一种碳化硅衬底的清洗方法技术

本发明专利技术公开一种碳化硅衬底的清洗方法。本发明专利技术首先采用双氧水超声浸泡的方法去除陶瓷盘及碳化硅衬底表面残留的抛光液、强吸附性物质和大颗粒，然后采用异丙醇浸泡陶瓷盘及碳化硅衬底，溶解表面和边缘的蜡质，去除表面蜡质的同时减小碳化硅衬底与陶瓷盘间的蜡质的吸附性，进而有利于实现低温下片，避免高温蜡干结增加清洗难度，再进行二次异丙醇溶液加热浸泡去除蜡质，最后采用两步去蜡清洗工艺和超纯水变频超声清洗工艺，实现了碳化硅衬底无死角去除残留物的目的；除此之外，还有效延长了去蜡清洗液的使用寿命，降低了清洗废液的产生量，是一种高效绿色环保的碳化硅衬底的清洗方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种碳化硅衬底的清洗方法。

技术介绍

1、随着中国半导体制造业的不断发展，sic作为第三代半导体材料，在冶金、化工、半导体制造等工业领域中得到了广泛的应用。在sic衬底制备过程中为了达到更好的抛光研磨效果和防止加工过程中sic衬底随意移动导致碎片问题的出现，一般会使用液体蜡将sic衬底固定在陶瓷盘上，然后再进行机械抛光和化学机械抛光。抛光后的sic衬底表面会附着各种杂质、磨抛液、蜡质残留等污染物，污染物的残留会严重影响器件的性能和可靠性。

2、目前，行业内常用的去除sic衬底表面污染物的方法是在化学机械抛光后用水枪冲洗陶瓷盘，高温下片，然后采用去蜡清洗和rca清洗的组合方式进行清洗，这种清洗组合方案对去蜡清洗的温度、清洗能力和清洗液寿命有着较高的要求。高温下片可使蜡质完全熔化，便于sic衬底从陶瓷盘脱离，但是，温度过高容易使蜡质水分损耗过快，从而导致蜡质变干变硬的速度更快。而且，在sic衬底清洗传输过程中多数环节需要卡塞传输，导致了清洗液和sic衬底边缘不能充分接触，从而影响了sic衬底边缘的清洗效果。再者，由本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅衬底的清洗方法，其特征在于，所述碳化硅衬底为经化学机械抛光后的粘附在陶瓷盘上的碳化硅衬底，所述清洗方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的碳化硅衬底的清洗方法，其特征在于，步骤S1中，所述高压水冲洗的冲洗压力为2MPa～3MPa，冲洗时间为3min～6min，冲洗方式为双面旋转冲洗，旋转冲洗时碳化硅衬底与水平面的夹角为45°～90°；和/或

3.如权利要求1所述的碳化硅衬底的清洗方法，其特征在于，步骤S1中，所述异丙醇溶液为体积比1:2～2:5的异丙醇和水的混合溶液；和/或

4.如权利要求1所述的碳化硅衬底的清洗方法，其特征在于，步骤S...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅衬底的清洗方法，其特征在于，所述碳化硅衬底为经化学机械抛光后的粘附在陶瓷盘上的碳化硅衬底，所述清洗方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的碳化硅衬底的清洗方法，其特征在于，步骤s1中，所述高压水冲洗的冲洗压力为2mpa～3mpa，冲洗时间为3min～6min，冲洗方式为双面旋转冲洗，旋转冲洗时碳化硅衬底与水平面的夹角为45°～90°；和/或

3.如权利要求1所述的碳化硅衬底的清洗方法，其特征在于，步骤s1中，所述异丙醇溶液为体积比1:2～2:5的异丙醇和水的混合溶液；和/或

4.如权利要求1所述的碳化硅衬底的清洗方法，其特征在于，步骤s2中，所述超声浸泡的功率为60khz～100khz，超声浸泡的时间为12min～36min，超声浸泡的温度为50℃～60℃。

5.如权利要求1或4所述的碳化硅衬底的清洗方法，其特征在于，步骤s2中，超声浸泡过程中每隔3min～6min，绕碳化硅衬底ι的中轴线旋转60°～90°。

6.如权利要求1所述的碳化硅衬底的清洗方法，其特征在于，步骤s3中，所述去蜡水包括如下质量百分含量的组分：脂...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔景光，郑向光，汤欢，
申请(专利权)人：河北同光半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：