封装结构及其制备方法技术

本申请涉及一种封装结构及其制备方法，包括：第一芯片结构，第一芯片结构包括第一布线结构层以及第一芯片，第一布线结构层包括第一介质层以及位于第一介质层内的第一布线层，第一芯片位于第一布线层上；第二布线结构层，位于第一芯片结构一侧，第二布线结构层包括第二介质层以及位于第二介质层内的第二布线层，第二布线结构层与第一布线结构层组成布线结构层；第二芯片结构，位于第二布线结构层远离第一布线结构层的一侧，第二芯片结构包括第二芯片。第一芯片同第二芯片进行连接，完成了不同平面间芯片的互连。同时，本申请的封装结构有效提升不同平面间芯片进行连接的效率，降低整个封装结构的成本。个封装结构的成本。个封装结构的成本。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体封装
，特别是涉及一种封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路功能、集成度、性能的不断提高，封装技术在集成电路中起到更为重要的作用。具体地，集成电路特征尺寸达到纳米级，封装技术向高密度方向发展。
[0003]传统的封装技术中，不同平面芯片间的互连通常采用硅通孔工艺或者高铜柱工艺，然而，上述两种工艺均存在工艺难度大、工艺成本高的问题。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对传统封装技术中的工艺难度大，工艺成本高的问题提供一种封装结构及其制备方法。
[0005]为了实现上述目的，一方面，本申请提供了一种封装结构，包括：
[0006]第一芯片结构，所述第一芯片结构包括第一布线结构层以及第一芯片，所述第一布线结构层包括第一介质层以及位于所述第一介质层内的第一布线层，所述第一芯片位于所述第一布线层上；
[0007]第二布线结构层，位于所述第一芯片结构一侧，所述第二布线结构层包括第二介质层以及位于所述第二介质层内的第二布线层，所述第二布线结构层与所述第一布线结构层组成布线结构层；
[0008]第二芯片结构，位于所述第二布线结构层远离所述第一布线结构层的一侧，所述第二芯片结构包括第二芯片。
[0009]上述封装结构中，第一芯片结构的第一芯片与第一布线结构层内的第一布线层进行连接。第二布线结构层与第一布线结构层组成布线结构层，第一布线层与第二布线层组成布线层，第一芯片与布线层进行连接。第二芯片结构位于第二布线结构层远离第一布线结构层的一侧，第二芯片同布线结构层内的布线层进行连接，此时，第一芯片同第二芯片进行连接，完成了不同平面间芯片的互连。
[0010]同时，本实施例中的封装结构有效提升不同平面间芯片进行连接的效率，降低整个封装结构的成本。
[0011]在其中一个实施例中，所述第二布线结构层内具有凹槽，所述凹槽容纳所述第一芯片，且所述凹槽内的剩余空间形成空腔。
[0012]在其中一个实施例中，所述第二芯片结构还包括：
[0013]层间介质层，位于所述布线结构层上；
[0014]重布线层，位于所述层间介质层上，所述第二芯片位于所述重布线层上；
[0015]塑封层，位于所述重布线层上且覆盖所述第二芯片。
[0016]在其中一个实施例中，所述封装结构还包括：
[0017]焊球，位于所述第一布线结构层远离所述第二布线结构层的一侧。
[0018]本申请还提供了一种封装结构的制备方法，包括：
[0019]提供第一基底以及第二基底；
[0020]于所述第一基底上形成第一芯片结构，所述第一芯片结构包括第一布线结构层以及第一芯片，所述第一布线结构层形成在所述第一基底上，包括第一介质层以及位于所述第一介质层内的第一布线层，所述第一芯片形成在所述第一布线层上；
[0021]于所述第二基底上形成第二布线结构层，所述第二布线结构包括第二介质层以及位于所述第二介质层内的第二布线层；
[0022]通过第一布线结构层，将所述第一芯片结构与所述第二布线结构层键合，并去除所述第二基底，所述第一布线结构层与所述第二布线结构层形成布线结构层；
[0023]于所述第二布线结构层远离所述第一布线结构层的一侧形成第二芯片结构，所述第二芯片结构包括第二芯片。
[0024]上述封装结构的制备方法中，第一芯片结构的第一芯片与第一布线结构层内的第一布线层进行连接。第一芯片结构与第二布线结构层进行键合后，第一芯片与第二布线层进行连接。第二芯片结构形成在第二布线结构层远离第一布线结构层的一侧，第二芯片同第二布线层内的第二布线层进行连接，此时，第一芯片同第二芯片进行连接，完成了不同平面间芯片的互连。
[0025]同时，本实施例中的封装结构有效提升不同平面间芯片进行连接的效率，降低整个封装结构的成本以及工艺难度。
[0026]在其中一个实施例中，于所述第二基底上形成第二布线结构层之后，还包括：
[0027]于所述第二布线结构层内形成凹槽；
[0028]通过第一布线结构层，将所述第一芯片结构与所述第二布线结构层键合，并去除所述第二基底，包括：
[0029]通过第一布线结构层，将所述第一芯片结构与具有所述凹槽的第二布线结构层键合，所述凹槽容纳所述第一芯片，且所述凹槽内的剩余空间形成空腔；
[0030]去除所述第二基底，暴露所述第二布线结构层。
[0031]在其中一个实施例中，于所述第二基底上形成第二布线结构层之后，还包括：
[0032]于所述第二布线结构层内形成凹槽；
[0033]通过第一布线结构层，将所述第一芯片结构与所述第二布线结构层键合，并去除所述第二基底，包括：
[0034]去除所述第二基底；
[0035]通过第一布线结构层，将所述第一芯片结构与具有所述凹槽的第二布线结构层键合，所述凹槽容纳所述第一芯片，且所述凹槽内的剩余空间形成空腔。
[0036]在其中一个实施例中，于所述第二基底上形成第二布线结构层，包括：
[0037]于所述第二基底上形成第一键合胶；
[0038]于所述第一键合胶上形成第二布线结构层；
[0039]去除所述第二基底，包括：
[0040]通过所述第一键合胶去除第二基底。
[0041]在其中一个实施例中，于所述第二布线结构层远离所述第一布线结构层的一侧形成第二芯片结构，包括：
[0042]于所述第二布线结构层远离所述第一布线结构层的一侧形成层间介质层；
[0043]于所述层间介质层上形成重布线层；
[0044]于所述重布线层上形成第二芯片；
[0045]形成覆盖所述第二芯片的塑封层。
[0046]在其中一个实施例中，于所述第一基底上形成第一芯片结构，包括：
[0047]于所述第一基底上形成第二键合胶；
[0048]于所述第二键合胶上形成第一布线结构层；
[0049]形成覆盖所述第二芯片的塑封层之后，还包括：
[0050]通过所述第二键合胶去除所述第一基底；
[0051]于所述第一布线结构层远离所述第二布线结构层的一侧形成焊球。
附图说明
[0052]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0053]图1为一实施例中提供的封装结构的制备方法的流程图；
[0054]图2至图14为一实施例中提供的封装结构的制备方法中不同步骤中所得结构的截面结构示意图；
[0055]图15至图27为另一实施例中提供的封装结构的制备方法中不同步骤中所得结构的截面结构示意图。
[0056]附图标记本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一芯片结构，所述第一芯片结构包括第一布线结构层以及第一芯片，所述第一布线结构层包括第一介质层以及位于所述第一介质层内的第一布线层，所述第一芯片位于所述第一布线层上；第二布线结构层，位于所述第一芯片结构一侧，所述第二布线结构层包括第二介质层以及位于所述第二介质层内的第二布线层，所述第二布线结构层与所述第一布线结构层组成布线结构层；第二芯片结构，位于所述第二布线结构层远离所述第一布线结构层的一侧，所述第二芯片结构包括第二芯片。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二布线结构层内具有凹槽，所述凹槽容纳所述第一芯片，且所述凹槽内的剩余空间形成空腔。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二芯片结构还包括：层间介质层，位于所述第二布线结构层远离所述第一布线结构层的一侧；重布线层，位于所述层间介质层上，所述第二芯片位于所述重布线层上；塑封层，位于所述重布线层上且覆盖所述第二芯片。4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：焊球，位于所述第一布线结构层远离所述第二布线结构层的一侧。5.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括：提供第一基底以及第二基底；于所述第一基底上形成第一芯片结构，所述第一芯片结构包括第一布线结构层以及第一芯片，所述第一布线结构层形成在所述第一基底上，包括第一介质层以及位于所述第一介质层内的第一布线层，所述第一芯片形成在所述第一布线层上；于所述第二基底上形成第二布线结构层，所述第二布线结构包括第二介质层以及位于所述第二介质层内的第二布线层；通过第一布线结构层，将所述第一芯片结构与所述第二布线结构层键合，并去除所述第二基底，所述第一布线结构层与所述第二布线结构层形成布线结构层；于所述第二布线结构层远离所述第一布线结构层的一侧形成第二芯片结构，所述第二芯片结构包括第二芯片。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：许嗣拓，张树金，周强，袁晓敏，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：