【技术实现步骤摘要】
一种光电器件及其制备方法、显示装置
[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种光电器件及其制备方法、显示装置。
技术介绍
[0002]量子点电致光电器件(QLED)是由顶电极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和底电极构成的多功能层复合结构，当受到电或光刺激时，底电极产生的空穴和顶电极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。QLED由于其具有发射波长可调、发射带宽窄、发光效率高、低成本及可利用印刷工艺制备等优点，得到越来越多的关注。
[0003]但量子点属于N型半导体材料，更有利于电子传输及复合，而目前电子传输层材料的电子传输性能也大于空穴传输层材料的空穴传输性能，进一步导致光电器件中电子和空穴的传输不平衡，从而影响光电器件的性能和稳定性。
[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
[0005]有鉴于此，本申请提供一种光电器件及其制备方法、显示装置，旨在提高光电器件的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光电器件，其特征在于，包括层叠设置的底电极、发光层及顶电极，所述发光层至少一侧表面设置有分子掺杂剂；其中，所述分子掺杂剂为氟原子取代的TCNQ、氟原子取代的TCNQ衍生物、氟原子取代的TCNNQ或氟原子取代的TCNNQ衍生物。2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述分子掺杂剂为1
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10个氟原子取代的TCNQ、1
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10个氟原子取代的TCNQ的衍生物、1
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10个氟原子取代的TCNNQ或1
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10个氟原子取代的TCNNQ的衍生物。3.根据权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述分子掺杂剂为F1TCNQ、F2TCNQ、F4TCNQ、F6TCNNQ中的至少一种。4.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述发光层中每一侧表面设置的所述分子掺杂剂的掺杂量与所述发光层表面的面积之比的范围为20μg/cm2‑
50μg/cm2。5.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述底电极或所述顶电极为阴极，所述发光层靠近所述阴极一侧表面设置有分子掺杂剂。6.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件包括电子传输层；所述底电极或所述顶电极为阴极，所述电子传输层设置在所述发光层与所述阴极之间。7.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件包括空穴功能层；所述底电极或所述顶电极为阳极，所述空穴功能层设置在所述发光层与所述阳极之间。8.根据权利要求7所述的光电器件，其特征在于，所述空穴功能层包括空穴传输层和/或空穴注入层；所述空穴功能层包括空穴传输层和空穴注入层时，所述空穴注入层靠近所述阳极一侧设置。9.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述发光层为蓝色量子点发光层，所述蓝色量子点发光层的材料包括II
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VI族化合物、III
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V族化合物和I
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III
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VI族化合物中的至少一种；所述II
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VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中的至少一种；所述III
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V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP以及InAlNP；所述I
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III
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VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的至少一种；和/或所述底电极选自金属电极、硅碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述硅碳电极的材料选自硅、石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的至少一种；和/或所述顶电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁文林，吴龙佳，林雄风，邓徐俊，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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