发光芯片及其制备方法技术

本申请提供一种发光芯片及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
发光芯片及其制备方法、显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种发光芯片及其制备方法
、
显示面板
。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED
芯片利用微米尺寸
(
一般小于
50um)
无机
LED
器件作为发光像素，来实现主动发光矩阵式显示，作为一种新兴技术，其具有响应快
、
主动照明
、
高对比度
、
长寿命等特点
。Micro
‑
LED
阵列结构分为有源矩阵和无源矩阵
。
与有源矩阵
Micro
‑
LED
阵列相比，无源矩阵
Micro
‑
LED
阵列具有制备工艺简单
、
成本低廉和技术成熟度高等优势，在一些特定的场合仍然具有一定的应用
。
[0003]对于现有的无源矩阵的发光芯片来说，发光芯片中存在的断线的问题，导致了发光芯片无法正常工作，从而使得可靠性降低，极大的影响了产品的良品率
。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种发光芯片及其制备方法
、
显示面板，主要解决发光芯片中存在的断线的问题，导致了发光芯片无法正常工作且可靠性降低，极大的影响了产品的良品率的技术问题
。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是提供一种发光芯片的制备方法，包括：
[0006]在衬底上依次外延生长缓冲层
、
第一半导体层
、
发光层以及第二半导体层；其中，所述第一半导体层
、
所述发光层以及所述第二半导体层定义为外延层；
[0007]在所述第二半导体层远离所述衬底的表面沉积透明导电层；
[0008]从所述透明导电层一侧蚀刻形成凹槽结构，所述凹槽结构将所述外延层分割为多个间隔设置的发光单元；所述凹槽结构包括第一凹槽，所述第一凹槽使得所述第一半导体层暴露；
[0009]在所述第一凹槽的底部设置第一电极；所述第一电极与所述第一半导体层接触；
[0010]在所述衬底的一侧设置绝缘层，所述绝缘层覆盖所述缓冲层
、
所述外延层
、
所述第一电极以及所述透明导电层；
[0011]在所述绝缘层对应所述透明导电层的位置上开口，暴露所述透明导电层远离所述衬底的部分表面；
[0012]在所述绝缘层远离所述衬底的一侧设置第二电极；所述第二电极与所述透明导电层暴露的部分表面接触；所述第二电极从一个所述发光单元的顶面延伸至相邻的所述发光单元的顶面
。
[0013]其中，所述从所述透明导电层一侧蚀刻形成凹槽结构的步骤包括：
[0014]从所述透明导电层开始蚀刻直至露出所述第一半导体层，形成所述第一凹槽；
[0015]从所述第一半导体层一侧开始蚀刻直至露出所述缓冲层，形成第二凹槽；
[0016]从所述缓冲层开始蚀刻直至露出所述衬底，形成第三凹槽；
[0017]所述在所述衬底的一侧设置绝缘层的步骤中，所述绝缘层覆盖所述第一凹槽
、
所述第二凹槽和所述第三凹槽
。
[0018]其中，所述在所述衬底的一侧设置绝缘层的步骤包括：
[0019]在对应所述第一凹槽
、
所述第二凹槽以及所述第三凹槽的位置进行多次沉积，使得对应所述第一凹槽
、
所述第二凹槽以及所述第三凹槽的位置的所述绝缘层的厚度大于其他位置的所述绝缘层的厚度
。
[0020]其中，所述在所述衬底的一侧设置绝缘层的步骤包括：通过多次溅射沉积形成所述绝缘层，且在相邻两次溅射沉积的步骤之间转动所述衬底
。
[0021]其中，多次溅射沉积的沉积时间逐渐减少，且每次溅射沉积的过程中的其他参数均保持不变；或
[0022]多次溅射沉积的沉积功率逐渐减少，且每次溅射沉积的过程中的其他参数均保持不变
。
[0023]其中，所述在所述衬底的一侧设置绝缘层的步骤包括：
[0024]通过多次溅射沉积形成所述绝缘层，且在相邻两次溅射沉积的步骤之间倾斜所述衬底，以改变沉积方向；
[0025]其中，每次溅射沉积过程中的其他参数均保持不变
。
[0026]其中，所述在相邻两次溅射沉积的步骤之间倾斜所述衬底的步骤包括：
[0027]使所述绝缘层的原料的沉积方向朝向所述第一电极与所述发光层之间的间隙，且所述沉积方向与所述衬底的夹角为
30
‑
60
度
。
[0028]为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是提供一种发光芯片，通过上述涉及的任意一项所述制备方法制备，包括：
[0029]衬底；
[0030]缓冲层，设置于所述衬底的一侧；
[0031]外延层，设置于所述缓冲层远离所述衬底的一侧；其中，所述外延层包括第一半导体层
、
发光层以及第二半导体层；
[0032]透明导电层，设置于所述外延层远离所述衬底的一侧；其中，所述发光芯片具有从所述透明导电层一侧开设的凹槽结构，所述凹槽结构将所述外延层分割为多个间隔设置的发光单元；所述凹槽结构包括透明导电层一侧开设的第一凹槽，使得所述第一半导体层暴露；所述凹槽结构还包括从所述第一半导体层一侧开设的第二凹槽，使得所述缓冲层暴露；所述凹槽结构还包括从所述缓冲层一侧开设的第三凹槽，使得所述衬底暴露；
[0033]第一电极，设置于所述第一凹槽的底部，且与所述第一半导体层接触电连接；
[0034]绝缘层，设置于所述衬底的一侧，覆盖所述缓冲层
、
所述外延层
、
所述第一电极及所述透明导电层；所述绝缘层对应所述透明导电层的位置具有开口，暴露所述透明导电层远离所述衬底的一侧的部分表面；
[0035]第二电极，设置于所述绝缘层远离所述衬底的一侧，且与所述透明导电层暴露的部分表面接触；所述第二电极从一个所述发光单元的顶面延伸至相邻的所述发光单元的顶面
。
[0036]其中，对应所述第一凹槽
、
所述第二凹槽以及所述第三凹槽的位置的所述绝缘层的厚度大于其他位置的所述绝缘层的厚度
。
[0037]为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是提供一种发光芯片的制备方法，包括上述涉及的任意一项所述制备方法制备的发光芯片或显示面板包括上述涉及的任意一项所述的发光芯片
。
[0038]本申请提供一种发光芯片及其制备方法
、
显示面板，发光芯片的制备方法包括在衬底上依次外延生长缓冲层
、
第一半导体层
、
发光层以及第二半导体层；其中，第一半导体层
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种发光芯片的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上依次外延生长缓冲层
、
第一半导体层
、
发光层以及第二半导体层；其中，所述第一半导体层
、
所述发光层以及所述第二半导体层定义为外延层；在所述第二半导体层远离所述衬底的表面沉积透明导电层；从所述透明导电层一侧蚀刻形成凹槽结构，所述凹槽结构将所述外延层分割为多个间隔设置的发光单元；所述凹槽结构包括第一凹槽，所述第一凹槽使得所述第一半导体层暴露；在所述第一凹槽的底部设置第一电极；所述第一电极与所述第一半导体层接触；在所述衬底的一侧设置绝缘层，所述绝缘层覆盖所述缓冲层
、
所述外延层
、
所述第一电极以及所述透明导电层；在所述绝缘层对应所述透明导电层的位置上开口，暴露所述透明导电层远离所述衬底的部分表面；在所述绝缘层远离所述衬底的一侧设置第二电极；所述第二电极与所述透明导电层暴露的部分表面接触；所述第二电极从一个所述发光单元的顶面延伸至相邻的所述发光单元的顶面
。2.
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述从所述透明导电层一侧蚀刻形成凹槽结构的步骤包括：从所述透明导电层开始蚀刻直至露出所述第一半导体层，形成所述第一凹槽；从所述第一半导体层一侧开始蚀刻直至露出所述缓冲层，形成第二凹槽；从所述缓冲层开始蚀刻直至露出所述衬底，形成第三凹槽；所述在所述衬底的一侧设置绝缘层的步骤中，所述绝缘层覆盖所述第一凹槽
、
所述第二凹槽和所述第三凹槽
。3.
根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的一侧设置绝缘层的步骤包括：在对应所述第一凹槽
、
所述第二凹槽以及所述第三凹槽的位置进行多次沉积，使得对应所述第一凹槽
、
所述第二凹槽以及所述第三凹槽的位置的所述绝缘层的厚度大于其他位置的所述绝缘层的厚度
。4.
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的一侧设置绝缘层的步骤包括：通过多次溅射沉积形成所述绝缘层，且在相邻两次溅射沉积的步骤之间转动所述衬底
。5.
根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，多次溅射沉积的沉积时间逐渐减少，且每次溅射沉积的过程中的其他参数均保持不变；或多次溅射沉积的沉积功率逐渐减少，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷俊，瞿万里，唐洋，向华，朱先飞，蓝天，袁海江，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：