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本发明涉及一种铜铟镓硒（ＣＩＧＳ）太阳电池光吸收层薄膜的制备方法。本发明的特征在于在底电极上通过磁控溅射法，采用单靶溅射、富铜靶和贫铜靶同时或先后溅射，制备出具有高反应活性、可快速反应烧结的ＣＩＧＳ前驱薄膜，然后将ＣＩＧＳ前驱薄膜进行热处理...
该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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