发光二极管及显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种发光二极管及显示装置。所述发光二极管包括层叠设置的阳极、发光层、电子传输层、界面修饰层及阴极，所述界面修饰层中包含蒽醌类化合物，所述电子传输层中包含金属氧化物颗粒。所述蒽醌类化合物中的O可以与所述金属氧化物颗粒表面的氧空位形成稳定的配位，可以有效地减少金属氧化物颗粒表面的氧空位，使电子可以快速通过，从而提高电子传输层的电导率，并降低阴极与电子传输层之间的功函数，进而降低电子传输层与阴极之间的势垒，使阴极与电子传输层之间具有更好的能级对齐，从而以有利于电子从阴极进入电子传输层中，进而提高电子传输层的电子传输效率，提高发光二极管的发光效率，并降低发光二极管的开启电压。压。压。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种发光二极管及包括所述发光二极管的显示装置。

技术介绍

[0002]目前广泛使用的发光二极管为有机发光二极管(OLED)和量子点发光二极管(QLED)。传统的OLED和QLED器件结构一般包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极。在电场的作用下，发光器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
[0003]现有的发光二极管的电子传输层材料主要采用金属氧化物纳米颗粒，如ZnO、TiO2、SnO2等。金属氧化物纳米颗粒具有较优的电子传输性能，可以有效地提升发光二极管的发光效率。
[0004]然而，众所周知，金属氧化物纳米颗粒均具有固有的表面缺陷，使得电子传输层与阴极之间的界面存在严重的电荷势垒，导致电子传输效率低下；此外，氧空位是金属氧化物表面的主要缺陷，氧空位会作为电子陷阱诱导激子复合，而降低发光二极管的效率。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请提供一种发光二极管，旨在提高现有的发光二极管的发光效率。
[0006]本申请实施例是这样实现的，一种发光二极管，包括层叠设置的阳极、发光层、电子传输层、界面修饰层及阴极，所述界面修饰层中包含蒽醌类化合物，所述电子传输层中包含金属氧化物颗粒。
[0007]可选的，在本申请的一些实施例中，所述界面修饰层的材料由蒽醌类化合物组成，所述电子传输层的材料由金属氧化物颗粒组成。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，所述蒽醌类化合物选自蒽醌、蒽酚、蒽酮、蒽醌衍生物、蒽酚衍生物及蒽酮衍生物中的至少一种。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，所述蒽醌衍生物具有式(1)所示的结构：
[0010][0011]其中，n1、n2分别独立选自1、2、3或4；
[0012]R1、R2每次出现分别独立选自氢、氘、或具有1至20个C原子的直链烷基、或具有1至20个C原子的直链烷氧基、或具有1至20个C原子的直链硫代烷氧基、或具有3至20个C原子的支链烷基、或具有3至20个C原子的支链烷氧基、或具有3至20个C原子的支链硫代烷氧基、或
具有3至20个C原子的环状烷基、或具有3至20个C原子的环状烷氧基、或具有3至20个C原子的环状硫代烷氧基、或甲硅烷基、或具有1至20个C原子的酮基、或具有2至20个C原子的烷氧基羰基、或具有7至20个C原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基、胺基、
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CF3、
‑
Cl、
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Br、
‑
F、
‑
I、或具有2至20个C原子的烯烃基、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳香基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳香基团、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳氧基基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳氧基基团，或这些基团的组合；
[0013]所述n1个R1及n2个R2中至少有一个不选自氢。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述蒽酚衍生物具有式(2)所示的结构：
[0015][0016][0017]其中，n3、n4分别独立选自1、2、3或4；
[0018]R3、R4每次出现分别独立选自氢、氘、或具有1至20个C原子的直链烷基、或具有1至20个C原子的直链烷氧基、或具有1至20个C原子的直链硫代烷氧基、或具有3至20个C原子的支链烷基、或具有3至20个C原子的支链烷氧基、或具有3至20个C原子的支链硫代烷氧基、或具有3至20个C原子的环状烷基、或具有3至20个C原子的环状烷氧基、或具有3至20个C原子的环状硫代烷氧基、或甲硅烷基、或具有1至20个C原子的酮基、或具有2至20个C原子的烷氧基羰基、或具有7至20个C原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基、胺基、
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CF3、
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Cl、
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Br、
‑
F、
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I、或具有2至20个C原子的烯烃基、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳香基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳香基团、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳氧基基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳氧基基团，或这些基团的组合；
[0019]所述n3个R3及n4个R4中至少有一个不选自氢。
[0020]可选的，在本申请的一些实施例中，所述蒽酮衍生物具有式(3)所示的结构：
[0021][0022]其中，n5、n6分别独立选自1、2、3或4；
[0023]R5、R6每次出现分别独立选自氢、氘、或具有1至20个C原子的直链烷基、或具有1至20个C原子的直链烷氧基、或具有1至20个C原子的直链硫代烷氧基、或具有3至20个C原子的支链烷基、或具有3至20个C原子的支链烷氧基、或具有3至20个C原子的支链硫代烷氧基、或具有3至20个C原子的环状烷基、或具有3至20个C原子的环状烷氧基、或具有3至20个C原子的环状硫代烷氧基、或甲硅烷基、或具有1至20个C原子的酮基、或具有2至20个C原子的烷氧基羰基、或具有7至20个C原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、
异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基、胺基、
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CF3、
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Cl、
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Br、
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F、
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I、或具有2至20个C原子的烯烃基、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳香基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳香基团、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳氧基基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳氧基基团，或这些基团的组合；
[0024]所述n5个R5及n6个R6中至少有一个不选自氢。
[0025]可选的，在本申请的一些实施例中，所述n1个R1及n2个R2中包含至少一个O和/或至少一个N；或者
[0026]所述n3个R3及n4个R4中包含至少一个O和/或至少一个N；或者
[0027]所述n5个R5及n6个R6中包含至少一个O和/或至少一个N。
[0028]可选的，在本申请的一些实施例中，所述R1、R2每次出现分别独立选自氢、二氨基烷基、羟基、具有1至20个C原子的直链烷基、具有3至20个C原子的支链烷基中的一种或几种，且所述n1个R1及n2个R2中至少有一个不选自氢；或者
[0029]所述R3、R4每次出现分别独立选自氢、二氨基烷基、羟基、具有1至20个C原子的直链烷基、具有3至20个C原子的支链烷基中的一种或几种，且所述n3个R3及n4个R4中至少有一个不选自氢；或者...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括层叠设置的阳极、发光层、电子传输层、界面修饰层及阴极，其特征在于：所述界面修饰层中包含蒽醌类化合物，所述电子传输层中包含金属氧化物颗粒。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述界面修饰层的材料由蒽醌类化合物组成，所述电子传输层的材料由金属氧化物颗粒组成。3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述蒽醌类化合物选自蒽醌、蒽酚、蒽酮、蒽醌衍生物、蒽酚衍生物及蒽酮衍生物中的至少一种。4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述蒽醌衍生物具有式(1)所示的结构：其中，n1、n2分别独立选自1、2、3或4；R1、R2每次出现分别独立选自氢、氘、或具有1至20个C原子的直链烷基、或具有1至20个C原子的直链烷氧基、或具有1至20个C原子的直链硫代烷氧基、或具有3至20个C原子的支链烷基、或具有3至20个C原子的支链烷氧基、或具有3至20个C原子的支链硫代烷氧基、或具有3至20个C原子的环状烷基、或具有3至20个C原子的环状烷氧基、或具有3至20个C原子的环状硫代烷氧基、或甲硅烷基、或具有1至20个C原子的酮基、或具有2至20个C原子的烷氧基羰基、或具有7至20个C原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基、胺基、
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CF3、
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Cl、
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Br、
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F、
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I、或具有2至20个C原子的烯烃基、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳香基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳香基团、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳氧基基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳氧基基团，或这些基团的组合；所述n1个R1及n2个R2中至少有一个不选自氢。5.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述蒽酚衍生物具有式(2)所示的结构：其中，n3、n4分别独立选自1、2、3或4；R3、R4每次出现分别独立选自氢、氘、或具有1至20个C原子的直链烷基、或具有1至20个C原子的直链烷氧基、或具有1至20个C原子的直链硫代烷氧基、或具有3至20个C原子的支链烷基、或具有3至20个C原子的支链烷氧基、或具有3至20个C原子的支链硫代烷氧基、或具有3至20个C原子的环状烷基、或具有3至20个C原子的环状烷氧基、或具有3至20个C原子的环状硫代烷氧基、或甲硅烷基、或具有1至20个C原子的酮基、或具有2至20个C原子的烷氧基羰
基、或具有7至20个C原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基、胺基、
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CF3、
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Cl、
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Br、
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F、
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I、或具有2至20个C原子的烯烃基、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳香基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳香基团、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳氧基基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳氧基基团，或这些基团的组合；所述n3个R3及n4个R4中至少有一个不选自氢。6.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述蒽酮衍生物具有式(3)所示的结构：其中，n5、n6分别独立选自1、2、3或4；R5、R6每次出现分别独立选自氢、氘、或具有1至20个C原子的直链烷基、或具有1至20个C原子的直链烷氧基、或具有1至20个C原子的直链硫代烷氧基、或具有3至20个C原子的支链烷基、或具有3至20个C原子的支链烷氧基、或具有3至20个C原子的支链硫代烷氧基、或具有3至20个C原子的环状烷基、或具有3至20个C原子的环状烷氧基、或具有3至20个C原子的环状硫代烷氧基、或甲硅烷基、或具有1至20个C原子的酮基、或具有2至20个C原子的烷氧基羰基、或具有7至20个C原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基、胺基、
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CF3、
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Cl、
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Br、
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F、
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I、或具有2至20个C原子的烯烃基、或取代或未取代的环原子数为6至60的芳香基团、或取代或未取代的环原子数为5至60的杂芳香基团、或取代或未取代的环原子数为6...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁文林，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：