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本发明公开了一种新型沟槽碳化硅芯片结构及制备方法，具体涉及半导体技术领域，包括从下而上依次设置的背面加厚金属、欧姆接触金属、碳化硅衬底和碳化硅外延层。本发明提出的深度渐变的沟槽型场限环结构可以在不增加终端面积的情况下，通过变更场限环的深度，...
该专利属于山西第三代半导体技术创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西第三代半导体技术创新中心有限公司授权不得商用。

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