一种用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统，包括供电源，有第一、第二电极；抛光头，连接于转动支架，分别与供电源的第一电极连接，有导电性；抛光台，可旋转，对应设于转动支架下方，有导电化学液，分别与供电源的第二电极连接；切换单元，在转动支架带动抛光头旋转，用于切换抛光头和抛光台之间的电连接关系，以在第二电极、抛光台、导电化学液、导电型晶圆衬底、抛光头、第一电极之间形成通电回路，在导电型晶圆衬底的抛光面形成电化学反应层；抛光头带动导电型晶圆衬底相对抛光台活动，对电化学反应层化学机械抛光。本实用新型专利技术衬底材料去除率、抛光/平坦化速度提高，运营成本降低；适用于抛光头与抛光台数量不一致设备。设备。设备。

【技术实现步骤摘要】
一种用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统


[0001]本技术属于半导体加工
，尤其是涉及一种半导体加工设备中晶圆衬底电化学抛光时电源的切换与控制的方法，具体是一种用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统。

技术介绍

[0002]在目前的半导体集成电路芯片制造流程中，化学机械平坦化(CMP)是其中一项重要的工艺步骤。将晶圆衬底置于抛光头和抛光垫之间，同时旋转抛光头和抛光垫，利用抛光垫表面沟槽中的抛光液对晶圆衬底表面进行腐蚀，同时具有一定粗糙度的抛光垫表面对其进行研磨，从而实现化学机械平坦化的过程。
[0003]当前的抛光工艺主要通过调整工艺来缩短抛光时间，提升抛光效率。如依靠提升研磨时抛光盘表面的温度来增加化学液的腐蚀速度，温度较高时难以保证温度的均匀性，因此会使抛光的晶圆衬底表面一致性较差。另外一种方式是增加晶圆衬底与抛光垫之间的压力来提升二者之间的摩擦力，进而提升机械研磨效率，但这种方法通常效果有限。尤其是对于一些硬度较高的新型半导体材料如碳化硅等，现有的抛光技术仅仅依靠化学腐蚀和机械研磨的方式，抛光速度慢，效率低。而电化学抛光技术可以加速晶圆衬底材料表面的腐蚀速度，可以大大提升碳化硅等材料的抛光效率。
[0004]现有的一些CMP设备，存在所需要工作的抛光头和抛光盘的数量不一致的情况，根据抛光的工艺来切换实际使用的抛光头。因此使用电化学方式抛光时，需要具有灵活的电源系统，来保证抛光头在切换过程中电路的畅通性。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的不足，本技术提供一种在抛光头切换时保证抛光头和抛光台始终处于同一回路的电流下工作，便于多个抛光头同时工作的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统。
[0006]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统，包括：
[0007]供电源，具有第一电极和第二电极；
[0008]抛光头，其连接于转动支架，且分别与供电源的第一电极连接，并具有导电性；
[0009]抛光台，可绕着自身轴心旋转，其对应设于转动支架的下方，带有导电化学液，且分别与供电源的第二电极连接；
[0010]切换单元，在转动支架带动抛光头旋转时，用于切换抛光头和抛光台之间的电连接关系，以在第二电极、抛光台、导电化学液、导电型晶圆衬底、抛光头、第一电极之间形成通电回路，在导电型晶圆衬底的抛光面形成电化学反应层；
[0011]所述抛光头可带动导电型晶圆衬底相对抛光台活动，以实现对电化学反应层的化学机械抛光。
[0012]进一步的，所述抛光头的数量与抛光台的数量不相等。
[0013]进一步的，所述抛光头的数量大于抛光台的数量，以在抛光台所在平面设置载片台。
[0014]进一步的，所述切换单元设于供电源的第一电极和抛光头之间，所述供电源的数量与抛光台的数量相同。
[0015]进一步的，所述切换单元包括第一部体和第二部体，所述第一部体设有与抛光台数量相同的第一导电触点，该第一导电触点与第一电极连接；所述第二部体设有与抛光头数量相同的第二导电触点，该第二导电触点与第二电极连接抛光头连接，且第二部体可随抛光头同步转动。
[0016]进一步的，所述导电触点为金属触点。
[0017]进一步的，所述切换单元设于供电源的第二电极和抛光台之间，所述供电源的数量与抛光头的数量相同。
[0018]进一步的，所述切换单元包括角度传感器，及与抛光头数量对应的电源切换器，所述抛光头与供电源、电源切换器一一对应连接，当角度传感器获取上下对应的抛光头和抛光台位置时，电源切换器连通对应的抛光头和供电源。
[0019]进一步的，所述电源切换器为与抛光头数量对应的继电器开关，或者为一个多掷开关。
[0020]进一步的，所述抛光台上表面设有抛光垫，其具有贯穿厚度方向的孔洞，该孔洞内容置有导电化学液。
[0021]进一步的，所述抛光台的数量为三个，所述抛光头的数量为四个，所述转动支架为十字支架。
[0022]本技术的有益效果是，1)电化学机械抛光导电型晶圆衬底，相较于机械抛光或常规化学机械抛光/平坦化，引入晶圆衬底表面电化学反应，衬底材料去除率、抛光/平坦化速度显著提高，设备运营成本显著降低；2)特别适用于抛光头与抛光台数量不一致的CMP设备，使每个抛光台上的晶圆衬底都取得到有效的电化学抛光效果；3)切换单元根据实际工作情况及时切换电源通路，保证抛光头和抛光台始终保持在同一路电流下；4)切换单元带有互锁功能，保证不会出现单个抛光头连接多个电源或单个电源连接多个抛光头的情况，保证设备的安全；5)电源系统使用36V以下安全电压，为CMP设备提供电化学抛光功能，保证人体接触的安全性。
附图说明
[0023]图1为本技术中抛光头和抛光台的配合结构示意图。
[0024]图2为本技术实施例一的原理示意图。
[0025]图3为本技术实施例一中切换单元的示意图.
[0026]图4为本技术实施例一中抛光垫的俯视图。
[0027]图5为本技术实施例一中抛光垫的剖视图。
[0028]图6为本技术实施例二的原理示意图。
具体实施方式
[0029]为了使本
的人员更好的理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
[0030]一种用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统，包括具有第一电极11和第二电极12的供电源1，具有导电性的抛光头2，抛光台3，及切换单元4。
[0031]所有的抛光头2连接在转动支架21上，且分别与供电源1的第一电极11连接。抛光台3对应设置在转动支架21的下方，带有导电化学液，且分别与供电源1的第二电极12连接。在本实施例中，抛光头2和抛光台3的数量不相等，当然在其他实施例中，两者的数量也可以相等。
[0032]在转动支架21带动所有抛光头2同步旋转时，切换单元4用于切换连通上下对应的抛光头2和抛光台3，即切换抛光头2和抛光台3之间的电连接关系，从而在第二电极12、抛光台3、导电化学液、导电型晶圆衬底(图中未示出)、抛光头2、第一电极11之间形成通电回路，在导电型晶圆衬底的抛光面形成电化学反应层。上述电化学反应层的生成原理为现有技术，不再赘述。
[0033]抛光头2带动导电型晶圆衬底相对抛光台3活动，从而实现对电化学反应层的化学机械抛光。上述电化学反应层的生成和化学机械抛光的两个步骤可以同时进行，也可以先后进行，具体不作限制。
[0034]实施例一
[0035]如图1所示，抛光头2的数量大于抛光台3的数量，具体相差的数量不作限制。在本实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统，其特征在于，包括：供电源(1)，具有第一电极(11)和第二电极(12)；抛光头(2)，其连接于转动支架(21)，且分别与供电源(1)的第一电极(11)连接，并具有导电性；抛光台(3)，可绕着自身轴心旋转，其对应设于转动支架(21)的下方，带有导电化学液，且分别与供电源的第二电极(12)连接；切换单元(4)，在转动支架(21)带动抛光头(2)旋转时，用于切换抛光头(2)和抛光台(3)之间的电连接关系，以在第二电极(12)、抛光台(3)、导电化学液、导电型晶圆衬底、抛光头(2)、第一电极(11)之间形成通电回路，在导电型晶圆衬底的抛光面形成电化学反应层；所述抛光头(2)可带动导电型晶圆衬底相对抛光台活动，以实现对电化学反应层的化学机械抛光。2.根据权利要求1所述的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统，其特征在于：所述抛光头(2)的数量与抛光台(3)的数量不相等。3.根据权利要求1所述的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统，其特征在于：所述抛光头(2)的数量大于抛光台(3)的数量，以在抛光台(3)所在平面设置载片台。4.根据权利要求1所述的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统，其特征在于：所述切换单元设于供电源(1)的第一电极(11)和抛光头(2)之间，所述供电源(1)的数量与抛光台(3)的数量相同。5.根据权利要求1或4所述的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统，其特征在于：所述切换单元(4)包括第一部体(41)和第二部体(42)，所述第一部体(41)设有与抛光台(3)数量相同的第一导电触点(411)，该第一导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张明琦，周远鹏，
申请(专利权)人：杭州众硅电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：