交流ＬＥＤ发光电路制造技术

四个半导体二极管和ＬＥＤ封装组成一个整流桥，整流桥的两端分别联接交流电源，另两端联接一串ＬＥＤ封装（称之为桥体）。交流的正半周电流沿两个桥臂上的半导体二极管和桥体上的全部ＬＥＤ封装流动，全部ＬＥＤ封装发光；负半周电流沿另外两个桥臂上的半导体二极管和桥体上的全部ＬＥＤ封装流动，全部ＬＥＤ封装发光。桥体上的ＬＥＤ封装因正半周电流和负半周电流共用而一直在发光。选择可以采用大电流驱动的半导体二极管，因此，可以采用大电流驱动桥体上的全部ＬＥＤ封装。另外，无论是交流电的正半周还是负半周，都通过桥体上的ＬＥＤ封装流动，提高了交流电驱动的交流ＬＥＤ发光电路的发光效率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术揭示一种交流LED发光电路，可直接采用交流电源驱动，属于光电子

技术介绍
LED正在进入普通照明领域，采用交流电直接驱动LED发光电路具有优势。一个实施例采用直流LED芯片，在封装水平，把多个LED封装串联成两串，然后把 两串串联的多个LED封装反向并联，因此，可采用交流电直接驱动。但是，采用上述反向并联方法时，总有一半数量的LED封装在交流电的正半周不 发光，另一半数量的LED封装在交流电的负半周不发光，整体电路的发光效率较低。另一个实施例把多个LED封装串联成五串，然后把五串串联的多个LED封装组成 整流桥，称与交流电源相连接的四串串联的LED封装为桥臂，称不与交流电源相连接的一 串串联的LED封装为桥体。因此，可采用交流电直接驱动，交流电的正半周电流和负半周电 流总是流过桥体。但是，采用上述整流桥方法时，流过桥体的LED封装的电流与流过桥臂上的LED 封装的电流相同，因此，限制了流过桥体上的LED封装的电流密度，若要增大交流LED发光 电路的功率，只能串联更多的LED封装，从而，提高了电压。但是，电压是有上限的，例如， 220V,因此，限制了整流桥式LED发光电路的功率。另外，两串桥臂上的LED封装在交流电 的正半周电流不发光，两串桥臂上的LED封装在交流电的负半周电流不发光，整体电路的 发光效率较低。因此，需要一种LED封装组成的交流驱动的电路，可以采用大电流驱动并且具有 较高的发光效率。本技术揭示一种可采用大交流电流直接驱动的交流LED发光电路。交流电的 正半周电流和负半周电流都通过桥体的LED封装，交流LED发光电路的LED封装在交流电 的正半周和负半周都发光，具有较高的发光效率。
技术实现思路
本技术的交流LED发光电路的一个实施例的结构如下四个半导体二极管和LED封装组成一个整流桥，整流桥的两端分别联接交流电 源，另两端联接一串LED封装(称之为桥体)。交流的正半周电流沿两个桥臂上的半导体二 极管和桥体上的全部LED封装流动，全部LED封装发光；负半周电流沿另外两个桥臂上的半 导体二极管和桥体上的全部LED封装流动，全部LED封装发光。桥体上的LED封装因正半 周电流和负半周电流共用而一直在发光。选择可以采用大电流驱动的半导体二极管，因此， 可以采用大电流驱动桥体上的全部LED封装。另外，无论是交流电的正半周还是负半周，都 通过桥体上的LED封装流动，提高了交流电驱动的交流LED发光电路的发光效率。交流LED发光电路，其中，(1)交流LED发光电路中可加一变压器，使得驱动电压与LED发光电路相对应。(2)交流LED发光电路中可加过电压保护、过电流保护设置。(3)通过桥臂上的半导体二极管的电流与通过桥体的LED封装的电流相对应，选择大电流半导体二极管，可以使得大电流通过桥体的LED封装，提高交流LED发 光电路的功率。(4)桥体的LED封装的电压降与外界交流电源的电压相对应。(5)整流桥取得的直流是脉动直流，可以在交流LED发光电路中加一电路，把波形 整为矩形直流波形或接近矩形直流波形。(6)交流LED发光电路的桥体包括一个或多个LED封装。多个LED封装组成不同 的连接方式，包括，(a)全部LED封装串联；(b)全部LED封装并联；(c) LED封装串联成数串 后并联；(d)LED封装并联后串联；(e)LED封装串并联混合的其他形式。(7) LED封装包括一个或多个LED芯片。多个LED芯片组成不同的连接方式，包括， (a)全部LED芯片串联；(b)全部LED芯片并联；(c)LED芯片串联成数串后并联；(d)LED芯 片并联后串联；(e) LED芯片串并联混合的其他形式。(8)交流LED发光电路采用的LED封装是从一组封装中选出，该组封装包括，贴片 式(SMD)封装、支架式(lead frame)封装、集成式(integrate)封装、COB (chip on board) 封装。(9)交流LED发光电路采用的LED芯片的结构是从一组结构中选出，该组结构包 括，正装(Lateral)结构、垂直(vertical)结构、3维垂直结构。(10)交流LED发光电路采用的LED芯片的外延层的材料是从一组材料中选出，该 组材料包括，氮化镓基、磷化镓基、镓氮磷基、和氧化锌基材料。其中，氮化镓基材料包括镓、铝、铟、氮的二元系、三元系、四元系材料。镓、铝、铟、 氮的二元系、三元系、四元系材料包括，GaN、GalnN、AlGalnN、AlGalnN,等。磷化镓基材料包 括镓、铝、铟、磷的二元系、三元系、四元系材料。镓、铝、铟、磷的二元系、三元系、四元系材 料包括，GaP、GalnP、AlGalnP、InP，等。镓氮磷基材料包括镓、铝、铟、氮、磷的二元系、三 元系、四元系和五元系材料。镓、铝、铟、氮、磷的二元系、三元系、四元系和五元系材料包括， GaNP、AlGaNP、GaInNP、AlGaInNP，等。氧化锌基材料包括，ZnO，等。氮化镓基、磷化镓基、镓 氮磷基、和氧化锌基外延层包括氮化镓基、磷化镓基、镓氮磷基、和氧化锌基LED外延层。 氮化镓基外延层的晶体平面是从一组晶体平面中选出，该组晶体平面包括c-平面、平 面、m-平面。本技术的目的和能达到的各项效果如下(1)本技术提供的交流LED发光电路，桥臂上的半导体二极管的电流与桥体 的LED封装的电流相对应，选择大电流的半导体二极管，在限定的电压下，得到大功率的交 流LED发光电路。(2)本技术提供的交流LED发光电路，交流电的正半周电流和负半周电流都 流过所有的LED封装，因此，所有的LED封装在交流电的正半周电流和负半周电流都发光， 提高了交流LED发光电路的发光效率。(3)本技术提供的交流LED发光电路，结构简单。本技术提供的交流LED发光电路和它的特征及效益将在下面的详细描述中更好的展示。附图说明图1展示交流LED发光电路的一组实施例。图2展示交流LED发光电路中所采用的LED封装的一组实施例。具体实施例虽然本技术的具体实施例将会在下面被描述，但下列各项描述只是说明本实 用新型的交流LED发光电路的原理，而不是局限本技术于下列各项具体化实施实例的 描述。四个半导体二极管和LED封装组成一个整流桥，整流桥的两端分别连接交流电 源，另两端联接一串LED封装(称之为桥体)。交流的正半周电流沿两个桥臂上的半导体二 极管和桥体上的全部LED封装流动，全部LED封装发光；负半周电流沿另外两个桥臂上的半 导体二极管和桥体上的全部LED封装流动，全部LED封装发光。桥体上的LED封装因正半 周电流和负半周电流共用而一直在发光。选择可以采用大电流的半导体二极管，因此，可以 采用大电流驱动桥体上的全部LED封装。另外，无论是交流电的正半周还是负半周，都通过 桥体上的LED封装流动，提高了交流电驱动的交流LED发光电路的发光效率。注意下列各项适用于本技术的交流LED发光电路的相对应的所有实施例(1)交流LED发光电路可加一变压器，使得驱动电压与LED发光电路的电压降相对 应。(2)交流LED发光电路可加过电压保护、过电流保护。(3)通过桥臂上的半导体二极管的电流与通过桥体上的LED封装的电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种交流ＬＥＤ发光电路，其特征在于，所述的交流ＬＥＤ发光电路包括，至少一个ＬＥＤ封装；至少四个半导体二极管；所述的ＬＥＤ封装包括至少一个ＬＥＤ芯片；所述的半导体二极管和所述的ＬＥＤ封装形成整流桥连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭晖，
申请(专利权)人：金芃，彭晖，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]