一种适用于光电封装的集成薄膜电路制造技术

本发明专利技术提供一种适用于光电封装的集成薄膜电路，包括衬底片，所述衬底片的上表面设有硅化物层，所述硅化物层的表面设有电容和电阻，所述电容的表面设有金锡焊盘，所述电容包括下电极、介电层和上电极，所述下电极与硅化物层连接，所述介电层位于下电极和上电极之间，所述上电极与金锡焊盘连接并与所述金锡焊盘一体成型；本发明专利技术具有以下有益效果：本发明专利技术中电阻的电极层和电容的下电极的下面均为硅化物层，该硅化物层作为应力缓冲层，即使出现微裂纹也不会损伤电阻和电容元器件，电容置于金锡焊盘下面，金锡焊盘是芯片贴合用的，所以压力会分散在整个焊盘上，平面压力对金锡焊盘无损伤，从而不会造成电容破坏，避免了造成电阻和电容漏电的现象。阻和电容漏电的现象。阻和电容漏电的现象。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于光电封装的集成薄膜电路


[0001]本专利技术涉及硅基集成薄膜电路
，特别是涉及一种适用于光电封装的集成薄膜电路。

技术介绍

[0002]薄膜集成电路是指通过蒸发、溅射、光刻、电镀以及刻蚀等薄膜工艺在电路基片上集成无源元件如电阻、电感和电容等电路元件，与厚膜集成电路相比，薄膜集成电路的优点是所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好，并且集成度较高、尺寸较小。因此，薄膜集成电路的用量越来越大，光电封装逐渐大量使用硅基集成薄膜电路，硅基集成充分利用了成熟的半导体工艺，可以方便，低成本，高精度的集成微带线，通孔，金锡，电阻，电容，电感等元件，硅基电容经常是上下电极加介电层的MIM结构，中间介电层厚度在纳米或者微米量级，在光电封装中经常用打线进行电极连接，或者夹具用探针和薄膜电路硬接触，如果打线在硅电容或者电阻的电极上，经常因应力损伤介电薄膜，会造成漏电或者可靠性问题。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种适用于光电封装的集成薄膜电路，用于解决现有技术中经常因打线产生的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于光电封装的集成薄膜电路，包括衬底片，其特征在于：所述衬底片的上表面设有硅化物层，所述硅化物层的表面设有电容和电阻，所述电容的表面设有金锡焊盘，所述电容包括下电极、介电层和上电极，所述下电极与硅化物层连接，所述介电层位于下电极和上电极之间，所述上电极与金锡焊盘连接并与所述金锡焊盘一体成型，所述上电极和下电极均通过连接线连接有设于硅化物层上的电容打线盘，所述电阻包括电阻层和电极层，所述电阻层位于电极层的上表面，所述电极层与硅化物层连接，且所述电极层通过导线连接有设于硅化物层上的电阻打线盘。2.根据权利要求1所述的一种适用于光电封装的集成薄膜电路，其特征在于：所述衬底片为硅片、砷化镓、蓝宝石或者氮化铝陶瓷中的一种。3.根据权利要求1所述的一种适用于光电封装的集成薄膜电...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐建卫，汪鹏，
申请(专利权)人：上海矽安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：