发光二极管及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光二极管及发光装置。发光二极管至少可包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一半导体层远离发光层一侧的表面上至少依序设有第一电连接层、第一绝缘层、第一金属反射层、阻挡层；第一电极，部分设置于第一电连接层上，与第一半导体层电性连接。在第一电极的区域处，在外延结构的发光区的边缘线的外侧，第一电极的边缘线与阻挡层的边缘线之间的间距小于第一电极的边缘线与外延结构的发光区的边缘线之间的间距，以减少第一电极与外延结构邻近的拐角区域的电流集中，提升芯片产品良率和整体性能。良率和整体性能。良率和整体性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光二极管及发光装置


[0001]本专利技术涉及半导体发光器件
，特别涉及一种发光二极管及其发光装置。

技术介绍

[0002]现有的LED(发光二极管)芯片按照封装结构的不同可划分为正装结构、倒装结构和垂直结构。在正装结构和倒装在结构中，LED芯片中P、N电极为位于同一侧的横向设置，电流在横向扩展时易产生电流拥挤现象而使LED芯片局部热量过高，阻碍了电流的流动，不易快速散热。与正装结构和倒装结构相比，垂直结构LED芯片中电流扩展的路程较短、散热性好，适用于承载大电流，LED芯片的发光性能更佳，常被用于不同照明场景的发光器件中。
[0003]垂直结构LED芯片的外延结构中P电极侧欧姆接触部分常设置有Ag反射层，以增加欧姆接触区域的光发射效率，提升LED芯片整体的发光强度。为了防止Ag的过度扩散，Ag反射层上设有阻挡层以控制Ag在特定的区域范围内进行扩散，然而，阻挡层的遮挡会减少垂直结构LED芯片中N电极侧的反射出光量，影响垂直结构LED芯片的发光强度。
[0004]CN113345993A公开了一种发光二级管，参见附图图4，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光二极管，其特征在于：至少包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，自所述第一表面至所述第二表面包含依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电连接层，设置于所述第一半导体层远离所述发光层一侧的表面上；第一绝缘层，设置于所述第一半导体层远离所述发光层一侧的表面上，至少覆盖所述第一电连接层的部分表面；第一金属反射层，设置于所述第一绝缘层上，至少覆盖所述第一电连接层的部分表面；阻挡层，设置于所述第一绝缘层上，并覆盖所述第一金属反射层的表面及侧壁区域；第一电极，部分设置于所述第一电连接层上，与所述第一半导体层电性连接；其中，在所述第一电极区域，在所述第一电极朝向所述外延结构的发光区边缘线的区域，所述第一电极的边缘线与所述阻挡层的边缘线之间的间距小于所述第一电极的边缘线与所述外延结构的发光区的边缘线之间的间距。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：在所述第一电极区域，在所述外延结构的发光区的边缘线的外侧，所述阻挡层的边缘线与所述外延结构的发光区的边缘线之间的间距为大于等于15μm。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：在所述第一电极区域，所述外延结构的发光区的边缘线与所述第一电极的边缘线之间的间距为大于等于20μm。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电连接层的厚度为10埃至1500埃，所述第一电连接层为氧化物材料。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一金属反射层的厚度为200埃至2000埃。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述阻挡层的厚度为500埃至10000埃，所述阻挡层至少为Au、Cr、Ti、Pt中的一种或者是这些元素的组合之一。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述阻挡层包括连续的第一部分和第二部分，所述第一部分的边缘线至少部分位于所述外延结构的发光区的边缘线的内侧，所述第二部分的边...

【专利技术属性】
技术研发人员：林凡威，张博扬，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：