【技术实现步骤摘要】
本申请属于晶体加工，具体涉及一种晶体正交角度偏差调整方法。
技术介绍
1、单晶晶体材料是由结晶物质构成的固体材料，其所含的原子、离子、分子或基团等具有周期性的规则排列和平移对称性，且其在尖端科学技术中有广泛的应用。
2、碳化硅晶体是六方晶系的单晶晶体，在其加工过程中，需要对其正交角度偏差进行测量和调整。具体的：六方晶系的指数如图1所示；在特定晶体的加工过程中，(0001)面的法线是需要偏向方向的；在(0001)面的法线没有偏向方向时，其与方向会形成一个夹角(也就是这根法线和方向在晶锭表面的投影形成了一个夹角)，这个夹角便是正交角度偏差。
3、现有的正交角度偏差调整方式较为传统，是先检测和计算得出正交角度，后通过切割晶体的方式来改变多组变量，最终达到调整正交角度偏差的技术目的；其中，正交角度的检测方法包括：定义图1中方向为x轴，平行于于方向为y轴，即y轴平行于晶面；此时，只要测得x轴、y轴方向的偏角度，就能够根据公式计算出正交角度。
4、例如：在x轴角度为4°、y轴角度为0.14°时，正交角度为2°；在x轴角度为4°、y轴角度为0.35°时，正交角度为5°；也就是说，在计算正交角度时，变量便是前述的x轴角度和y轴角度。
5、专利技术人发现，现有的正交角度偏差调整方式过于复杂，通常需要多轮的计算和反复的切割，不仅降低了正交角度偏差的调整效率，还存在因切割操作不当而引起的主体表面不平的隐患，造成晶体质量下降的意外状况。
技术实现思路
1、本
2、为实现上述目的，本申请采用的技术方案是：
3、提供一种晶体正交角度偏差调整方法，适用于某一晶向偏向于特定方向的晶体，定义所述晶向为<0001>、所述特定方向为所述晶体正交角度偏差调整方法包括以下步骤：
4、(1)固定寻峰检测工装至定向仪的工作台上；
5、(2)将所述晶体放置在所述寻峰检测工装上，以使所述晶体的上表面朝上，并且通过固定所述晶体的柱面的方式来限制所述晶体移动；
6、(3)沿所述柱面的周向旋转所述晶体，同时通过所述定向仪进行寻峰测量，以得到方向所对应的位置；
7、(4)在所述晶体上标记平行于面的平行线段，并在所述平行线段的一端标记箭头；
8、(5)调节所述晶体位置，以使所述晶体的柱面朝上，并且通过固定所述晶体的上侧面的方式来限制所述晶体移动；同时，使所述箭头指向所述定向仪射线发出的方向；
9、(6)测量所述晶体上表面的偏角度，将其定义为y轴角度，并区分正负号；
10、(7)准备与所述y轴角度相适配的粘接台；
11、(8)将所述晶体的上表面朝下固定在所述粘接台上，并根据所述y轴角度的正负、所述箭头方向与所述粘接台进行匹配；
12、当所述y轴角度为正值时，所述箭头指向所述粘接台的上端；当所述y轴角度为负值时，所述箭头指向所述粘接台的底端；
13、(9)通过平磨设备对所述晶体的下表面进行加工，以使加工面的y轴角度达到预期值；
14、(10)重复执行所述步骤(2)至所述步骤(6)：
15、在所述加工面的y轴角度不满足正交角度要求时，重复执行所述步骤(7)至所述步骤(9)；
16、在所述加工面的y轴角度满足正交角度要求时，结束调整。
17、在一种可能的实现方式中，在所述步骤(2)中，通过固定安装在所述定向仪上的吸盘来固定所述晶体。
18、本申请实施例中，通过对y轴角度的测定来完成对正交角度偏差的调整，减少了调整步骤，提高了调整效率。
19、本实施例提供的晶体正交角度偏差调整方法，与现有技术相比，由于无需对正交角度进行检测和调节，因此确保正交角度检测准确性的同时，简化操作步骤、减少晶体表面操作次数、降低对设备精度的依赖，并且提高正交角度偏差调整效率。
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1.晶体正交角度偏差调整方法，适用于某一晶向偏向于特定方向的晶体，定义所述晶向为<0001>、所述特定方向为<1120>；其特征在于，所述晶体正交角度偏差调整方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的晶体正交角度偏差调整方法，其特征在于，包括：在所述步骤(2)中，通过固定安装在所述定向仪上的吸盘来固定所述晶体。
【技术特征摘要】
1.晶体正交角度偏差调整方法，适用于某一晶向偏向于特定方向的晶体，定义所述晶向为<0001>、所述特定方向为<1120>；其特征在于，所述晶体正交角度...
【专利技术属性】
技术研发人员：李永超，郑向光，曹宝红，崔盼兴，刘凯辉，
申请(专利权)人：河北同光半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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