抛光设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抛光设备，抛光设备包括：基板；抛光盘；液体供给装置，液体供给装置选择性地向抛光盘上表面供给液体；回收环，回收环可活动地环绕设置于抛光盘外周，回收环内设置有回收槽，回收槽与抛光盘的上表面相连通，液体供给装置与回收槽相连通。由此，通过将回收环可活动地设置于抛光盘外周，在抛光盘进行抛光，回收环可以将抛光盘上的抛光液回收至回收槽，且通过回收槽重新进入液体供给装置中，在液体供给装置对抛光盘进行清洗时，回收环可以活动至避让抛光盘上方，可以避免回收环回收清洁液，防止清洁液与抛光液混合，回收的抛光液的抛光去除效率降低，这样可以提升回收的抛光液的有效性。的抛光液的有效性。的抛光液的有效性。

【技术实现步骤摘要】
抛光设备


[0001]本技术涉及抛光
，尤其是涉及一种抛光设备。

技术介绍

[0002]SiC（碳化硅）是优秀的第三代半导体材料，主要应用在大功率应用上，具有高硬度，难腐蚀，易碎的特点。CMP（化学机械抛光）是SiC衬底加工最后的工序，用于获得无缺陷的表面。
[0003]目前SiC应用的核心的问题是成本很高，高成本阻碍了SiC的普及应用，迫切需要降低其生产成本。CMP是SiC加工工序中成本最高的工序，其大约占加工总成本的50%。而在CMP的成本中，抛光液的成本占据约70%。回收利用抛光液是一个降低CMP成本的有效办法。
[0004]在现有技术中，CMP抛光设备采用在排水口收集抛光液的进行回收，但是抛光过程中的清洗液、去离子水、研磨下来的碎屑以及碎片，都会混入排泄下来的抛光液中，使得利用回收的抛光液进行抛光时存在抛光速率降低，容易产生划痕等问题，CMP抛光设备回收的抛光液的有效性较差。

技术实现思路

[0005]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种抛光设备，该抛光设备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光设备，其特征在于，包括：基板（10）；抛光盘（20），所述抛光盘（20）设置于所述基板（10）上；液体供给装置（30），所述液体供给装置（30）设置于所述基板（10），所述液体供给装置（30）选择性地向所述抛光盘（20）上表面供给液体；回收环（40），所述回收环（40）可活动地环绕设置于所述抛光盘（20）外周，所述回收环（40）内设置有回收槽（41），所述回收槽（41）与所述抛光盘（20）的上表面相连通，所述液体供给装置（30）与所述回收槽（41）相连通。2.根据权利要求1所述的抛光设备，其特征在于，还包括回收驱动件（42），所述回收驱动件（42）设置于所述基板（10）且与所述回收环（40）传动连接，所述回收环（40）具有回收位置和避让位置，当所述回收环（40）处于所述回收位置时，所述回收环（40）环绕设置于所述抛光盘（20）外周，所述回收环（40）上表面不凸出于所述抛光盘（20）上表面，当所述回收环（40）处于避让位置时，所述回收环（40）的下表面高于所述抛光盘（20）的上表面，所述回收驱动件（42）选择性地驱动所述回收环（40）在所述回收位置和所述避让位置之间升降移动。3.根据权利要求2所述的抛光设备，其特征在于，所述回收驱动件（42）为气缸，所述气缸位于所述回收环（40）的径向一侧下方，所述回收环（40）的径向一侧设置有固定块（43），所述固定块（43）与所述气缸传动连接。4.根据权利要求2所述的抛光设备，其特征在于，所述回收槽（41）位于所述回收环的内周壁（44）和所述回收环的外周壁（45）之间，所述回收环的内周壁（44）可活动地与所述抛光盘（20）外周壁相贴合，当所述回收环（40）处于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王奕，黄家剑，
申请(专利权)人：铭扬半导体科技合肥有限公司，
类型：新型
国别省市：