一种降低晶体生长孔洞碳化硅籽晶粘接炉制造技术

本发明专利技术公开了一种降低晶体生长孔洞碳化硅籽晶粘接炉，具体涉及碳化硅籽晶生产技术领域，所述温压粘接组件包括用于密封的上盖，上盖设置在主体的内腔顶部，用于抽真空的抽真空机，抽真空机设置在上盖的顶部。本发明专利技术由各个限位横杆对各个碳化硅骨架进行分梳，通过导流孔的锥形截面聚拢之后导入保温腔体内，同时通过导流孔的锥形截面，使得热温喷出时更具有针对性，以提高碳化硅籽晶和碳化硅骨架粘接时的效率，料架上的各个碳化硅籽晶和碳化硅骨架能够旋转位移并逐个与导流孔聚拢在一起的热温相接触，也方便将吹在碳化硅籽晶和碳化硅骨架上之后的热温牵引至保温腔体内，也方便物料的存取，提高装置在使用时的便捷。提高装置在使用时的便捷。提高装置在使用时的便捷。

【技术实现步骤摘要】
一种降低晶体生长孔洞碳化硅籽晶粘接炉


[0001]本专利技术涉及碳化硅籽晶生产
，更具体地说，本专利技术涉及一种降低晶体生长孔洞碳化硅籽晶粘接炉。

技术介绍

[0002]降低晶体生长孔洞碳化硅籽晶粘接炉，是用于制备碳化硅晶体的设备。在碳化硅晶体的生长过程中，为了获得高质量的晶体，通常需要使用籽晶来引导生长，籽晶是晶体生长的起点，而碳化硅的生长过程中容易产生孔洞，这些孔洞会影响晶体的质量和性能。降低晶体生长孔洞的方法之一就是使用粘接炉。粘接炉可以将籽晶与待生长的晶体粘接在一起，以减少孔洞的形成。在粘接炉中，籽晶和待生长的晶体会经过高温处理，将两者粘接在一起形成一个整体，使得生长过程中的孔洞减少，通过降低晶体生长孔洞，可以提高碳化硅晶体的质量和完整度，进而提高晶体的性能和可用性。
[0003]其中，经检索发现，专利申请号CN201921312703.2的专利公开了一种三工位降低晶体生长孔洞碳化硅籽晶粘接炉，包括具有中空腔体的主体、设于中空腔体中的托盘、三个设于托盘上表面的用于承载工件的下加热盘、可上下活动的设于中空腔体中的且位于托盘上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低晶体生长孔洞碳化硅籽晶粘接炉，包括用于支撑的主体（1），其特征在于：所述主体（1）上设置有温压粘接组件；所述温压粘接组件包括：用于密封的上盖（101），所述上盖（101）设置在主体（1）的内腔顶部；用于抽真空的抽真空机（102），所述抽真空机（102）设置在上盖（101）的顶部，所述抽真空机（102）的一端贯穿上盖（101）并延伸至上盖（101）的底部 ；用于保温的保温腔体（2），所述保温腔体（2）设置在上盖（101）的底部，所述保温腔体（2）与主体（1）通过螺栓可拆卸连接；用于加热的加热腔（201），所述加热腔（201）设置在保温腔体（2）的一侧；能够旋转的限位框（202），所述限位框（202）设置在保温腔体（2）的顶部，所述限位框（202）与上盖（101）活动连接；能够旋转的转盘（203），所述转盘（203）设置在限位框（202）的底部，所述转盘（203）与主体（1）活动连接；用于碳化硅骨架放置的料架（204），所述料架（204）设置在转盘（203）和限位框（202）之间。2.根据权利要求1所述的一种降低晶体生长孔洞碳化硅籽晶粘接炉，其特征在于：所述温压粘接组件还包括：若干个用于限位的拉杆（103），且各所述拉杆（103）分别设置在上盖（101）的外侧，多个所述拉杆（103）的顶部均延伸至主体（1）上并与主体（1）可拆卸连接；用于编程的控制器（104），所述控制器（104）设置在主体（1）的表面一侧；用于控制的控制板（105），所述控制板（105）设置在控制器（104）上。3.根据权利要求2所述的一种降低晶体生长孔洞碳化硅籽晶粘接炉，其特征在于：所述温压粘接组件还包括：能够开关的柜门（106），所述柜门（106）设置在控制板（105）的一侧，所述柜门（106）与主体（1）通过合页活动连接，且柜门（106）和主体（1）之间设置有密封圈；用于托垫的托板（107），所述托板（107）设置在柜门（106）的底部。4.根据权利要求1所述的一种降低晶体生长孔洞碳化硅籽晶粘接炉，其特征在于：所述温压粘接组件还包括：用于限位的连接板（205），所述连接板（205）设置在转盘（203）...

【专利技术属性】
技术研发人员：王毅，靳丽岩，师开鹏，王殿，王宏杰，郭帝江，
申请(专利权)人：山西第三代半导体技术创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：