本实用新型专利技术属于单晶硅炉技术领域，涉及一种用于单晶硅炉的提升装置，包括安装板，所述安装板上设有伺服电机及竖板，所述伺服电机的输出轴设有联轴器及减速机，所述减速机的输出轴设有高刚性一体式模组，所述所述高刚性一体式模组安装在竖板上，所述高刚性一体式模组上设有上载板；所述安装板上还设有下载板，联轴器及减速机共同设在下载板上；将T牙丝杠跟换成滚珠丝杠，并对原有的分散结构进行了集成，采用了高刚性一体式研磨的刚性KK模组作为主提升部件，集成化程度更高，刚性更好；将原有的伞齿转向减速机结构进行了优化，更换为高精度研磨蜗轮蜗杆转向减速机构，传动效率更高，噪音更低，同时具备自锁性。同时具备自锁性。同时具备自锁性。
【技术实现步骤摘要】
一种用于单晶硅炉的提升装置
[0001]本技术属于单晶硅炉
，涉及一种用于单晶硅炉的提升装置。
技术介绍
[0002]单晶硅炉的提升装置用于光伏及半导体行业的单晶硅生长炉的热屏装置的提升；热屏装置类似于冷却水装置，而现有技术有以下缺陷：T牙丝杠为滑动摩擦，传动效率低，实测传动效率仅有27％；T牙丝杠由于是滑动摩擦，在承载后，有较大的磨损，同时也会因为有磨损导致异响；伞齿传动相对而言噪音比较大。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种用于单晶硅炉的提升装置，能解决传动效率低，噪音比较大的问题。
[0004]按照本技术提供的技术方案：一种用于单晶硅炉的提升装置，包括安装板，所述安装板上设有伺服电机及竖板，所述伺服电机的输出轴设有联轴器及减速机，所述减速机的输出轴设有高刚性一体式模组，所述所述高刚性一体式模组安装在竖板上，所述高刚性一体式模组上设有上载板，所述高刚性一体式模组上端设有旋转编码器；所述安装板上还设有下载板，联轴器及减速机共同设在下载板上。
[0005]优选地，所述高刚性一体式模组包括滑杆、轴承钢底座、滚珠丝杆及滑动座；所述竖板上设有两个滑杆，所述滑杆之间设有滚珠丝杆；所述滚珠丝杆的下端与减速机连接，且套设有轴承钢底座，所述轴承钢底座安装在竖板上，所述滚珠丝杆的外侧还套设有与滑杆配合使用的滑动座。
[0006]优选地，所述滑动座上设有上载板，所述上载板与下载板上下相对应。
[0007]优选地，所述减速机采用蜗轮蜗杆减速机。
[0008]优选地，所述下载板及上载板分别采用不锈钢材质。
[0009]优选地，所述下载板及上载板上分别设有密封环槽。
[0010]优选地，所述安装板上设有一对斜板，所述斜板上分别设有标尺。
[0011]本申请的积极进步效果在于：
[0012]本技术实施例提供的一种用于单晶硅炉的提升装置，优点如下：
[0013]1.将T牙丝杠跟换成滚珠丝杠，并对原有的分散结构进行了集成，采用了高刚性一体式模组作为主提升部件，集成化程度更高，刚性更好。
[0014]2.将原有的伞齿转向减速机结构进行了优化，更换为高精度研磨蜗轮蜗杆转向减速机构，传动效率更高，噪音更低，同时具备自锁性。
[0015]3.对整体的提升装置的结构进行了优化设计，便于提高平行度、垂直度、电机驱动轴同心度。
[0016]4.对上下不锈钢载板的加工工艺进行了改进，提升产品的精度的同时，提升表面加工质量，提升密封环槽的加工质量，从而提升产品密封。
附图说明
[0017]图1是本技术的主视图。
[0018]图2是本技术的侧视图。
[0019]图中：1
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安装板；2
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伺服电机；3
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联轴器；4
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减速机；5
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下载板；6
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上载板；7
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高刚性一体式模组；71
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轴承钢底座；72
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滚珠丝杆；73
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滑动座；8
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旋转编码器；9
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竖板。
具体实施方式
[0020]为了使本领域技术人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
[0021]如图1
‑
2所示，本技术是一种用于单晶硅炉的提升装置，包括安装板1，所述安装板1上设有伺服电机2及竖板9，所述伺服电机2的输出轴设有联轴器3及减速机4，所述减速机4的输出轴设有高刚性一体式模组7，所述所述高刚性一体式模组7安装在竖板9上，所述高刚性一体式模组7上设有上载板6，所述高刚性一体式模组7上端设有旋转编码器8；所述安装板1上还设有下载板5，联轴器3及减速机4共同设在下载板5上；
[0022]所述安装板1上设有一对斜板，所述斜板上分别设有标尺；
[0023]优选地，所述下载板5及上载板6分别采用不锈钢材质；所述下载板5及上载板6上分别设有密封环槽；对下载板5及上载板6的加工工艺进行了改进，提升产品的精度的同时，提升表面加工质量，提升密封环槽的加工质量，从而提升产品密封性；
[0024]进一步理解的是，密封环槽的设计位倒扣结构，保证密封圈在环槽内部不至于被挤压移位，挤压后能更好的填充整个环槽空间，密封圈在自然状态下也不易掉落；密封环槽的截面形状为倒扣结构，整体为环形，所以采用加工中心加工的时候，要充分考虑刀具的截面，需要至少两把铣刀配合加工，第一把铣刀先加工直槽，第二把铣刀加工斜面，加工斜面的铣刀直径要小于环槽截面底部边长的一半，所以刀具直径很小，最细初直径仅为2mm，所以刀具自身的制作，加工工艺的编排都相对比较考究，否则很容易出现断刀的现象。
[0025]优选地，所述高刚性一体式模组7包括滑杆、轴承钢底座71、滚珠丝杆72及滑动座73；所述竖板9上设有两个滑杆，所述滑杆之间设有滚珠丝杆72；所述滚珠丝杆72的下端与减速机4连接，且套设有轴承钢底座71，所述轴承钢底座71安装在竖板9上，所述滚珠丝杆72的外侧还套设有与滑杆配合使用的滑动座73；
[0026]进一步理解的是，将现有的T牙丝杠跟换成滚珠丝杠72，并对原有的分散结构进行了集成，采用了高刚性一体式模组7作为主提升部件，集成化程度更高，刚性更好。
[0027]所述滑动座73上设有上载板6，所述上载板6与下载板5上下相对应。
[0028]所述减速机4采用蜗轮蜗杆减速机；使之传动效率更高，噪音更低，同时具备自锁性。
[0029]工作过程如下：
[0030]伺服电机2带动蜗轮蜗杆减速机4，减速机4自带换向功能改变旋转方向后，带动滚珠丝杠72进行旋转运动，滚珠丝杠72将旋转运动转换为直线运动，从而实现上载板6的上下
运动。
[0031]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本技术的原理而采用的示例性实施方式，然而本技术并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本技术的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本技术的保护范围。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于单晶硅炉的提升装置，其特征在于，包括安装板(1)，所述安装板(1)上设有伺服电机(2)及竖板(9)，所述伺服电机(2)的输出轴设有联轴器(3)及减速机(4)，所述减速机(4)的输出轴设有高刚性一体式模组(7)，所述高刚性一体式模组(7)安装在竖板(9)上，所述高刚性一体式模组(7)上设有上载板(6)，所述高刚性一体式模组(7)上端设有旋转编码器(8)；所述安装板(1)上还设有下载板(5)，联轴器(3)及减速机(4)共同设在下载板(5)上。2.如权利要求1所述的一种用于单晶硅炉的提升装置，其特征在于：所述高刚性一体式模组(7)包括滑杆、轴承钢底座(71)、滚珠丝杆(72)及滑动座(73)；所述竖板(9)上设有两个滑杆，所述滑杆之间设有滚珠丝杆(72)；所述滚珠丝杆(72)的下端与减速机(4)连接，且套设有...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑丰，顾春东，
申请(专利权)人：中村精机无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：
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