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本发明公开一种碳化硅衬底的清洗方法。本发明首先采用双氧水超声浸泡的方法去除陶瓷盘及碳化硅衬底表面残留的抛光液、强吸附性物质和大颗粒，然后采用异丙醇浸泡陶瓷盘及碳化硅衬底，溶解表面和边缘的蜡质，去除表面蜡质的同时减小碳化硅衬底与陶瓷盘间的蜡质...
该专利属于河北同光半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北同光半导体股份有限公司授权不得商用。

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