本发明专利技术提供一种高压紫外发光二极管，其包括衬底和多个发光结构，多个发光结构设置在衬底上且相互之间电性连接，各发光结构包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一接触电极和第二接触电极，第一半导体层位于衬底与发光层之间，发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一接触电极位于第一半导体层之上，第二接触电极位于第二半导体层之上，其中，俯视来看，各发光结构的第二接触电极具有四个边，四个边在一个环绕方向上依次定义为第一边、第二边、第三边和第四边，第一接触电极至少围住四个边中的三个边。借此设置，可以改善高压紫外发光二极管的光衰特性和电光转换效率，提升紫外发光二极管的可靠性，加强杀菌消毒能力。力。力。
【技术实现步骤摘要】
高压紫外发光二极管及发光装置
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种高压紫外发光二极管及发光装置。
技术介绍
[0002]紫外发光二极管(Ultraviolet Light Emitting Diode，UV
‑
LED)是一种能够直接将电能转化为紫外光线的固态半导体器件。目前的紫外LED产品通常是设计成单一芯粒，依现行业界的使用需求，尺寸主要有40
×
40mil,30
×
30mil,20
×
20mil,10
×
20mil等。紫外发光二极管的光功率与驱动电流通常呈线性关系，也就是说随着驱动电流愈大，紫外发光二极管输出光的光功率便愈大。但伴随而来的是光衰现象变严重，光衰现象会造成光功率输出减弱，降低了杀菌效果。并且，传统的紫外发光二极管的表面空洞率高，封装之后得到的封装结构可靠性低，封装结构的性能无法得到保障。因此，如何提升紫外发光二极管的发光特性、延缓光衰特性以及降低表面空洞率已然成为本领域亟待解决的技术难题之一。
技术实现思路
[0003]本专利技术提供一种高压紫外发光二极管，其包括衬底以及多个发光结构。
[0004]多个发光结构设置在衬底上，且多个发光结构相互之间电性连接。各发光结构包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一接触电极和第二接触电极。发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一接触电极位于第一半导体层之上，第二接触电极位于第二半导体层之上。
[0005]优选地，从高压紫外发光二极管的上方朝向衬底俯视来看，各发光结构的第二接触电极具有四个边，四个边在一个环绕方向上依次定义为第一边、第二边、第三边和第四边，第一接触电极至少围住四个边中的三个边。
[0006]本专利技术还提供一种发光装置，其采用上述任一实施例所述的高压紫外发光二极管。
[0007]本专利技术的一个优势在于提供一种高压紫外发光二极管及发光装置，使用小电流驱动多颗小芯粒(多个发光结构)取代单颗大芯粒所采用的大电流驱动，改善传统紫外发光二极管大电流驱动带来的光衰特性，并提升高压紫外发光二极管的电光转换效率，增强高压紫外发光二极管的发光特性，加强杀菌消毒能力；进一步地，通过第一接触电极至少围住第二接触电极的四个边中的三个边的设置，可以有效降低焊盘表面空洞率，保证封装高压紫外发光二极管形成的封装结构具有高可靠性，保障了封装结构的使用性能。
[0008]本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书等内容中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0009]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。
[0010]图1是本专利技术一实施例提供的高压紫外发光二极管的俯视结构示意图；
[0011]图2是图1的尺寸示意图；
[0012]图3是沿图1的截取线A
‑
A截取的纵向剖面示意图；
[0013]图4A是传统的紫外发光二极管的俯视形貌示意图；
[0014]图4B是图4A的紫外发光二极管的表面空洞示意图；
[0015]图5A是本专利技术一实施例提供的高压紫外发光二极管的俯视形貌示意图；
[0016]图5B是图5A的高压紫外发光二极管的表面空洞示意图；
[0017]图6是本专利技术的高压紫外发光二极管与传统的紫外发光二极管的外量子效率对比示意图；
[0018]图7至图13是本专利技术图1所示的高压紫外发光二极管在制造过程中各阶段的俯视结构示意图；
[0019]图14是本专利技术另一实施例提供的高压紫外发光二极管的俯视结构示意图；
[0020]图15是本专利技术另一实施例提供的高压紫外发光二极管的俯视结构示意图；
[0021]图16是本专利技术另一实施例提供的高压紫外发光二极管的俯视结构示意图；
[0022]图17是本专利技术另一实施例提供的高压紫外发光二极管的俯视结构示意图；
[0023]图18是本专利技术另一实施例提供的高压紫外发光二极管的俯视结构示意图；
[0024]图19是本专利技术另一实施例提供的高压紫外发光二极管的俯视结构示意图；
[0025]图20是本专利技术另一实施例提供的高压紫外发光二极管的俯视结构示意图；
[0026]图21是本专利技术另一实施例提供的高压紫外发光二极管的俯视结构示意图；
[0027]图22是本专利技术另一实施例提供的高压紫外发光二极管的结构示意图。
[0028]附图标记：
[0029]1、2、3、4、5、6、7、8、9、60
‑
高压紫外发光二极管；10
‑
衬底；12
‑
发光结构；121
‑
台面；14
‑
第一半导体层；16
‑
发光层；18
‑
第二半导体层；21
‑
第一接触电极；22
‑
第二接触电极；221
‑
第一边；222
‑
第二边；223
‑
第三边；224
‑
第四边；31
‑
第一保护电极；32
‑
第二保护电极；41
‑
第一绝缘结构；411
‑
第一开口；412
‑
第二开口；42
‑
第二绝缘结构；423
‑
第三开口；424
‑
第四开口；50
‑
桥接电极；51
‑
第一焊盘；52
‑
第二焊盘；62
‑
高反射层；81
‑
N电极；82
‑
P电极；83
‑
N焊盘；84
‑
P焊盘；L1
‑
第一水平间距；L2
‑
第二水平间距。
具体实施方式
[0030]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例；下面所描述的本专利技术不同实施方式中所设计的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合；基于本专利技术中的实施例，本领域普
通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高压紫外发光二极管，其特征在于：所述高压紫外发光二极管包括：衬底；多个发光结构，设置在所述衬底上，所述多个发光结构相互之间电性连接，各所述发光结构包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一接触电极和第二接触电极，所述发光层位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述第一接触电极位于所述第一半导体层之上，所述第二接触电极位于所述第二半导体层之上；其中，从所述高压紫外发光二极管的上方朝向所述衬底俯视来看，各所述发光结构的所述第二接触电极具有四个边，所述四个边在一个环绕方向上依次定义为第一边、第二边、第三边和第四边，所述第一接触电极至少围住所述四个边中的三个边。2.根据权利要求1所述的高压紫外发光二极管，其特征在于：各所述发光结构具有台面，所述台面是指所述第一半导体层未被所述发光层遮挡的上表面，各所述发光结构的所述台面的水平投影面积占各所述发光结构的水平投影面积的30％～70％。3.根据权利要求1所述的高压紫外发光二极管，其特征在于：各所述发光结构还包括第一保护电极和第二保护电极，所述第一保护电极覆盖所述第一接触电极，所述第二保护电极覆盖所述第二接触电极。4.根据权利要求1所述的高压紫外发光二极管，其特征在于：所述高压紫外发光二极管还包括第一绝缘结构，所述第一绝缘结构覆盖所述多个发光结构，并具有第一开口和第二开口。5.根据权利要求4所述的高压紫外发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘结构包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述发光结构与所述第二绝缘层之间，所述第一绝缘层为SiO2膜层，所述第二绝缘层为DBR反射层。6.根据权利要求4所述的高压紫外发光二极管，其特征在于：所述高压紫外发光二极管还包括桥接电极，所述桥接电...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾明俊，彭康伟，林素慧，江宾，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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