一种发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及发光二极管制造技术领域，特别涉及一种发光二极管

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管、发光模块及发光装置


[0001]本专利技术涉及发光二极管制造
，特别涉及一种发光二极管
、
发光模块及发光装置
。

技术介绍

[0002]LED
灯丝灯就是用
LED
制作的白炽灯
。
以往
LED
光源要达到一定的光照度和光照面积，需加装透镜之类的光学器件，一方面影响光照效果，另一方面会降低
LED
应有的节能功效，而
LED
灯丝可以实现
360
°
全角度发光，大角度发光且不需加透镜，就可实现立体光源，带来前所未有的照明体验
。
[0003]LED
灯丝是将蓝光
LED
灯珠固晶在蓝宝石
、
透明陶瓷
、
荧光晶体
、
玻璃
、
金属等做成的基条上，再通过金线串联基条，以及涂覆荧光粉而制成
。
目前灯丝灯的基板主要分为两大类，硬性基板和柔性基板
。
[0004]其中柔性灯丝通常采用倒装芯片，部分硬性基板也有采用倒装芯片，倒装芯片也就是无引线覆晶封装，无引线覆晶封装是通过共晶
/
回流焊接技术将电极接触面镀层上的锡或金锡合金的电极芯片直接焊接到基板上，这样既可以固定芯片，又可电器连接和热传导
。
[0005]目前，部分倒装
LED
包括衬底和外延结构，而外延结构包括依次层叠的第一半导体层
、
发光层和第二半导体层；第一电极，位于第一半导体层之上，电连接至第一半导体层，至少包括第一焊盘电极和第一接触电极，第一接触电极与第一半导体层形成欧姆接触；第二电极，位于第二半导体层之上，电连接至第二半导体层，至少包括第二焊盘电极；绝缘层，位于第二半导体层之上，并覆盖第一接触电极，第一焊盘电极和第二焊盘电极形成在绝缘层上，第一焊盘电极和第二焊盘电极上均分别设置有贯穿绝缘层的两个通孔，焊盘电极通过通孔与第一
/
第二接触电极和第一
/
第二半导体层电连接
。
[0006]发光二极管的倒装结构，即把正装芯片倒置，使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出，基于这种倒装结构设计的发光二极管称为倒装型发光二极管
。
本领域技术人员为了一些目的，会调整发光二极管的结构，如图1所示，目前倒装芯片的接触电极的延伸部凸起区域落在顶针的作业区域，则在封装固晶时，顶针会直接顶在芯片正面，若顶针顶在指状电极凸起区域时，则容易顶破导致芯片异常
(
如图2所示
)。
申请人在申请号为
2021100962764
的专利中提出了，为了避免封装固晶时，顶针容易顶破接触电极凸起区域而容易顶破导致芯片异常的问题，改变接触电极延伸部的位置，以绕开顶针作业区域
。
又或是，出于其余目的，做出对接触电极延伸部结构或者位置的其它设计
。
[0007]然而，在接触电极的结构形状或者位置发生一定改变的时候，发光二极管的内部电流将会发生异常，进而引起发光二极管发光不均匀的问题
。
[0008]另外，在灯丝灯内部，与
LED
芯片串联的元件还有
RC、IC
驱动元件
(
限流保护元件
)
，需要考虑在一定电流驱动下，
LED
芯片的电压不能过高，以维持
IC
驱动元件在正常电压下运行
。

技术实现思路

[0009]为了解决上述
技术介绍
中提到的接触电极结构形状或者位置发生变化后，发光二极管的内部电流将会发生异常，从而导致的电流变化引起发光二极管发光相对不均匀的问题，以及电压较高的问题
。
[0010]本专利技术的一种发光二极管，其包括：衬底，外延结构，位于衬底上，由下至上包括依次层叠的第一半导体层
、
发光层和第二半导体层；第一电极和第二电极，位于外延结构上，所述第一电极至少包括第一焊盘电极，所述第二电极至少包括第二焊盘电极和第二接触电极，所述第二接触电极具条状延伸部并且位于第二半导体层上；绝缘层，覆盖外延结构和所述第二接触电极，所述绝缘层在所述的第二接触电极上具有贯穿的通孔；第一焊盘电极和第二焊盘电极在所述绝缘层上，所述的第一焊盘通过所述通孔与所述的第一半导体层电连接，所述第二焊盘电极通过所述通孔与所述第二接触电极电连接；从第一焊盘电极和第二焊盘电极的一侧俯视所述发光二极管：所述发光二极管具有四个边，四个边在一个环绕方向上依次定义为第一短边
、
第一长边
、
第二短边和第二长边，所述的第一短边相对于第一长边和第二长边更短；第一焊盘电极相对于第二焊盘电极更靠近第一短边；所述的第二接触电极的延伸部包括条状的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分不在同一直线上且相互平行
。
[0011]优选的，所述的第二接触电极的延伸部从第二焊盘下方朝向第一焊盘延伸，所述第一部分比第二部分更靠近第二短边，并且所述第二接触电极的第一部分比所述的第二部分更靠近第一长边
。
[0012]优选的，从第一焊盘电极和第二焊盘电极的一侧俯视所述发光二极管，所述的第二接触电极的延伸部与发光二极管的中心位置距离至少为
25
微米
。
[0013]优选的，所述第二接触电极包括与延伸部连接的第一接触部分，所述第二接触电极的接触部分上方有绝缘层的所述贯穿的通孔，所述的第二接触电极的接触部分通过绝缘层的所述的贯穿的通孔与第二焊盘电极接触
。
[0014]优选的，所述的第一部分平行于第一长边
。
[0015]优选的，定义一条中心线平行于第一长边和第二长边，且位于第一长边和第二长边之间的中间位置；所述第二接触电极还包括一个第二接触部分，从外延结构的一侧俯视所述发光二极管：所述第二接触电极的第二接触部分相较于第一接触部分更靠近中心线
。
[0016]优选的，定义一条中心线平行于第一长边和第二长边，且位于第一长边和第二长边之间的中间位置；所述第二接触电极还包括一个第二接触部分，从外延结构的一侧俯视所述发光二极管：所述的第二接触电极的第二接触部分位于中心线上
。
[0017]优选的，所述的第二接触电极无延伸部
。
[0018]优选的，所述的第二接触部分比第一接触部分更靠近所述第二短边
。
[0019]优选的，所述的第二接触电极的第二部分的一端为第二接触电极延伸部的末端
。
[0020]优选的，所述第一电极包括第一接触电极位于第一半导体层上，所述的第一焊盘电极通过绝缘层的贯穿的通孔与第一接触电极连接，所述的第一接触电极具有延伸部平行于第一部分和第二部分
。
[0021]优选的，所述的第二接触电极的第三本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种发光二极管，其包括：衬底，外延结构，位于衬底上，由下至上包括依次层叠的第一半导体层
、
发光层和第二半导体层；第一电极和第二电极，位于外延结构上，所述第一电极至少包括第一焊盘电极，所述第二电极至少包括第二焊盘电极和第二接触电极，所述第二接触电极具有条状延伸部并且位于第二半导体层上；绝缘层，覆盖外延结构和所述第二接触电极，所述绝缘层在所述的第二接触电极上具有贯穿的通孔；第一焊盘电极和第二焊盘电极在所述绝缘层上，所述的第一焊盘通过所述通孔与所述的第一半导体层电连接，所述第二焊盘电极通过所述通孔与所述第二接触电极电连接；从第一焊盘电极和第二焊盘电极的一侧俯视所述发光二极管：所述的第二接触电极的延伸部包括条状的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分不在同一直线上且相互平行
。2.
根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管具有四个边，四个边在一个环绕方向上依次定义为第一短边
、
第一长边
、
第二短边和第二长边，所述的第一短边相对于第一长边和第二长边更短，定义一条中心线平行于第一长边和第二长边，且位于第一长边和第二长边之间的中间位置，所述的第二部分相较于所述第一部分更靠近中心线
。3.
根据权利要求2所述的一种发光二极管，其特征在于：第一焊盘电极相对于第二焊盘电极更靠近第一短边；所述的第二接触电极的延伸部从第二焊盘下方朝向第一焊盘延伸，所述第一部分比第二部分更靠近第二短边，并且所述第二接触电极的第一部分比所述的第二部分更靠近第一长边，所述的第二接触电极的第二部分的一端为第二接触电极延伸部的末端
。4.
根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从第一焊盘电极和第二焊盘电极的一侧俯视所述发光二极管，所述的第二接触电极的延伸部与发光二极管的中心位置距离至少为
25
微米
。5.
根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极包括与延伸部连接的第一接触部分，所述第二接触电极的接触部分上方有绝缘层的所述贯穿的通孔，所述的第二接触电极的接触部分通过绝缘层的所述的贯穿的通孔与第二焊盘电极接触
。6.
根据权利要求2所述的发光二级管，其特征在于：所述的第一部分平行于第一长边
。7.
根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：定义一条中心线平行于第一长边和第二长边，且位于第一长边和第二长边之间的中间位置；所述第二接触电极还包括一个第二接触部分，从外延结构的一侧俯视所述发光二极管：所述第二接触电极的第二接触部分相较于第一接触部分更靠近中心线
。8.
根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：定义一条中心线平行于第一长边和第二长边，且位于第一长边和第二长边之间的中间位置；所述第二接触电极还包括一个第二接触部分，从外延结构的一侧俯视所述发光二极管：所述的第二接触电极的第二接触部分位于中心线上
。
9.
根据权利要求7或者8所述的发光二极管，其特征在于：所述的第二接触电极无延伸部
。10.
根据权利要求7或者8所述的发光二极管，其特征在于：所述的第二接触部分比第一接触部分更靠近所述第二短边
。11.
根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述的第二接触电极的第二部分的一端为第二接触电极延伸部的末端
。12.
根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极包括第一接触电极位于第一半导体层上，所述的第一接触电极具有接触部和延伸部，所述第一接触电极的延伸部平行于第一部分和第二部分，所述的第一焊盘电极通过绝缘层的贯穿的通孔与第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢超，刘鹏，曾江斌，洪灵愿，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：