一种小塔基硅片的制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种小塔基硅片的制备工艺，关于硅片技术领域，包括前清洗

【技术实现步骤摘要】
一种小塔基硅片的制备工艺


[0001]本专利技术是关于硅片
，特别是关于一种小塔基硅片的制备工艺
。

技术介绍

[0002]伴随化石能源的日趋消耗殆尽，以及由于社会的快速发展，工业上过多的消耗能源也出现了一些不可避免的环境问题，对于能源的需求以及工业的快速发展，必然存在不可避免的破坏生态环境的问题，进而对经济的可持续发展和人类环境健康造成严重的影响
。
同时生态环境遭到破坏和传统能源面临枯竭，致使人们迫切需要一种清洁的
、
无污染的
、
可持续开发的一种绿色能源，太阳能作为最具潜力的开持续开发的清洁能源就格外重要
。
因而，近年来，业内对于太阳能电池进行了广泛和持续的研究
。
而这其中，
PERC
电池则更是获得了更多的关注
。
[0003]PERC
电池
(Passivated Emitterand Rear Cell)
由于转化效率较高，得到了业界的广泛关注
。
该技术的核心是在硅片的背面用氧化铝或者氧化硅薄膜覆盖，以起到钝化背表面
、
提高长波响应的作用，从而提升电池的转换效率
。
但是，在
PERC
电池的塔基在制备的过程中，碱抛工序时间长，且现有的塔基反射率高，光损失较大
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种小塔基硅片的制备工艺，其能够减少添加剂的使用成本，同时减少碱抛工序所需要的时间，从而增加小塔基硅片的生产效率
。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了一种小塔基硅片的制备工艺，包括以下步骤：
[0006]S1、
前清洗：
[0007]使用清洗液对基体硅片进行清洗，所述清洗液清洗集体硅片的时间为
70
～
90s
，所述清洗液的温度为
20
～
40℃
，清洗后得到第一基体硅片；
[0008]其中，所述清洗液的组分包括
DI、NaOH
和
H2O2；
[0009]S2、
前水洗：
[0010]使用水对所述第一基体硅片进行水洗，所述第一基体硅片水洗的时间为
70
～
90s
，水洗后得到第二基体硅片；
[0011]S3、
碱抛：
[0012]使用碱抛液对所述第二基体硅片进行碱抛处理，碱抛处理的时间为
180
～
200s
，碱抛液的温度为
68
～
64℃
，碱抛后的到第三基体硅片；
[0013]其中，所述碱抛液的组成
DI、NaOH
和
ADD
；
[0014]S4、
二次水洗：
[0015]使用水对所述第三基体硅片进行水洗，所述第三基体硅片水洗的时间为
80
～
100s
，水洗后得到第四基体硅片；
[0016]S5、
碱洗：
[0017]使用碱洗液对所述第四基体硅片进行碱洗，碱洗的时间为
90
～
110s
，碱洗液的温
度为
40
～
60℃
，碱洗后得到第四基体硅片；
[0018]其中，所述碱洗液的组成包括
DI、NaOH、H2O2；
[0019]S6、
三次水洗：
[0020]使用水洗液对所述第四基体硅片进行水洗，所述第四基体硅片水洗的时间为
90
～
110s
，水的温度为
40℃
～
60℃
，水洗后得到第五基体硅片；
[0021]其中，水洗液的组成包括
DI、HCL
；
[0022]S7、
酸洗：
[0023]使用酸洗液对所述第五基体硅片进行酸洗操作，通过酸洗将所述第五基体硅片扩散形成的
N
型边缘及背表面腐蚀去除，保留制绒面
P
‑
N
结，所述第五基体硅片酸洗的时间为
80s
～
100s
；
[0024]其中，酸洗液的组成包括
DI
和
HF
；
[0025]S8、
后水洗：
[0026]使用水对所述第五基体硅片进行水洗，所述第五基体硅片水洗时间为
80
～
100s
，水洗后得到第六基体硅片；
[0027]S9、
去水：
[0028]将所述第六基体硅片放置到慢提槽中，所述慢提槽上设置有机械手臂，所述机械手臂和慢提槽配合清理第六基体硅片表面的水渍，所述慢提槽与机械手臂清理第六基体硅片的时间为
0s
～
20s
，经去水后得到第七基体硅片；
[0029]S10、
烘干：
[0030]将所述第七基体硅片放置到烘干槽中进行烘干，所述烘干槽用于烘干第七基体硅片表面的水渍，烘干所述第七制绒基体的温度为
87
～
107℃、
时间为
530
～
550s。
[0031]在一个或多个实施方式中，所述酸洗液中
DI
的占比为：
85
～
95
％
、HF
的占比为5～
15
％
。
[0032]在一个或多个实施方式中，所述清洗液中
DI
占比为
95
～
98
％
、NaOH
占比为：
0.1
～
0.3
％
、H2O2
占比为1～2％
。
[0033]在一个或多个实施方式中，所述碱抛液中
DI
的占比为
93
～
97
％
、NaOH
的占比为3～5％
、ADD
的占比为
0.2
～1％
。
[0034]在一个或多个实施方式中，所述水洗液中
DI
的占比为：
99
～
99.8
％
、HCL
的占比为
0.2
～1％
。
[0035]在一个或多个实施方式中，在所述
S1
步骤中，还包括清洗液自补，用于补充清洗液的浓度
。
[0036]在一个或多个实施方式中，在所述
S3
步骤中，还包括碱抛液自补，用于补充碱抛液的浓度
。
[0037]在一个或多个实施方式中，自补所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种小塔基硅片的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、
前清洗：使用清洗液对基体硅片进行清洗，所述清洗液清洗集体硅片的时间为
70
～
90s
，所述清洗液的温度为
20
～
40℃
，清洗后得到第一基体硅片；其中，所述清洗液的组分包括
DI、NaOH
和
H2O2；
S2、
前水洗：使用水对所述第一基体硅片进行水洗，所述第一基体硅片水洗的时间为
70
～
90s
，水洗后得到第二基体硅片；
S3、
碱抛：使用碱抛液对所述第二基体硅片进行碱抛处理，碱抛处理的时间为
180
～
200s
，碱抛液的温度为
68
～
64℃
，碱抛后的到第三基体硅片；其中，所述碱抛液的组成
DI、NaOH
和
ADD
；
S4、
二次水洗：使用水对所述第三基体硅片进行水洗，所述第三基体硅片水洗的时间为
80
～
100s
，水洗后得到第四基体硅片；
S5、
碱洗：使用碱洗液对所述第四基体硅片进行碱洗，碱洗的时间为
90
～
110s
，碱洗液的温度为
40
～
60℃
，碱洗后得到第四基体硅片；其中，所述碱洗液的组成包括
DI、NaOH、H2O2；
S6、
三次水洗：使用水洗液对所述第四基体硅片进行水洗，所述第四基体硅片水洗的时间为
90
～
110s
，水的温度为
40℃
～
60℃
，水洗后得到第五基体硅片；其中，水洗液的组成包括
DI、HCL
；
S7、
酸洗：使用酸洗液对所述第五基体硅片进行酸洗操作，通过酸洗将所述第五基体硅片扩散形成的
N
型边缘及背表面腐蚀去除，保留制绒面
P
‑
N
结，所述第五基体硅片酸洗的时间为
80s
～
100s
；其中，酸洗液的组成包括
DI
和
HF
；
S8、
后水洗：使用水对所述第五基体硅片进行水洗，所述第五基体硅片水洗时间为
80
～
100s
，水洗后得到第六基体硅片；
S9、
去水：将所述第六基体硅片放置到慢提槽中，所述慢提槽上设置有机械手臂，所述机械手臂和慢提槽配合清理第六基体硅片表面的水渍，所述慢提槽与机械手臂清理第六基体硅片的时间为
0s
～
20s
，经去水后得到第七基体硅片；
S10、

【专利技术属性】
技术研发人员：郝山凤，刘飞，何琴，赵杰，丰平，陈实，
申请(专利权)人：江苏龙恒新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：