复合材料及其制备方法、发光器件及显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种复合材料及其制备方法、发光器件及显示装置，所述制备方法包括步骤：提供包含氧化石墨烯和4

【技术实现步骤摘要】
复合材料及其制备方法、发光器件及显示装置


[0001]本申请涉及光电
，具体涉及一种复合材料及其制备方法、发光器件及显示装置。

技术介绍

[0002]发光器件包括但不限于有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)，发光器件为“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。
[0003]目前，发光器件存在载流子注入不平衡的问题，以QLED为例，QLED的电子注入通常大于空穴注入，造成发光层出现电子积累的现象，从而增大非发光复合的几率(例如俄歇复合)而损失能量，并且部分电子会朝向阳极转移，对发光器件的光电性能和使用寿命造成极为不利的影响，导致发光器件在运作过程中出现性能衰减的问题，例如：发光效率下降、使用寿命缩短等。
[0004]因此，如何改善发光器件的载流子注入不平衡问题，对发光器件的应用与发展具有重要意义。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种复合材料及其制备方法、发光器件及显示装置，以改善因载流子注入不平衡而导致发光器件的发光效率不佳的问题。
[0006]本申请的技术方案如下：
[0007]第一方面，本申请提供了一种复合材料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
[0008]提供包含氧化石墨烯和4
‑
硼苯磺酸的混合物；
[0009]对所述混合物进行热处理，获得所述复合材料。
[0010]进一步地，在所述混合物中，氧化石墨烯：4
‑
硼苯磺酸的质量比为1：(0.05～0.25)。
[0011]进一步地，所述混合物还包括硼酸。
[0012]进一步地，在所述混合物中，氧化石墨烯：硼酸：4
‑
硼苯磺酸的质量比为1：(0.006～0.03)：(0.05～0.25)。
[0013]进一步地，所述混合物的制备方法包括步骤：先将氧化石墨烯和硼酸混合，然后加入4
‑
硼苯磺酸混合，获得所述混合物。
[0014]进一步地，所述热处理是在水热反应釜内进行，且所述热处理的温度为150℃至180℃，所述热处理的时间为5h至8h。
[0015]进一步地，所述制备方法还包括步骤：向所述混合物通入惰性气体；所述惰性气体
选自氮气、氦气、氖气、氩气、氪气或氙气中的至少一种。
[0016]进一步地，所述向所述混合物通入惰性气体的步骤是在80℃至100℃下进行。
[0017]进一步地，在所述对所述混合物进行热处理，获得所述复合材料的步骤之后，所述制备方法还包括步骤：对完成所述热处理的反应物进行固液分离处理，收集沉淀物，所述沉淀物即为提纯的所述复合材料。
[0018]进一步地，所述对完成所述热处理的反应物进行固液分离处理，包括步骤：过滤所述反应物；
[0019]或者，所述对完成所述热处理的反应物进行固液分离处理，包括步骤：向所述反应物中加入沉淀剂，然后过滤或离心，其中，所述沉淀剂选自甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈或正辛烷中的至少一种。
[0020]第二方面，本申请提供了一种复合材料，所述复合材料包括氧化石墨烯，所述氧化石墨烯的表面连接有4
‑
硼苯磺酸。
[0021]进一步地，所述复合材料是采用如第一方面中任意一种所述的制备方法制得。
[0022]第三方面，本申请提供了一种发光器件，包括：
[0023]阳极；
[0024]阴极，与所述阳极相对设置；
[0025]发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
[0026]电子阻挡层，设置于所述发光层与所述阳极之间；
[0027]其中，所述电子阻挡层的材料包括如第一方面中任意一种所述的制备方法制得的复合材料；或者，所述电子阻挡层的材料包括如第二方面中任意一种所述的复合材料。
[0028]进一步地，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点；
[0029]其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
[0030]所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机
‑
无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述量子点的组分选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族化合物或I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，其中，所述II
‑
VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV
‑
VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种；
[0031]和/或，所述阳极和所述阴极的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物中的至少一种，其中，所述金属选自Al、Ag本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：提供包含氧化石墨烯和4
‑
硼苯磺酸的混合物；对所述混合物进行热处理，获得所述复合材料。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述混合物中，氧化石墨烯：4
‑
硼苯磺酸的质量比为1：(0.05～0.25)。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合物还包括硼酸。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述混合物中，氧化石墨烯：硼酸：4
‑
硼苯磺酸的质量比为1：(0.006～0.03)：(0.05～0.25)。5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述混合物的制备方法包括步骤：先将氧化石墨烯和硼酸混合，然后加入4
‑
硼苯磺酸混合，获得所述混合物。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热处理是在水热反应釜内进行，且所述热处理的温度为150℃至180℃，所述热处理的时间为5h至8h。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括步骤：向所述混合物通入惰性气体；所述惰性气体选自氮气、氦气、氖气、氩气、氪气或氙气中的至少一种。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述向所述混合物通入惰性气体的步骤是在80℃至100℃下进行。9.根据权利要求1至8任一项中所述的制备方法，其特征在于，在所述对所述混合物进行热处理，获得所述复合材料的步骤之后，所述制备方法还包括步骤：对完成所述热处理的反应物进行固液分离处理，收集沉淀物，所述沉淀物即为提纯的所述复合材料。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述对完成所述热处理的反应物进行固液分离处理，包括步骤：过滤所述反应物；或者，所述对完成所述热处理的反应物进行固液分离处理，包括步骤：向所述反应物中加入沉淀剂，然后过滤或离心，其中，所述沉淀剂选自甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈或正辛烷中的至少一种。11.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括氧化石墨烯，所述氧化石墨烯的表面连接有4
‑
硼苯磺酸。12.根据权利要求11所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料是采用如权利要求1至10任一项中所述的制备方法制得。13.一种发光器件，其特征在于，包括：阳极；阴极，与所述阳极相对设置；发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及电子阻挡层，设置于所述发光层与所述阳极之间；其中，所述电子阻挡层的材料包括如权利要求1至11任一项中所述的制备方法制得的复合材料；或者，所述电子阻挡层的材料包括如权利要求11或12所述的复合材料。14.根据权利要求13所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点；其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机
‑
无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述量子点的组分选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族化合物或I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，其中，所述II
‑
VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlP...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄盼宁，芦子哲，黄子健，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：