【技术实现步骤摘要】
本技术涉及抛光,尤其是涉及一种抛光设备。
技术介绍
1、sic(碳化硅)是优秀的第三代半导体材料,主要应用在大功率应用上,具有高硬度,难腐蚀,易碎的特点。cmp(化学机械抛光)是sic衬底加工最后的工序,用于获得无缺陷的表面。
2、目前sic应用的核心的问题是成本很高,高成本阻碍了sic的普及应用,迫切需要降低其生产成本。cmp是sic加工工序中成本最高的工序,其大约占加工总成本的50%。而在cmp的成本中,抛光液的成本占据约70%。
3、现在的技术中,一般的抛光液传输方案是将抛光液通过抛光液传送管道在压力的作用下传输到抛光盘上的接近中心位置的几个点,抛光过程中抛光盘做旋转运动,在抛光离心力的作用下,抛光液沿着抛光垫上的沟槽从中心逐渐被甩开到整个抛盘上,但是多数抛光液在没有被利用之前就甩到了抛光盘的外周流走,抛光液的利用率不高,抛光设备的抛光成本较高。
技术实现思路
1、本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本技术的一个目的在于提出一种抛光设备,该抛
...【技术保护点】
1.一种抛光设备,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于,所述抛光液臂(30)在所述抛光盘(21)的径向上延伸,所述抛光液臂(30)上设置有多个所述气液混合阀(31),多个所述气液混合阀(31)在所述抛光盘(21)的径向上间隔设置。
3.根据权利要求2所述的抛光设备,其特征在于,所述抛光盘(21)上设置有抛头(22),多个所述气液混合阀(31)在所述抛光盘(21)上的投影与所述抛头(22)在所述抛光盘(21)上的投影间隔设置。
4.根据权利要求2所述的抛光设备,其特征在于,所述出口(34)与所述抛光盘(21
...【技术特征摘要】
1.一种抛光设备,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于,所述抛光液臂(30)在所述抛光盘(21)的径向上延伸,所述抛光液臂(30)上设置有多个所述气液混合阀(31),多个所述气液混合阀(31)在所述抛光盘(21)的径向上间隔设置。
3.根据权利要求2所述的抛光设备,其特征在于,所述抛光盘(21)上设置有抛头(22),多个所述气液混合阀(31)在所述抛光盘(21)上的投影与所述抛头(22)在所述抛光盘(21)上的投影间隔设置。
4.根据权利要求2所述的抛光设备,其特征在于,所述出口(34)与所述抛光盘(21)之间形成有混合气液扩散区域(35),所述混合气液扩散区域(35)的横截面积在从所述出口(34)到所述抛光盘(21)的方向上逐渐增大,相邻两个所述气液混合阀(31)的混合气液扩散区域(35)至少部分地相互交错设置。
5.根据权利要求4所述的抛光设备,其特征在于,多个所述混合气液扩散区域(35)在所述抛光盘(21)径向上的长度为l1,所述抛光盘(21)的半径为l2,l1和l2满足关系式:l1≥l2。
6.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于,所述气体进口(32)位于所述气液混合阀(31)的上端,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄家剑,陶秀红,
申请(专利权)人:铭扬半导体科技合肥有限公司,
类型:新型
国别省市:
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