一种BC电池制备方法及BC电池技术

本申请公开了一种BC电池制备方法及BC电池，属于太阳能电池领域，该方法包括：在硅衬底的背面形成P区和N区；在所述硅衬底的正面沿厚度方向分层沉积第一钝化层和第二钝化层；所述第一钝化层用于在所述硅衬底的正面形成氢钝化；所述第二钝化层用于在所述硅衬底的正面形成场钝化；在所述P区和所述N区印刷栅线并进行烧结，以制成所述BC电池。本申请通过在硅衬底前表面分层沉积用于形成氢钝化的第一钝化层和用于形成场钝化的第二钝化层，使硅衬底前表面的钝化层能同时实现氢钝化的场钝化的效果，从而提升电池前表面的钝化水平，进而提升电池的效率。的效率。的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种BC电池制备方法及BC电池


[0001]本申请涉及太阳能电池领域，特别涉及一种BC电池制备方法及BC电池。

技术介绍

[0002]背接触（Back Contact，BC）电池是指电池的发射区电极和基区电极均位于电池背面的一种太阳电池。现有的PERC（Passivated Emitterand Rear Cell，发射极和背面钝化电池）和TOPCon（Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触）电池表面膜层结构不完全适用于BC电池，因为BC电池前表面无发射极也无需进行正面金属化，因此取消了金属化对膜层结构的限制要求，但BC电池对前表面钝化水平要求较高，因为需要保证载流子有较高的寿命。然而，传统的沉积单层钝化层的工艺很难实现高水平的钝化效果。因此，如何提升电池前表面的钝化水平，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]本申请的目的是提供一种BC电池制备方法及BC电池，从而提升电池前表面的钝化水平。
[0004]为实现上述目的，本申请提供了一种BC电池制备方法，包括：在硅衬底的背面形成P区和N区；在所述硅衬底的正面沿厚度方向分层沉积第一钝化层和第二钝化层；所述第一钝化层用于在所述硅衬底的正面形成氢钝化；所述第二钝化层用于在所述硅衬底的正面形成场钝化；在所述P区和所述N区印刷栅线并进行烧结，以制成所述BC电池。
[0005]可选的，在所述硅衬底的正面沿厚度方向分层沉积第一钝化层和第二钝化层，包括：在所述硅衬底的正面沉积所述第一钝化层；在所述第一钝化层背离所述硅衬底的表面沉积所述第二钝化层；或者，在所述硅衬底的正面沉积所述第二钝化层；在所述第二钝化层背离所述硅衬底的表面沉积所述第一钝化层。
[0006]可选的，在所述硅衬底的正面沿厚度方向分层沉积第一钝化层和第二钝化层，包括：在所述硅衬底的正面沿厚度方向交替分层沉积多个所述第一钝化层和多个所述第二钝化层；所述第一钝化层和所述第二钝化层沿厚度方向交替分层排布。
[0007]可选的，在所述硅衬底的正面沿厚度方向分层沉积第一钝化层和第二钝化层，包括：使用三甲基铝和含氢的氧化剂在所述硅衬底的正面沉积所述第一钝化层；所述第一钝化层是含氢的三氧化二铝钝化层；使用三甲基铝和不含氢的氧化剂在所述硅衬底的正面沉积所述第二钝化层；所述
第二钝化层是不含氢的三氧化二铝钝化层。
[0008]可选的，在所述硅衬底的正面沿厚度方向分层沉积第一钝化层和第二钝化层后，还包括：在所述硅衬底的正面沉积减反膜。
[0009]可选的，在所述硅衬底的正面沉积减反膜，包括：在所述硅衬底的正面依次沉积三层富氮氮化硅膜、两层氮氧化硅膜和氧化硅膜；所述三层富氮氮化硅膜、所述两层氮氧化硅膜和所述氧化硅膜构成所述减反膜。
[0010]可选的，所述三层富氮氮化硅膜包括第一富氮氮化硅膜、第二富氮氮化硅膜和第三富氮氮化硅膜；所述两层氮氧化硅膜包括第一氮氧化硅膜和第二氮氧化硅膜和；所述第一富氮氮化硅膜的折射率为2.15
‑
2.3，且不包含两端的值；所述第二富氮氮化硅膜的折射率为2
‑
2.15，且不包含两端的值；所述第三富氮氮化硅膜的折射率为1.9
‑
2，且不包含两端的值；所述第一氮氧化硅膜的折射率为1.8
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1.9，且不包含两端的值；所述第二氮氧化硅膜的折射率为1.7
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1.8，且不包含两端的值；所述氧化硅膜的折射率为1.5
‑
1.7，且不包含两端的值。
[0011]可选的，在所述硅衬底的正面沿厚度方向分层沉积第一钝化层和第二钝化层前，还包括：在所述硅衬底的正面进行制绒。
[0012]可选的，在所述硅衬底的正面进行制绒，包括：采用酸溶液对所述硅衬底的正面进行刻蚀，在所述硅衬底的正面形成多个凹坑；采用碱溶液对所述硅衬底的正面进行制绒，在所述凹坑内形成绒面。
[0013]为实现上述目的，本申请还提供了一种BC电池，包括：硅衬底；所述硅衬底的正面设置有沿厚度方向分层排布的第一钝化层和第二钝化层；所述第一钝化层用于在所述硅衬底的正面形成氢钝化；所述第二钝化层用于在所述硅衬底的正面形成场钝化；所述硅衬底的背面设置有P区和N区；所述P区和所述N区上设置有栅线。
[0014]可选的，所述硅衬底的正面设置有第一钝化层；所述第一钝化层背离所述硅衬底的表面设置有所述第二钝化层；或者，所述硅衬底的正面设置有第二钝化层；所述第二钝化层背离所述硅衬底的表面设置有所述第一钝化层。
[0015]可选的，所述硅衬底的正面设置有沿厚度方向交替分层排布的所述第一钝化层和所述第二钝化层。
[0016]可选的，所述第一钝化层是含氢的三氧化二铝钝化层；所述第二钝化层是不含氢的三氧化二铝钝化层。
[0017]本申请提供的一种BC电池制备方法，包括：在硅衬底的背面形成P区和N区；在所述硅衬底的正面沿厚度方向分层沉积第一钝化层和第二钝化层；所述第一钝化层用于在所述硅衬底的正面形成氢钝化；所述第二钝化层用于在所述硅衬底的正面形成场钝化；在所述P区和所述N区印刷栅线并进行烧结，以制成所述BC电池。
[0018]显然，本申请通过在硅衬底前表面分层沉积用于形成氢钝化的第一钝化层和用于形成场钝化的第二钝化层，使硅衬底前表面的钝化层能同时实现氢钝化的场钝化的效果，从而提升电池前表面的钝化水平，进而提升电池的效率。本申请还提供一种BC电池，具有上
述有益效果。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0020]图1为本申请实施例提供的一种BC电池制备方法的流程图；图2为本申请实施例提供的另一种BC电池制备方法的流程图；图3为本申请实施例提供的一种BC电池的结构示意图；图4为本申请实施例提供的另一种BC电池的结构示意图；图5为本申请实施例在硅衬底正面形成的绒面的结构示意图。
具体实施方式
[0021]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0022]背接触电池是指电池的发射区电极和基区电极均位于电池背面的一种太阳电池。常用的BC电池有IBC（Interdigitated Back Contac，叉指式背接触）电池和TBC电池。IBC电池是在1975年由Schwartz和Lammert首次提出，IBC电池是在电池背面制备呈叉指状间隔排列的P区和N区，以及在其上面分别本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种BC电池制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底的背面形成P区和N区；在所述硅衬底的正面沿厚度方向分层沉积第一钝化层和第二钝化层；所述第一钝化层用于在所述硅衬底的正面形成氢钝化；所述第二钝化层用于在所述硅衬底的正面形成场钝化；在所述P区和所述N区印刷栅线并进行烧结，以制成所述BC电池。2.根据权利要求1所述的BC电池制备方法，其特征在于，在所述硅衬底的正面沿厚度方向分层沉积第一钝化层和第二钝化层，包括：在所述硅衬底的正面沉积所述第一钝化层；在所述第一钝化层背离所述硅衬底的表面沉积所述第二钝化层；或者，在所述硅衬底的正面沉积所述第二钝化层；在所述第二钝化层背离所述硅衬底的表面沉积所述第一钝化层。3.根据权利要求1所述的BC电池制备方法，其特征在于，在所述硅衬底的正面沿厚度方向分层沉积第一钝化层和第二钝化层，包括：在所述硅衬底的正面沿厚度方向交替分层沉积多个所述第一钝化层和多个所述第二钝化层；所述第一钝化层和所述第二钝化层沿厚度方向交替分层排布。4.根据权利要求1所述的BC电池制备方法，其特征在于，在所述硅衬底的正面沿厚度方向分层沉积第一钝化层和第二钝化层，包括：使用三甲基铝和含氢的氧化剂在所述硅衬底的正面沉积所述第一钝化层；所述第一钝化层是含氢的三氧化二铝钝化层；使用三甲基铝和不含氢的氧化剂在所述硅衬底的正面沉积所述第二钝化层；所述第二钝化层是不含氢的三氧化二铝钝化层。5.根据权利要求1所述的BC电池制备方法，其特征在于，在所述硅衬底的正面沿厚度方向分层沉积第一钝化层和第二钝化层后，还包括：在所述硅衬底的正面沉积减反膜。6.根据权利要求5所述的BC电池制备方法，其特征在于，在所述硅衬底的正面沉积减反膜，包括：在所述硅衬底的正面依次沉积三层富氮氮化硅膜、两层氮氧化硅膜和氧化硅膜；所述三层富氮氮化硅膜、所述两层氮氧化硅膜和所述氧化硅膜构成所述减反膜。7.根据权利要求6所述的BC电池制备方法，其特征在于，所述三层富氮氮化硅膜包括第一富氮氮化硅膜、第二富氮氮化硅膜和第三富氮氮化硅膜；所述两层氮氧化硅膜包括第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄海燕，李红博，关文静，何胜，徐伟智，李小龙，
申请(专利权)人：正泰新能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：