第二测试结构，所述第二区域的两侧分别设置有第二测试结构和第三测试结构；所述第一区域具有第一设计宽度
W1，所述第二区域具有第二设计宽度
W2；其中，所述第一设计宽度
W1与所述第二设计宽度
W2不同；
[0006]测算所述第一区域的第一电学参数
R1及所述第二区域的第二电学参数
R2；
[0007]基于所述
R1、
所述
R2、
所述
W1和所述
W2确定所述第二区域的实际宽度与所述第二设计宽度
W...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
及所述第二蚀刻偏移率
t2的差值
△
t
是否符合工艺要求
。6.
根据权利要求4所述的量测方法，其特征在于，基于所述
R1、
所述
R3、
所述
W1和所述
W3确定所述第三区域的实际宽度与所述第三设计宽度
W3之间的第二偏差
△
x'
，包括：将所述
R1、
所述
R3、
所述
W1和所述
W3的值代入以下关系式
(2)
，计算得出所述第二偏差
△
x'
：
7.
根据权利要求6所述的量测方法，其特征在于，测算所述第三区域的第三电学参数
R3，包括：测量所述第三区域位于所述第二测试结构与所述第四测试结构之间的部分的电阻
r3；根据公式计算得到第三电学参数
R3；其中，所述
L3为第二测试结构与所述第四测试结构之间的距离
。8.
根据权利要求4所述的量测方法，其特征在于，所述半导体结构还包括第五测试结构和第六测试结构，所述第五测试结构位于所述第一区域远离所述第二区域的一侧，所述第六测试结构位于所述第二区域远离所述第一区域的一侧
。9.
根据权利要求3所述的量测方法，其特征在于，测量所述第一区域位于所述第一测试结构与所述第二测试结构之间的部分的电阻
r1，以及所述第二区域位于所述第二测试结构与所述第三测试结构之间的部分的电阻
r2，包括：向所述第一区域和所述第二区域中通入电流
I
；测量所述第一测试结构与所述第二测试结构之间第一电压
U1以及所述第二测试结构与所述第三测试结构之间的第二电压
U2根据公式和公式分别计算得到电阻
r1和电阻
r2。10.
一种半导体结构，其特征在于，包括：第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴双双，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。