沉积反应腔和半导体设备制造技术

本公开提供的一种沉积反应腔和半导体设备，涉及半导体技术领域。该沉积反应腔包括外壳和环形罩，外壳的内壁设有调节凸块；环形罩设于外壳内，环形罩用于放置晶圆；环形罩开设有通孔，外壳与环形罩能相对转动，以使调节凸块调节通孔的流通截面。这样，有利于反应腔内的气体均匀及时排出，防止反应副产物对薄膜质量的影响，进而提高薄膜的质量。进而提高薄膜的质量。进而提高薄膜的质量。

【技术实现步骤摘要】
沉积反应腔和半导体设备


[0001]本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种沉积反应腔和半导体设备。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的快速发展，化学气相沉积是一种化工技术，该化工技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。
[0003]沉积工艺中，反应腔体会存在气体反应的副产物，通常做法是采用抽气泵将反应腔体内产生的副产物排出，使得沉积在晶圆表面的薄膜具有较好的均匀性，提高薄膜质量。现有的抽气装置很难使得气体及时、均匀排出，当腔体内的副产物过多或者气流速率不一致，晶圆表面形成的薄膜容易产生缺陷。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种沉积反应腔和半导体设备，其能够及时均匀地将反应腔中的副产物排出，以提高晶圆表面的薄膜质量。
[0005]本技术的实施例是这样实现的：
[0006]第一方面，本技术提供一种沉积反应腔，包括：
[0007]外壳，所述外壳的内壁设有调节凸块；
[0008]环形罩，所述环形罩设于所述外壳内，所述环形罩用于放置晶圆；所述环形罩开设有通孔，所述外壳与所述环形罩能相对转动，以使所述调节凸块调节所述通孔的流通截面。
[0009]在可选的实施方式中，所述通孔的数量为多个，所述调节凸块的数量为多个，多个所述通孔与多个所述调节凸块一一对应。
[0010]在可选的实施方式中，所述调节凸块凸出所述外壳内壁的长度为L，所述外壳内壁与所述环形罩的外壁之间的距离为H，H大于等于L。
[0011]在可选的实施方式中，所述通孔包括第一通孔和第二通孔，所述第一通孔的孔径大于所述第二通孔的孔径；所述第一通孔靠近所述环形罩的顶部和底部设置，所述第二通孔设于所述环形罩的中部。
[0012]在可选的实施方式中，所述调节凸块的形状尺寸与所述通孔的形状尺寸相适应。
[0013]在可选的实施方式中，所述环形罩和所述外壳同轴线设置。
[0014]在可选的实施方式中，所述环形罩的底部设有承载板，所述承载板用于放置晶圆。
[0015]在可选的实施方式中，所述外壳的内壁和所述环形罩的外壁中的至少一个设有第一传感器，或者所述第一传感器设于所述环形罩和所述外壳之间，所述第一传感器用于检测真空度。
[0016]在可选的实施方式中，所述环形罩的内壁设有第二传感器，所述第二传感器用于检测所述环形罩内部的真空度。
[0017]第二方面，本技术提供一种半导体设备，包括抽气泵和如前述实施方式中任
一项所述的沉积反应腔，所述抽气泵与所述外壳连接。
[0018]本技术实施例的有益效果包括：
[0019]本技术实施例提供的沉积反应腔，外壳和环形罩可相对转动，使得调节凸块可以调整通孔的流通截面，以改变反应腔内气体排出速率。这样，有利于反应腔内的气体均匀及时排出，防止反应副产物对薄膜质量的影响，进而提高薄膜的质量。
[0020]本技术实施例提供的半导体设备，包括抽气泵和上述的沉积反应腔，抽气泵用于将反应腔内的副产物及时排出，有利于提高晶圆表面的薄膜的质量。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0022]图1为本技术实施例提供的沉积反应腔的一种状态的结构示意图；
[0023]图2为本技术实施例提供的沉积反应腔的分解结构示意图；
[0024]图3为本技术实施例提供的沉积反应腔的另一种状态的结构示意图。
[0025]图标：100
‑
沉积反应腔；110
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外壳；111
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调节凸块；130
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环形罩；131
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通孔；133
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第一通孔；135
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第二通孔；140
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承载板。
具体实施方式
[0026]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0027]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0028]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0029]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0030]此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
[0031]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0032]随着半导体行业的快速发展，化学气相沉积是一种化工技术，该化工技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。沉积工艺中，反应腔体内会存在气体反应的副产物，通常做法是采用抽气泵将反应腔体内产生的副产物排出，使得沉积在晶圆表面的薄膜具有较好的均匀性，提高薄膜质量。现有的抽气装置很难使得气体及时、均匀排出，当腔体内的副产物过多或者气流速率不一致，晶圆表面形成的薄膜容易产生缺陷。
[0033]请参照图1至图3，其中，图1为本实施例提供的沉积反应腔100中通孔131本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沉积反应腔，其特征在于，包括：外壳，所述外壳的内壁设有调节凸块；环形罩，所述环形罩设于所述外壳内，所述环形罩用于放置晶圆；所述环形罩开设有通孔，所述外壳与所述环形罩能相对转动，以使所述调节凸块调节所述通孔的流通截面。2.根据权利要求1所述的沉积反应腔，其特征在于，所述通孔的数量为多个，所述调节凸块的数量为多个，多个所述通孔与多个所述调节凸块一一对应。3.根据权利要求1所述的沉积反应腔，其特征在于，所述调节凸块凸出所述外壳内壁的长度为L，所述外壳内壁与所述环形罩的外壁之间的距离为H，H大于等于L。4.根据权利要求1所述的沉积反应腔，其特征在于，所述通孔包括第一通孔和第二通孔，所述第一通孔的孔径大于所述第二通孔的孔径；所述第一通孔靠近所述环形罩的顶部和底部设置，所述第二通孔设于所述环形罩的中部。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成富，何正鸿，陈泽，王承杰，宋祥祎，
申请(专利权)人：甬矽电子宁波股份有限公司，
类型：新型
国别省市：