【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,更具体地说,本专利技术涉及一种新型沟槽碳化硅芯片结构及制备方法。
技术介绍
1、碳化硅材料因其独特的物理性质,成为制造高温、高频、大功率、高压器件的首选材料,其特性包括禁带宽度大、优异的热导率、高电子饱和迁移速率以及超强的击穿电场,由于这些出色的性能,sic器件在电子器件领域的多个极端环境中,如高温、高压、高频和大功率环境,以及航天、军工、核能等应用场合,都展现出无可比拟的优越性,它有效地弥补了传统半导体材料在实际应用中的不足,已经确立为功率半导体未来的发展方向。
2、经检索,公告号为cn116314340a的中国专利公开一种沟槽型碳化硅mosfet器件及其制备方法,该方案中的p型屏蔽区在器件反向耐压时对器件的栅极有良好的屏蔽作用,提高了栅氧可靠性,使得器件的击穿电压得到提高,同时器件结构中的p型埋层区通过离子注入的形式形成,设置于p型屏蔽区下方以及纵向沟槽的下方,伸入到n型外延层中,增加了n型外延层的横向耗尽,使得在设计器件时可以选用较高浓度的n型外延层,显著降低了器件的导通电阻。
3、另
...【技术保护点】
1.一种新型沟槽碳化硅芯片结构,其特征在于:新型沟槽碳化硅芯片结构包括从下而上依次设置的背面加厚金属(1)、欧姆接触金属(2)、碳化硅衬底(3)和碳化硅外延层(4),所述碳化硅外延层(4)顶部设置有伸入碳化硅外延层(4)的P型注入区(5)、P型主结(6)和沟槽(7)以及沟槽(7)下方的P型场限环(8),其中,P型场限环(8)的深度是变化的,所述P型场限环(8)之间的间距是变化的,所述碳化硅外延层(4)上有覆盖部分P型主结(6)和全部P型场限环(8)的场氧层(9),且场氧层(9)填充到了碳化硅外延层(4)的沟槽(7)中,所述碳化硅外延层(4)上设置有覆盖全部P型注入区(
...【技术特征摘要】
1.一种新型沟槽碳化硅芯片结构,其特征在于:新型沟槽碳化硅芯片结构包括从下而上依次设置的背面加厚金属(1)、欧姆接触金属(2)、碳化硅衬底(3)和碳化硅外延层(4),所述碳化硅外延层(4)顶部设置有伸入碳化硅外延层(4)的p型注入区(5)、p型主结(6)和沟槽(7)以及沟槽(7)下方的p型场限环(8),其中,p型场限环(8)的深度是变化的,所述p型场限环(8)之间的间距是变化的,所述碳化硅外延层(4)上有覆盖部分p型主结(6)和全部p型场限环(8)的场氧层(9),且场氧层(9)填充到了碳化硅外延层(4)的沟槽(7)中,所述碳化硅外延层(4)上设置有覆盖全部p型注入区(5),且延伸到部分场氧层(9)上的肖特基接触金属(10),所述肖特基接触金属(10)上设置有正面加厚金属(11),所述场氧层(9)上设置有延伸到部分正面加厚金属(11)上的无机钝化层(12),所述无机钝化层(12)上设置有有机钝化层(13),所述碳化硅衬...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘文清,张霍,李晓波,吴书旋,邓转龙,
申请(专利权)人:山西第三代半导体技术创新中心有限公司,
类型:发明
国别省市:
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