一种内涂硅胶型压敏电阻及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种内涂硅胶型压敏电阻及其制备方法，涉及压敏电阻制备技术领域，其中包括陶瓷芯片，陶瓷芯片的侧部附着银电极，且银电极的表面设有锡焊片，锡焊片内部焊接有引线，焊接引线的外部包覆有环氧树脂，且环氧树脂是芯片焊接后内涂在陶瓷芯片外表面，陶瓷芯片内表面设置内涂硅胶。本发明专利技术采用压敏电阻焊接后内涂硅胶能够有效起到隔绝作用，防止环氧树脂碳化使得压敏电阻电性能下降，同时内涂硅胶具有较强导热能力和绝缘耐压特性，可以提升电阻的抗雷击浪涌能力，延长电阻的使用寿命，在内涂硅胶和环氧树脂的双层保护下，使得压敏电阻在电路中有一个稳定的工作环境，避免因芯片失效击穿使得整个电路被烧毁的隐患。片失效击穿使得整个电路被烧毁的隐患。片失效击穿使得整个电路被烧毁的隐患。

【技术实现步骤摘要】
一种内涂硅胶型压敏电阻及其制备方法


[0001]本专利技术涉及压敏电阻制备
，特别涉及一种内涂硅胶型压敏电阻及其制备方法。

技术介绍

[0002]压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。
[0003]一般压敏电阻是由芯片经焊接包封制备的电阻体，电阻在电路中经受多次雷击浪涌冲击后，压敏电阻的产生的高温使得环氧树脂逐步产生了碳化，电阻的漏电流会逐渐变大，压敏电阻工作时会产生大量热量，容易发生击穿和烧毁等失效现象，为此，我们提出一种内涂硅胶型压敏电阻及其制备方法。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种内涂硅胶型压敏电阻及其制备方法，可以解决现有电阻在电路中经受多次雷击浪涌冲击后，压敏电阻的产生的高温使得环氧树脂逐步产生了碳化，电阻的漏电流会逐渐变大，压敏电阻工作时会产生大量热量，容易发生击穿和烧毁等失效现象,可以提升压敏电阻电性能的稳定性和可靠性。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：
[0008]一种内涂硅胶型压敏电阻及其制备方法，包括
[0009]陶瓷芯片，所述陶瓷芯片的侧部附着银电极，且所述银电极的表面设有锡焊片，所述锡焊片内部焊接有引线，所述焊接引线的外部包覆有环氧树脂，且所述环氧树脂是芯片焊接后内涂在陶瓷芯片外表面，所述陶瓷芯片内表面设置内涂硅胶。
[0010]优选的，所述焊接引线为镀锡铜钢包线，所述锡焊片是无铅焊锡材质。
[0011]优选的，所述陶瓷芯片为圆盘结构，所述陶瓷芯片的直径为10mm
‑
25mm。
[0012]一种内涂硅胶型压敏电阻及其制备方法，制备步骤如下：
[0013]步骤一：制备陶瓷芯片，将金属氧化物在球磨罐制浆研磨后喷雾造粒，再经过成型后烧结得到的陶瓷芯片；
[0014]步骤二：制备陶瓷电阻芯片，将陶瓷芯片的外部刷银，而后烧银形成银电极，测试电阻的压敏电压、漏电流、压比等电性能参数；
[0015]步骤三：制备压敏电阻，将所述陶瓷电阻芯片的表面通过锡焊片焊接引线，内涂硅胶后，并利用环氧树脂包封层进行包覆形成压敏电阻；
[0016]步骤四：测试压敏电阻，将压敏电阻包封固化后压敏电阻的外表面使用激光打标喷印规格型号，复测测试电阻的压敏电压、漏电流、压比等电性能参数，挑选外观后切脚。
[0017]优选的，所述金属氧化物包括氧化锌、三氧化二铋、氧化镍、氧化钴、氧化铬、碳酸锰、三氧化二锑等氧化物一种或几种烧制而得。
[0018]优选的，所述烧结的温度为1020℃～1180℃。
[0019]优选的，所述银电极采用丝网印刷分子银浆，经560℃～600℃高温还原，使得陶瓷芯片与分子银层相兼容而得到银电极。
[0020]优选的，所述内涂硅胶是一种高分子硅橡胶复合材质，且所述内涂硅胶具有良好的导热性能、阻燃防潮和绝缘耐压性能。
[0021]优选的，所述内涂硅胶主要是由硅树脂和溶剂组成，按质量百分比为：硅树脂含量在40％～50％，余量为溶剂。
[0022](三)有益效果
[0023]本专利技术采用压敏电阻焊接后内涂硅胶能够有效起到隔绝作用，防止环氧树脂碳化使得压敏电阻电性能下降，同时内涂硅胶具有较强导热能力和绝缘耐压特性，可以提升电阻的抗雷击浪涌能力，延长电阻的使用寿命，降低产品失效率，增加了产品的可靠性和稳定性。在内涂硅胶和环氧树脂的双层保护下，使得压敏电阻在电路中有一个稳定的工作环境，避免因芯片失效击穿使得整个电路被烧毁的隐患。
附图说明
[0024]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
[0025]图1为本专利技术一种内涂硅胶型压敏电阻的半剖结构图。
[0026]图例说明：1、内涂硅胶；2、银电极；3、锡焊片；4、环氧树脂；5、引线；6、陶瓷芯片。
具体实施方式
[0027]本申请实施例通过提供一种内涂硅胶型压敏电阻及其制备方法，解决现有技术中高温散热的问题，在内涂硅胶和环氧树脂的双层保护下，使得压敏电阻在电路中有一个稳定的工作环境，避免因芯片失效击穿使得整个电路被烧毁的隐患。
[0028]实施例1
[0029]本申请实施例中的技术方案为解决上述芯片散热的问题，总体思路如下：
[0030]针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种内涂硅胶型压敏电阻，包括
[0031]陶瓷芯片6，所述陶瓷芯片6的侧部附着银电极2，且所述银电极2的表面设有锡焊片3，所述锡焊片3是无铅焊锡材质，所述锡焊片3内部焊接有引线5，所述焊接引线5为镀锡铜钢包线。
[0032]所述焊接引线5的外部包覆有环氧树脂4，且所述环氧树脂4是芯片焊接后内涂在陶瓷芯片6外表面，所述陶瓷芯片6内表面设置内涂硅胶1。所述陶瓷芯片6为圆盘结构。
[0033]一种内涂硅胶型压敏电阻及其制备方法，制备步骤如下：
[0034]步骤一：制备陶瓷芯片6，将金属氧化物在球磨罐制浆研磨后喷雾造粒，再经过成型后烧结得到的陶瓷芯片6；
[0035]步骤二：制备陶瓷电阻芯片，将陶瓷芯片6的外部刷银，而后烧银形成银电极2，测试电阻的压敏电压、漏电流、压比等电性能参数；
[0036]步骤三：制备压敏电阻，将所述陶瓷电阻芯片的表面通过锡焊片3焊接引线5，内涂硅胶后，并利用环氧树脂包封层4进行包覆形成压敏电阻；
[0037]步骤四：测试压敏电阻，将压敏电阻包封固化后压敏电阻的外表面使用激光打标喷印规格型号，复测测试电阻的压敏电压、漏电流、压比等电性能参数，挑选外观后切脚。
[0038]所述金属氧化物包括氧化锌、三氧化二铋、氧化镍、氧化钴、氧化铬、碳酸锰、三氧化二锑等氧化物一种或几种烧制而得，所述烧结的温度为1020℃～1180℃。
[0039]焊接后的陶瓷芯片在内涂硅胶1后，包封环氧树脂4后在150
‑
160℃保温1
‑
2小时固化制得。
[0040]所述银电极2采用丝网印刷分子银浆，经560℃～600℃高温还原，使得陶瓷芯片6与分子银层相兼容而得到银电极2。
[0041]所述内涂硅胶1是一种高分子硅橡胶复合材质，且所述内涂硅胶1具有良好的导热性能、阻燃防潮和绝缘耐压性能。
[0042]所述内涂硅胶1主要是由硅树脂和溶剂组成，按质量百分比为：硅树脂含量在40％～50％，余量为溶剂。
[0043]所述陶瓷芯片6的直径为10mm
‑
25mm，压敏电阻直径为10mm，压敏电压为562V，绿色环氧树脂包封层4包封，芯片焊接后没有内涂硅胶，其余结构不变。
[0044]实施例2<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内涂硅胶型压敏电阻，其特征在于：包括陶瓷芯片(6)，所述陶瓷芯片(6)的侧部附着银电极(2)，且所述银电极(2)的表面设有锡焊片(3)，所述锡焊片(3)内部焊接有引线(5)，所述焊接引线(5)的外部包覆有环氧树脂(4)，且所述环氧树脂(4)是芯片焊接后内涂在陶瓷芯片(6)外表面，所述陶瓷芯片(6)内表面设置内涂硅胶(1)。2.如权利要求1所述的一种内涂硅胶型压敏电阻，其特征在于：所述陶瓷芯片(6)为圆盘结构，所述陶瓷芯片(6)的直径为10mm
‑
25mm。3.如权利要求1所述的一种内涂硅胶型压敏电阻，其特征在于：所述焊接引线(5)为镀锡铜钢包线。4.如权利要求1所述的一种内涂硅胶型压敏电阻，其特征在于：所述锡焊片(3)是无铅焊锡材质。5.如权利要求1所述的一种内涂硅胶型压敏电阻及其制备方法，其特征在于，制备步骤如下：步骤一：制备陶瓷芯片(6)，将金属氧化物在球磨罐制浆研磨后喷雾造粒，再经过成型后烧结得到的陶瓷芯片(6)；步骤二：制备陶瓷电阻芯片，将陶瓷芯片(6)的外部刷银，而后烧银形成银电极(2)，测试电阻的压敏电压、漏电流、压比等电性能参数；步骤三：制备压敏电阻，将所述陶瓷电阻芯片的表面通过锡焊片(3)焊接引线(5)，内涂硅胶后，并利用环氧树脂包封层(4)...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏鹏，周荣林，袁海兵，朱莉，
申请(专利权)人：南京先正电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：