磁控溅射法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的方法技术

本发明专利技术涉及一种铜铟镓硒（ＣＩＧＳ）太阳电池光吸收层薄膜的制备方法。本发明专利技术的特征在于在底电极上通过磁控溅射法，采用单靶溅射、富铜靶和贫铜靶同时或先后溅射，制备出具有高反应活性、可快速反应烧结的ＣＩＧＳ前驱薄膜，然后将ＣＩＧＳ前驱薄膜进行热处理，快速反应生成平整、致密、均匀、光电性能良好的ＣＩＧＳ太阳电池光吸收层薄膜。本发明专利技术所提供的制备方法，可控性强，薄膜质量高、均匀性好，工艺简单，适合工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池光吸收层的制备方法，更确切地说采 用磁控溅射法制备CIGS前驱薄膜，然后进行热处理制成太阳电池光吸收层，属于光伏材料 新能源

技术介绍
铜铟镓硒(Cu(In， Ga)S^，简称CIGS)薄膜太阳电池是新一代最有前途的太阳 电池，它具有成本低、效率高、寿命长、弱光性能好、抗辐射能力强、可柔性且环境友好等 多方面的优点。自20世纪90年代以来，CIGS在所有薄膜太阳电池中，就一直是实验室 转换效率最高的薄膜太阳电池。2008年4月，美国可再生能源实验室(NREL)又将其实 验室最高转换效率刷新为19. 9% (Ingrid R印ins， Miguel A. Contreras， Brian Egaas， Clay DeHart， JohnScharf， Craig L Perkins, Bobby To and Rommel Noufi， Progress in Photovoltaics -Research and A卯lications， 16 (3) ， 235-239， 2008)，与多晶硅的实验室 最高转换效率20.3%本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＩＧＳ薄膜太阳电池光吸收层的制备方法，其特征在于：采用磁控溅射法制备ＣＩＧＳ前驱薄膜，然后进行热处理，反应制备成ＣＩＧＳ薄膜。具体包括以下工艺步骤：　　（１）制备ＣＩＧＳ前驱薄膜：在底电极上通过磁控溅射法，采用单靶溅射、富铜靶和贫铜靶同时或先后溅射，制备出ＣＩＧＳ前驱薄膜（２００）；　　（２）ＣＩＧＳ前驱薄膜热处理：在真空中或一定气压的惰性气氛中，将固态单质Ｓｅ源加热到１８０℃～４５０℃，形成Ｓｅ的饱和蒸汽压，将步骤１制备的ＣＩＧＳ前驱薄膜置于饱和Ｓｅ蒸汽压中，以１０℃／ｍｉｎ～１００℃／ｍｉｎ的升温速率升温到４５０℃～６００℃并保温１０ｍｉｎ～６０ｍｉｎ，制备成ＣＩＧＳ薄膜太阳电池的光...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄富强，王耀明，朱小龙，李爱民，张雷，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]