复合材料及其制备方法、发光器件及其制方法、显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种复合材料及其制备方法、发光器件及其制方法、显示装置。其中，所述复合材料的制备方法，包括：提供包括氧化石墨烯、硼酸和/或硝基苯丙氨酸的混合物；对所述混合物进行第一热处理，所述混合物反应获得所述复合材料。本申请实施例提出的复合材料的制备方法制备的复合材料，被应用至氧电子传输层与阴极电极之间时，通过PN结的控制来调节电子传输层一侧的载流子传输能力，并通过硝基苯丙氨酸中的硝基对氧化锌的电子进行吸引，阴极电极产生的高能粒子都会被复合材料所阻挡，使得整个发光器件的载流子更加平衡，电子传输层结构的完整性，这样能提高发光器件的稳定性，并在一定程度上能提高发光器件的寿命以及性能。度上能提高发光器件的寿命以及性能。度上能提高发光器件的寿命以及性能。

【技术实现步骤摘要】
复合材料及其制备方法、发光器件及其制方法、显示装置


[0001]本申请涉及照明显示
，尤其涉及一种复合材料及其制备方法、发光器件及其制方法、显示装置。

技术介绍

[0002]发光器件包括但不限于有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)，发光器件为“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。
[0003]氧化锌过高的电子迁移率容易造成过多的电子注入，导致发光层出现电子积累的现象，尤其是在有机空穴传输层空穴迁移率较低情况下，空穴的注入不足更是加剧了这种载流子失衡。从而增大非发光复合的几率(例如俄歇复合)而损失能量，并且部分电子会朝向阳极转移，对发光器件的光电性能和使用寿命造成极为不利的影响，导致发光器件在运作过程中出现性能衰减的问题，例如：发光效率下降、使用寿命缩短等。
[0004]因此，如何改善发光器件的载流子注入不平衡问题，对发光器件的应用与发展具有重要意义。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请提供一种复合材料及其制备方法、发光器件及其制方法、显示装置，以改善因载流子注入不平衡而导致发光器件的发光效率不佳的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，第一方面，本申请的实施例提出了一种复合材料的制备方法，包括：
[0007]提供包括氧化石墨烯、硼酸和/或硝基苯丙氨酸的混合物；
[0008]对所述混合物进行第一热处理，所述混合物反应获得所述复合材料。
[0009]可选地，所述混合物包括氧化石墨烯、硼酸和硝基苯丙氨酸时，所述氧化石墨烯、硼酸和硝基苯丙氨酸按质量比计：1：(0.006～0.03)：(0.1～0.5)；或者，
[0010]所述混合物包括氧化石墨烯和硼酸时，所述氧化石墨烯和硼酸按质量比计：1：(0.006～0.03)；或者，
[0011]所述混合物包括氧化石墨烯和硝基苯丙氨酸时，所述氧化石墨烯和硝基苯丙氨酸按质量比计：1：(0.1～0.5)。
[0012]可选地，所述混合物包括氧化石墨烯、硼酸和硝基苯丙氨酸时，所述混合物的制备方法包括：
[0013]先将所述氧化石墨烯和所述硼酸混合反应，再加入所述硝基苯丙氨酸加入混合，得到所述混合物。
[0014]可选地，在所述对所述混合物进行第一热处理的步骤之前，所述制备方法还包括步骤：向所述混合物中通入惰性气体；所述惰性气体选自氮气、氦气、氖气、氩气、氪气或氙气中的至少一种。
[0015]可选地，所述向所述混合物中通入惰性气体的步骤，包括：
[0016]对所述混合物进行第二热处理；
[0017]并在所述第二热处理的过程中向所述混合物中通入所述惰性气体，所述惰性气体的通入时间为30min～60min；所述第二热处理的温度为80℃～100℃。
[0018]可选地，所述第一热处理的温度为150℃～180℃，所述第一热处理的反应时间为5h～8h。
[0019]可选地，所述对所述混合物进行第一热处理，所述混合物反应获得所述复合材料的步骤之后，所述制备方法还包括步骤：对完成所述第一热处理的反应物进行固液分离处理，收集沉淀物，所述沉淀物即为提纯的所述复合材料。
[0020]可选地，所述对完成所述第一热处理的反应物进行固液分离处理，包括步骤：过滤所述反应物；
[0021]或者，所述对完成所述第一热处理的反应物进行固液分离处理，包括步骤：向所述反应物中加入沉淀剂，然后过滤或离心，其中，所述沉淀剂选自甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈或正辛烷中的至少一种。
[0022]第二方面，本申请的实施例提出了一种复合材料，包括氧化石墨烯，所述氧化石墨烯的表面连接有硝基苯丙氨酸，和/或，所述氧化石墨烯中掺杂有硼酸。
[0023]可选地，所述复合材料是采用上述的制备方法制得。
[0024]第三方面，本申请的实施例提出了一种发光器件，包括依次叠设的阳极、发光层、电子调节层和阴极，所述电子调节层的材料包括上述的复合材料的制备方法制得的复合材料，或者，所述电子调节层的材料包括上述的复合材料。
[0025]可选地，所述阳极和所述阴极的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物中的至少一种，其中，所述金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca或Mg中的至少一种；所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种；所述金属氧化物选自氧化铟锡、氟掺杂氧化锡、氧化锡锑、铝掺杂的氧化锌、镓掺杂的氧化锌、铟掺杂的氧化锌或镁掺杂的氧化锌中的至少一种；
[0026]和/或，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点；
[0027]其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
[0028]所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机
‑
无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述量子点的组分选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族化合物或I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，其中，所述II
‑
VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、
GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、I本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括：提供包括氧化石墨烯、硼酸和/或硝基苯丙氨酸的混合物；对所述混合物进行第一热处理，所述混合物反应获得所述复合材料。2.根据权利要求1所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述混合物包括氧化石墨烯、硼酸和硝基苯丙氨酸时，所述氧化石墨烯、硼酸和硝基苯丙氨酸按质量比计：1：(0.006～0.03)：(0.1～0.5)；或者，所述混合物包括氧化石墨烯和硼酸时，所述氧化石墨烯和硼酸按质量比计：1：(0.006～0.03)；或者，所述混合物包括氧化石墨烯和硝基苯丙氨酸时，所述氧化石墨烯和硝基苯丙氨酸按质量比计：1：(0.1～0.5)。3.根据权利要求1所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述混合物包括氧化石墨烯、硼酸和硝基苯丙氨酸时，所述混合物的制备方法包括：先将所述氧化石墨烯和所述硼酸混合反应，再加入所述硝基苯丙氨酸加入混合，得到所述混合物。4.根据权利要求1所述的复合材料的制备方法，其特征在于，在所述对所述混合物进行第一热处理的步骤之前，所述制备方法还包括步骤：向所述混合物中通入惰性气体；所述惰性气体选自氮气、氦气、氖气、氩气、氪气或氙气中的至少一种。5.根据权利要求4所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述向所述混合物中通入惰性气体的步骤，包括：对所述混合物进行第二热处理；并在所述第二热处理的过程中向所述混合物中通入所述惰性气体，所述惰性气体的通入时间为30min～60min；所述第二热处理的温度为80℃～100℃。6.根据权利要求1所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述第一热处理的温度为150℃～180℃，所述第一热处理的反应时间为5h～8h。7.根据权利要求1所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述对所述混合物进行第一热处理，所述混合物反应获得所述复合材料的步骤之后，所述制备方法还包括步骤：对完成所述第一热处理的反应物进行固液分离处理，收集沉淀物，所述沉淀物即为提纯的所述复合材料。8.根据权利要求7所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述对完成所述第一热处理的反应物进行固液分离处理，包括步骤：过滤所述反应物；或者，所述对完成所述第一热处理的反应物进行固液分离处理，包括步骤：向所述反应物中加入沉淀剂，然后过滤或离心，其中，所述沉淀剂选自甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈或正辛烷中的至少一种。9.一种复合材料，其特征在于，包括氧化石墨烯，所述氧化石墨烯的表面连接有硝基苯丙氨酸，和/或，所述氧化石墨烯中掺杂有硼酸。10.根据权利要求9所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料是采用如权利要求1至8任一项中所述的制备方法制得。11.一种发光器件，其特征在于，包括依次叠设的阳极、发光层、电子调节层和阴极，所述电子调节层的材料包括如权利要求1至8任一项所述的复合材料的制备方法制得的复合
材料，或者，所述电子调节层的材料包括权利要求9或10所述的复合材料。12.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述阳极和所述阴极的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物中的至少一种，其中，所述金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca或Mg中的至少一种；所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种；所述金属氧化物选自氧化铟锡、氟掺杂氧化锡、氧化锡锑、铝掺杂的氧化锌、镓掺杂的氧化锌、铟掺杂的氧化锌或镁掺杂的氧化锌中的至少一种；和/或，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点；其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机
‑
无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述量子点的组分选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族化合物或I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，其中，所述II
‑
VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPS...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄盼宁，芦子哲，黄子健，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：