温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体长晶技术领域，提供一种碳化硅单晶的生长方法。该方法包括：将第一碳化硅原料放入碳化硅单晶生长容器内，其中，在碳化硅单晶生长容器中的碳化硅原料的上表面为水平面；将第二碳化硅原料放入预设形状的容器内，进行焙烧成型后，设置在第一碳化...
该专利属于河北同光半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北同光半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。