快速调整碳化硅切割角度的方法技术

一种快速调整碳化硅切割角度的方法，涉及碳化硅技术领域，其能够快速调整碳化硅切割角度的方法是通过晶体定向后得到的上垂线方向，对切割装载后晶体X和Y轴进行有意向的精确调整，从而达到客户需要的角度要求；并且，无论晶体角度多大，均可按照此方法对其进行调整，从而使切割后的晶圆角度可控精度，以达到客户需要的角度要求。所述快速调整碳化硅切割角度的方法中，待切割的晶体装载到切割设备时，需要将上垂线与切割线网平行，平边对面为线网开始切割方向，SI面朝外，使用千分表进行端面打表；降低角度的操作过程包括：晶体X轴角度降低和晶体X、Y轴角度同时降低；增大角度的操作过程包括：晶体X轴角度增大和晶体X、Y轴角度同时增大。大。大。

【技术实现步骤摘要】
快速调整碳化硅切割角度的方法


[0001]本专利技术涉及碳化硅
，尤其涉及一种快速调整碳化硅切割角度的方法。

技术介绍

[0002]目前，碳化硅晶圆的角度是重中之重，一直是下游外延的比较关注点。碳化硅晶体完成定向加工后，成为所需要的晶体角度，端面测量角度时，垂直于平边直线简称中垂线，衍射峰值箭头直线简称上垂线（如图1所示），此时定向仪测量晶体角度为X轴方向角度；为了方便快速准确调整到需要的切割后角度，待切割的晶体装载到切割设备时，需要将上垂线与切割线网平行（如图2所示），平边对面为开始切割方向，SI面朝外，使用千分表进行端面打表。实际操作中，上一锯切割后角度存在误差，需要降低角度时，将对应的晶体轴向增加或降低相应的高度，特别是双轴向同时调整，需要严格对应位置且调整高度要一一对应；同理，增加角度时，将对应的晶体轴向降低或增加相应的高度。
[0003]换言之，现在使用的切割角度调整方法，是对端面进行打表，将端面控制竖直水平，即上下、左右基本控制在0
′
，无法对其精确调整；如果需要改变角度时，需要在上一道晶体定向加工工序提前将晶体角度增大或减小。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种快速调整碳化硅切割角度的方法，其能够快速调整碳化硅切割角度的方法是通过晶体定向后得到的上垂线方向，对切割装载后晶体X轴和Y轴进行有意向的精确调整，从而达到客户需要的角度要求；并且，无论晶体角度多大，均可按照此方法对其进行调整，从而使切割后的晶圆角度可控精度，以达到客户需要的角度要求。
[0005]为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种快速调整碳化硅切割角度的方法，待切割的晶体装载到切割设备时，需要将上垂线与切割线网平行，平边对面为线网开始切割方向，SI面朝外，使用千分表进行端面打表；降低角度的操作过程包括：晶体X轴角度降低和晶体X、Y轴角度同时降低；晶体X轴角度降低时，上垂线指向左侧方向，降低角度切割时需要右侧增加相应高度，也即右边抬高；晶体X、Y轴角度同时降低时，上垂线指向左侧方向，且偏向第三象限，降低角度切割时需要下面降低相应高度同时右侧增加相应高度，也即下边降低和右边抬高；上垂线指向左侧方向，且偏向第二象限，降低角度切割时需要下面和右侧增加相应高度，也即下边和右边抬高；增大角度的操作过程包括：晶体X轴角度增大和晶体X、Y轴角度同时增大；晶体X轴角度增大时，上垂线指向左侧方向，增大角度切割时需要左侧增加相应高度，也即左边抬高；晶体X、Y轴角度同时增大时，上垂线指向左侧方向，且偏向第三象限，增大角度切
割时需要下面增加相应高度同时右侧降低相应高度，也即下边抬高和右边降低；上垂线指向左侧方向，且偏向第二象限，增大角度切割时需要下面和右侧降低相应高度，也即下边和右边降低。
[0006]相对于现有技术，本专利技术所述的快速调整碳化硅切割角度的方法具有以下优势：本专利技术提供的快速调整碳化硅切割角度的方法，能够精准定位角度调整，保证了切割后晶圆角度，减少了因角度偏差造成的资源浪费；并且，无论晶体角度多大，均可按照此方法对其进行调整，使切割的晶圆角度可控精度，达到客户需要的角度要求。
附图说明
[0007]图1为现有技术中碳化硅切割角度的第一结构示意图；图2为现有技术中碳化硅切割角度的第二结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的快速调整碳化硅切割角度的第一结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的快速调整碳化硅切割角度的第二结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的快速调整碳化硅切割角度的第三结构示意图。
实施方式
[0008]为了便于理解，下面结合说明书附图，对本专利技术实施例提供的快速调整碳化硅切割角度的方法进行详细描述。
[0009]本专利技术实施例提供一种快速调整碳化硅切割角度的方法，待切割的晶体装载到切割设备时，需要将上垂线与切割线网平行（如图2所示），平边对面为线网开始切割方向，SI面朝外，使用千分表进行端面打表；降低角度的操作过程包括：晶体X轴角度降低和晶体X、Y轴角度同时降低；晶体X轴角度降低时，上垂线指向左侧方向，降低角度切割时需要右侧增加相应高度，也即右边抬高（如图3所示）；晶体X、Y轴角度同时降低时，上垂线指向左侧方向，且偏向第三象限（如图4所示），降低角度切割时需要下面降低相应高度同时右侧增加相应高度，也即下边降低和右边抬高；上垂线指向左侧方向，且偏向第二象限（如图4所示），降低角度切割时需要下面和右侧增加相应高度，也即下边和右边抬高；增大角度的操作过程包括：晶体X轴角度增大和晶体X、Y轴角度同时增大；晶体X轴角度增大时，上垂线指向左侧方向，增大角度切割时需要左侧增加相应高度，也即左边抬高（如图5所示）；晶体X、Y轴角度同时增大时，上垂线指向左侧方向，且偏向第三象限（如图4所示），增大角度切割时需要下面增加相应高度同时右侧降低相应高度，也即下边抬高和右边降低；上垂线指向左侧方向，且偏向第二象限（如图4所示），增大角度切割时需要下面和右侧降低相应高度，也即下边和右边降低。
[0010]相对于现有技术，本专利技术实施例所述的快速调整碳化硅切割角度的方法具有以下优势：本专利技术实施例提供的快速调整碳化硅切割角度的方法，能够精准定位角度调整，保证了切割后晶圆角度，减少了因角度偏差造成的资源浪费；并且，无论晶体角度多大，均
可按照此方法对其进行调整，使切割的晶圆角度可控精度，达到客户需要的角度要求。
[0011]此处需要补充说明的是，使用千分表对端面打表时，行程、需要调整偏角度及高度存在关系如下表：需调整的偏角角度行程mm高度差μm行程mm高度差μm行程mm高度差μm1
′
5015601870212
′
5029603570413
′
5044605270614
′
5058607070815
′
50736087701026
′
508760105701227
′
5010260122701438
′
5011660140701639
′
50131601577018310
′
501456017570204备注：上表中行程（左列）对应高度差（右列）。
[0012]综上所述，本专利技术实施例提供的快速调整碳化硅切割角度的方法主要具有以下几点优势：一、能够确定晶体内部结构和角度朝向；二、能够精确定位调整晶体位置；三、能够精确定位调整晶体方向；四、无论晶体角度多大，均能够进行调整，以达到客户要求的角度；五、能够减轻上道工序的压力。
[0013]以上所述，仅为本专利技术的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快速调整碳化硅切割角度的方法，其特征在于， 待切割的晶体装载到切割设备时，需要将上垂线与切割线网平行，平边对面为线网开始切割方向，SI面朝外，使用千分表进行端面打表；降低角度的操作过程包括：晶体X轴角度降低和晶体X、Y轴角度同时降低；晶体X轴角度降低时，上垂线指向左侧方向，降低角度切割时需要右侧增加相应高度，也即右边抬高；晶体X、Y轴角度同时降低时，上垂线指向左侧方向，且偏向第三象限，降低角度切割时需要下面降低相应高度同时右侧增加相应高度，也即下边降低和右边抬高；上垂线指向左侧方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凯辉，郑向光，崔景光，赵伟帅，刘少华，高彦静，
申请(专利权)人：河北同光半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：