太阳能电池的制作方法及太阳能电池技术

本公开实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池的制作方法及太阳能电池，其中，太阳能电池的制作方法包括：提供衬底；形成隧穿层；形成半导体层；进行掺杂处理，将半导体层转换为掺杂导电层，其中，掺杂处理包括：依次进行的沉积步骤、升温步骤、推进步骤、至少一次补扩步骤及降温步骤；沉积步骤用于形成掺杂源层；升温步骤用于升温；推进步骤，用于使掺杂离子向半导体层内扩散；补扩步骤，用于使对掺杂离子向半导体层内扩散，补扩步骤中包括：降温阶段及扩散阶段，降温阶段用于将掺杂处理的工艺温度降低预设温度，扩散阶段用于使掺杂离子向半导体层内扩散；降温步骤用于将掺杂处理的工艺温度降低至目标温度。可以提高形成的太阳能电池的性能。的性能。的性能。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制作方法及太阳能电池


[0001]本公开实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池的制作方法及太阳能电池。

技术介绍

[0002]化石能源存在大气污染并且储量有限，而太阳能具有清洁、无污染和资源丰富等优点，因此，太阳能正在逐步成为替代化石能源的核心清洁能源，由于太阳能电池具有良好的光电转化效率，太阳能电池成为了清洁能源利用的发展重心。
[0003]太阳能电池用于将太阳能转化为电能，因此太阳能电池得到广泛应用。太阳能电池可以分为晶硅电池及薄膜电池，其中晶硅电池中，隧穿氧化层钝化接触结构电池因其更高的理论效率广受青睐，因此有必要研究性能更好的隧穿氧化层钝化接触结构电池。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种太阳能电池的制作方法及太阳能电池，至少可以提高形成的太阳能电池的性能。
[0005]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种太阳能电池的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面；形成隧穿层，所述隧穿层覆盖所述衬底的所述第二面；形成半导体层，所述半导体层覆盖所述隧穿层远离所述第二面的表面；进行掺杂处理，以使掺杂离子扩散至所述半导体层内，将所述半导体层转换为掺杂导电层，其中，所述掺杂处理包括：依次进行的沉积步骤、升温步骤、推进步骤、至少一次补扩步骤及降温步骤；所述沉积步骤用于在所述半导体层上形成掺杂源层，所述掺杂源层内掺杂有所述掺杂离子；所述升温步骤用于使所述掺杂处理的工艺温度升至掺杂温度；所述推进步骤，用于使所述掺杂处理的工艺温度在预设时长内保持为所述掺杂温度，以使所述掺杂离子向所述半导体层内扩散；所述至少一次补扩步骤，用于使对所述掺杂离子向所述半导体层内扩散，所述补扩步骤中包括：降温阶段及扩散阶段，所述降温阶段用于将所述掺杂处理的工艺温度降低预设温度，所述扩散阶段用于在所述降温阶段降温后的工艺温度下，使所述掺杂离子向所述半导体层内扩散；所述降温步骤用于将所述掺杂处理的工艺温度降低至目标温度。
[0006]在一些实施例中，所述扩散阶段的工艺参数包括：工艺温度为800～850℃，工艺时长为100s
‑
140s，通入氮气的气体流量为800
‑
1200sccm，通入的氧气的气体流量为400
‑
800sccm。
[0007]在一些实施例中，所述补扩步骤的次数大于1，且后一次所述扩散阶段的工艺时长大于前一次所述扩散阶段的工艺时长。
[0008]在一些实施例中，每次扩散阶段的工艺时长小于等于180s。
[0009]在一些实施例中，所述补扩步骤还包括通源阶段，所述通源阶段在所述降温阶段之后及所述扩散阶段之前，所述通源阶段用于在所述掺杂源层上形成掺杂子层，所述掺杂
子层内掺杂有所述掺杂离子。
[0010]在一些实施例中，所述补扩步骤的次数大于1，在垂直于所述第一面的方向上，后一次所述通源阶段形成所述掺杂子层的厚度小于前一次所述通源阶段形成的所述掺杂子层的厚度。
[0011]在一些实施例中，所述补扩步骤的次数大于1，后一次所述通源阶段形成的所述掺杂子层内所述掺杂离子的掺杂浓度小于前一次所述通源阶段形成的所述掺杂子层内所述掺杂离子的掺杂浓度。
[0012]在一些实施例中，所述补扩步骤还包括抽压阶段，所述抽压阶段在所述降温阶段之后及所述扩散阶段之前，所述抽压阶段用于将所述掺杂处理的工艺气压降至预设气压。
[0013]在一些实施例中，所述预设气压为150
‑
250pa。
[0014]在一些实施例中，所述掺杂导电层内所述掺杂离子的掺杂浓度为1e20～1e21atoms/cm3。
[0015]在一些实施例中，所述补扩步骤的次数大于1，每次所述降温阶段降低的温度相同。
[0016]根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种太阳能电池，可以如上述太阳能电池的制作方法形成。
[0017]本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：通过提供衬底，形成隧穿层，形成半导体层及进行掺杂处理以形成太阳能电池，其中，掺杂处理包括：依次进行的沉积步骤、升温步骤、推进步骤、至少一次补扩步骤及降温步骤，沉积步骤用于形成掺杂源层，升温步骤用于提供推进步骤工艺温度，推进步骤用于将掺杂源层中的掺杂离子扩散至半导体层中，至少一次补扩步骤用于对向半导体层内进行二次扩散，从而可以对掺杂导电层进行补充扩散，优化太阳能电池的场钝化效应，且可以改善因高温推进造成的掺杂导电层表面掺杂浓度下降的问题，有利于提高形成的太阳能电池的性能。
附图说明
[0018]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本公开实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1至图5为本公开一实施例提供的一种太阳能电池的制作方法的各步骤对应的结构示意图；
[0020]图6至图8为本公开一实施例提供的第二种太阳能电池的制作方法的各步骤对应的结构示意图；
[0021]图9为本公开一实施例提供的第一种太阳能电池的制作方法的温度变化图；
[0022]图10为本公开一实施例提供的第二种太阳能电池的制作方法的温度变化图。
具体实施方式
[0023]由
技术介绍
可知，目前在高温推进的过程中，掺杂导电层表面的掺杂离子会朝向
靠近衬底的方向扩散，会导致掺杂导电层表面的掺杂浓度降低，影响太阳能电池的性能。
[0024]本公开实施例提供一种太阳能电池的制作方法，通过提供衬底，形成隧穿层，形成半导体层及进行掺杂处理以形成太阳能电池，其中，掺杂处理包括：依次进行的沉积步骤、升温步骤、推进步骤、至少一次补扩步骤及降温步骤，沉积步骤用于形成掺杂源层，升温步骤用于提供推进步骤工艺温度，推进步骤用于将掺杂源层中的掺杂离子扩散至半导体层中，至少一次补扩步骤用于对向半导体层内进行二次扩散，从而可以对掺杂导电层进行补充扩散，优化太阳能电池的场钝化效应，且可以改善因高温推进造成的掺杂导电层表面掺杂浓度下降的问题，有利于提高形成的太阳能电池的性能。
[0025]下面将结合附图对本公开的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本公开各实施例中，为了使读者更好地理解本公开而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本公开所要求保护的技术方案。
[0026]参考图1至图5及图9，图1至图5为本公开一实施例提供的一种太阳能电池的制作方法各步骤对应的结构示意图，图9为本公开一实施例提供的第一种太阳能电池的制作方法的温度变化图。
[0027]在一些实施例中，太阳能电池的制作方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面；形成隧穿层，所述隧穿层覆盖所述衬底的所述第二面；形成半导体层，所述半导体层覆盖所述隧穿层远离所述第二面的表面；进行掺杂处理，以使掺杂离子扩散至所述半导体层内，将所述半导体层转换为掺杂导电层，其中，所述掺杂处理包括：依次进行的沉积步骤、升温步骤、推进步骤、至少一次补扩步骤及降温步骤；所述沉积步骤用于在所述半导体层上形成掺杂源层，所述掺杂源层内掺杂有所述掺杂离子；所述升温步骤用于使所述掺杂处理的工艺温度升至掺杂温度；所述推进步骤，用于使所述掺杂处理的工艺温度在预设时长内保持为所述掺杂温度，以使所述掺杂离子向所述半导体层内扩散；所述至少一次补扩步骤，用于使对所述掺杂离子向所述半导体层内扩散，所述补扩步骤中包括：降温阶段及扩散阶段，所述降温阶段用于将所述掺杂处理的工艺温度降低预设温度，所述扩散阶段用于在所述降温阶段降温后的工艺温度下，使所述掺杂离子向所述半导体层内扩散；所述降温步骤用于将所述掺杂处理的工艺温度降低至目标温度。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述扩散阶段的工艺参数包括：工艺温度为800～850℃，工艺时长为100s
‑
140s，通入氮气的气体流量为800
‑
1200sccm，通入的氧气的气体流量为400
‑
800sccm。3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述补扩步骤的次数大于1，且后一次所述扩散阶段的工艺时长大于前一次所述扩散阶段的工艺时长。4.根据权利要求1或3所述的太...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐家萌，
申请(专利权)人：安徽晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：