【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体长晶，尤其涉及一种碳化硅单晶的生长方法。
技术介绍
1、碳化硅(sic)作为第三代半导体材料的代表，具有击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强以及优异的物理和化学稳定性，是一种很有前途的大功率、高温和高频器件的半导体材料，在移动通信、新能源汽车、能源互联网和国防军工产业有广阔的应用前景。
2、目前，生长碳化硅单晶的方法一般采用物理气相输运法，具体为使碳化硅原料升华和分解产生的气体生长组分输运至籽晶表面形成过饱和，发生重新结晶，得到面积较大的碳化硅单晶。
3、然而，采用现有技术中生长碳化硅单晶时，会导致初期产生多处生长中心，生长中心在后续的合并过程中会导致单晶出现晶界及位错增殖，这些缺陷会降低晶体的结构完整性和性能。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种碳化硅单晶的生长方法，以解决现有技术中生长的碳化硅单晶的结构完整性和性能降低的问题。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种碳化硅单晶的生长方法，包括：
...【技术保护点】
1.一种碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，所述预设形状的容器为轴对称容器，且所述轴对称容器的轴心比边缘高。
3.根据权利要求2所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，所述预设形状的容器为轴对称且轴心比边缘高的圆锥体容器；
4.根据权利要求3所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，所述圆锥体的锥面与底面的夹角为5°至45°中的任一角度。
5.根据权利要求4所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，
6.根据权利要求1-5中任一项所述的碳化硅单晶的生...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，所述预设形状的容器为轴对称容器，且所述轴对称容器的轴心比边缘高。
3.根据权利要求2所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，所述预设形状的容器为轴对称且轴心比边缘高的圆锥体容器；
4.根据权利要求3所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，所述圆锥体的锥面与底面的夹角为5°至45°中的任一角度。
5.根据权利要求4所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘东峰，郑向光，田越，杨昆，刘新辉，路亚娟，牛晓龙，陈飒，刘谦，闫猛，李扬，
申请(专利权)人：河北同光半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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