微阵列用基底、微阵列制法及从微阵列获得光数据的方法技术

本发明专利技术提供微阵列用基底、微阵列制法及从微阵列获得光数据的方法。所述基底包括：设置于所述基底上的基准标记、以及设置于所述基底上的探针固定区域，其中所述第一基准标记的表面是疏水的并且探针固定化合物固定于所述探针固定区域上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的一个或多个实施方式涉及用于微阵列的基底、使用其制造微阵列的方法 以及从微阵列获得光数据的方法。
技术介绍
微阵列通常由与靶物质结合并固定在基底上的多个确定区域(清楚区域， distinct region)中的探针材料组成。微阵列用在各种靶物质分析中。通过将含有荧光物 质标记的靶物质的样品与微阵列的探针材料接触并测量由探针材料与荧光物质标记的靶 物质产生的反应产物发射的光信号来分析靶物质。通常，由于微阵列包括其中可能固定许多不同类型的探针材料的高密度的独立区 域(在下文中也称为“样点”)，因此在单一的实验中照射和检测数千个或数万个或更多的 样点以确定样品是否含有可与探针材料结合的靶物质。因而，对由微阵列分析结果所获得 的图像数据进行分析的操纵器在评价各杂交样点的亮度之前产生微阵列样点位置的网格 或图案，并且在将从微阵列获得的图像信号量化之前产生局部背景。换言之，在对所述分析 结果进行分析之前，操纵器产生网格以更容易地进行分析。微阵列网格是用在检测软件中 用于更有效地寻找图案中各样点的位置的模板。因而，需要使用从包括许多样点的微阵列 获得的光数据有效地鉴别各样点的位置。鉴别样点位置的常规方法包括使用已知的样点信息手动鉴别光图像上的样点的 方法以及使用自动点样设备(spot placement equipment)的方法。然而，即使有了上述方法，也仍然需要开发使用从微阵列获得的光数据容易地寻 找各样点的位置的分析方法。
技术实现思路
本专利技术的一个或多个实施方式包括用于制造从其容易地获得光数据的微阵列的 基底以及制造该基底的方法。本专利技术的一个或多个实施方式包括从其容易地获得光数据的微阵列。本专利技术的一个或多个实施方式包括从微阵列获得光数据的方法。在一个实施方式中，用于产生微阵列的基底，所述基底包括设置于所述基底上的 第一基准标记(fiducial mark)、以及在所述基底上的探针固定区域，其中所述第一基准标 记的表面是疏水的并且探针固定化合物固定于所述探针固定区域上。在一个实施方式中，所述第一基准标记包括所述基底的从其除去氧化物层的区 域。在一个实施方式中，所述基底的从其除去氧化物层的区域包括所述基底的表面和 覆盖有疏水材料的所述基底的表面之一。在一个实施方式中，所述基底进一步包括第二基准标记。在一个实施方式中，所述第二基准标记包括形成于所述基底表面上的至少两个柱子。在一个实施方式中，所述第二基准标记包括固定在所述基底表面上的与靶物质强 烈地相互作用的材料。微阵列的实施方式包括设置于基底上的第一基准标记和所述基底的其上固定探 针材料的区域，其中所述第一基准标记的表面是疏水的。在一个实施方式中，所述第一基准标记包括所述基底的从其除去氧化物层的区 域。在一个实施方式中，所述基底的从其除去氧化物层的区域包括所述基底的表面和覆盖有疏水材料的所述基底的表面之一。在一个实施方式中，所述微阵列进一步包括第二基准标记。在一个实施方式中，所述第二基准标记包括形成于所述基底表面上的至少两个柱子。在一个实施方式中，所述第二基准标记包括与靶物质强烈地相互作用并固定在所 述基底的表面上的材料。在一个实施方式中，所述至少两个柱子的相邻柱子隔开约0. Ιμπι 约ΙΟΟΟμπι的 间隔，和各柱子的横截面的尺寸为约0. Iym 约ΙΟΟΟμπι。制造用于微阵列的基底的方法的实施方式包括提供其上形成氧化物层的基底， 其中所述基底具有疏水表面；在所述氧化物层上涂覆光刻胶以形成光刻胶层；通过掩模将 光照射到所述光刻胶层上；将所述光刻胶层显影和蚀刻所述氧化物层的未被所述光刻胶层 保护的一部分以使所述基底的表面暴露；以及将探针固定化合物固定在所述基底的不包括 所述疏水表面的一部分上。在一个实施方式中，所述蚀刻包括使用疏水材料的干法蚀刻过程。制造探针微阵列的方法的实施方式包括提供其上设置氧化物层的基底，其中所 述基底具有疏水表面；在所述氧化物层上涂覆光刻胶以形成光刻胶层；通过掩模将光照射 到所述光刻胶层上；将所述光刻胶层显影和蚀刻所述氧化物层的未被所述光刻胶层保护的 一部分以使所述基底的表面暴露；将探针固定化合物固定在所述基底的不包括所述疏水表 面的一部分上；和将探针材料固定在所述基底的其上固定所述探针固定化合物的部分上的 多个确定区域上。在一个实施方式中，制造用于微阵列的基底的方法包括提供其上设置氧化物层 的基底；在所述氧化物层上涂覆光刻胶以形成光刻胶层；通过掩模将光照射到所述光刻胶 层上；将所述光刻胶层显影和蚀刻所述氧化物层的未被所述光刻胶层保护的一部分以使所 述基底的表面暴露，其中所述蚀刻包括使用疏水材料的干法蚀刻过程；以及将探针固定化 合物固定在所述基底的不包括疏水表面的一部分上。在一个实施方式中，所述疏水材料包括碳氟化合物。制造探针微阵列的方法的实施方式包括提供其上设置氧化物层的基底；在所述 氧化物层上涂覆光刻胶以形成光刻胶层；通过掩模将光照射到所述光刻胶层上；将所述光 刻胶层显影和蚀刻所述氧化物层的未被所述光刻胶层保护的一部分以使所述基底的表面 暴露，其中所述蚀刻包括使用疏水材料的干法蚀刻过程；将探针固定化合物固定在所述基 底的不包括疏水表面的一部分上；以及将探针材料固定在所述基底的其上固定所述探针固定化合物的部分上的多个确定区域上。在一个实施方式中，从包括第一基准标记、第二基准标记和其中固定探针材料的区域的微阵列获得光数据的方法，该方法包括使标记有发光物质的靶物质与所述微阵列 接触，其中所述第一基准标记具有疏水表面；将光照射到所述微阵列上；测量由于照射光 从所述微阵列产生的光以产生光数据；由所述光数据鉴别所述第一基准标记和所述第二基 准标记；参考所鉴别的第一和第二基准标记鉴别其中固定探针材料的区域；以及从所鉴别 的其中固定探针材料的区域获得光数据。在一个实施方式中，在鉴别所述第一基准标记和所述第二基准标记中，通过参考 所述第一基准标记的光强度与所述第一标记周围的区域相比有多低的程度来鉴别所述第一基准标记O在一个实施方式中，在鉴别所述第一基准标记和所述第二基准标记中，通过参考 所述第二基准标记的光强度与所述第二基准标记周围的区域相比有多高来鉴别所述第二 基准标记。在一个实施方式中，在鉴别所述第一基准标记和所述第二基准标记中，通过参考 所述第一基准标记的光强度与所述第一标记周围的区域相比有多低来鉴别所述第一基准 标记，和通过参考所述第二基准标记的光强度与所述第二基准标记周围的区域相比有多高 来鉴别所述第二基准标记，以及通过所述第一和第二基准标记彼此的相对位置来鉴别所述 第一基准标记和所述第二基准标记。在一个实施方式中，所述第二基准标记包括形成于基底表面上的至少两个柱子。在一个实施方式中，所述第二基准标记包括固定在所述基底表面上的与所述靶物 质强烈地相互作用的材料。微阵列的实施方式包括设置于基底上的第一确定区域；设置于所述基底上的第 二确定区域；以及设置于所述基底上的第三确定区域，其中探针核酸固定于所述第三确定 区域上，所述探针核酸具有与靶核酸的序列互补的序列，所述第一确定区域与标记有能检 测的标记的靶核酸或标记有能检测的标记的靶物质之间的结合力弱于所述第二确定区域 与所述标记有能检测的标记的靶物质之间的结合力，以及所述第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于制造微阵列的基底，该基底包括：　　设置于所述基底上的第一基准标记；和　　设置于所述基底上的探针固定区域，　　其中所述第一基准标记的表面是疏水的并且探针固定化合物固定于所述探针固定区域上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李圭祥，孙大淳，朴卿希，安兑臻，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]