用于磁控溅射镀膜的等离子发生器及磁控溅射镀膜机制造技术

本发明专利技术公开了一种用于磁控溅射镀膜的等离子发生器及磁控溅射镀膜机，用于磁控溅射镀膜的等离子发生器，包括壳体和ICP线圈，所述壳体设有线圈安装腔和等离子激发槽，所述线圈安装腔围绕等离子激发槽设置，所述ICP线圈装设于线圈安装腔内。磁控溅射镀膜机包括镀膜室，所述镀膜室内设有如上所述的用于磁控溅射镀膜的等离子发生器。该用于磁控溅射镀膜的等离子发生器及磁控溅射镀膜机具有可降低热辐射对镀膜质量不良影响、提高镀膜均匀性的优点。提高镀膜均匀性的优点。提高镀膜均匀性的优点。

【技术实现步骤摘要】
用于磁控溅射镀膜的等离子发生器及磁控溅射镀膜机


[0001]本专利技术涉及磁控溅射镀膜
，尤其涉及用于磁控溅射镀膜的等离子发生器及磁控溅射镀膜机。

技术介绍

[0002]等离子发生器是磁控溅射镀膜设备中的核心组件，ICP电感耦合型等离子体，是本领域常见的等离子发生器类型，其通过高频电流经感应线圈产生高频电磁场，使工作气体电离出大量的离子和电子形成等离子体。
[0003]公开号为CN110318028A的中国专利文献公开了一种等离子体源机构及薄膜形成装置，该等离子体源机构，其能够适用于具有真空环镜的薄膜形成装置其包括安装于真空环镜外的壳体，以及位于壳体内的线圈组件，由于其线圈的盘面直接朝向镀膜工件，且距离镀膜工件较近，产生的等离子体分布均匀性较差，且线圈工作时产生的大量热幅射将影响磁控溅射镀膜的质量；同时，其线圈组件位于非真空环境中，在实际应用时易出现“打火”的现象，影响设备运行的安全性和磁控溅射镀膜的质量。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种可降低热幅射对镀膜质量不良影响、提高镀膜均匀性的用于磁控溅射镀膜的等离子发生器及磁控溅射镀膜机。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：一种用于磁控溅射镀膜的等离子发生器，包括壳体和ICP线圈，所述壳体设有线圈安装腔和等离子激发槽，所述线圈安装腔围绕等离子激发槽设置，所述ICP线圈装设于线圈安装腔内。
[0006]作为上述技术方案的进一步改进：所述线圈安装腔设有抽真空接口，所述抽真空接口连接抽真空设备。
[0007]所述线圈安装腔为环状腔室，所述ICP线圈为环绕布置于所述线圈安装腔内的整体线圈。
[0008]所述ICP线圈设有多组，多组所述ICP线圈对称布设于等离子激发槽两侧的线圈安装腔内。
[0009]所述线圈安装腔和等离子激发槽之间设有用于隔离的石英玻璃罩。
[0010]所述线圈安装腔设有用于安装电极引线的密封接头，所述电极引线与所述ICP线圈电连接。
[0011]所述等离子激发槽的开口朝向镀膜基材所在方向。
[0012]一种磁控溅射镀膜机，包括镀膜室，所述镀膜室内设有如上所述的用于磁控溅射镀膜的等离子发生器。
[0013]与现有技术相比，本专利技术的优点在于：本专利技术的用于磁控溅射镀膜的等离子发生器，具有围绕等离子激发槽设置的线圈
安装腔，装设在线圈安装腔内的ICP线圈启动时，集中在等离子激发槽中激发出大量等离子体，并且等离子激发槽为大量的等离子体提供了充分、反复碰撞的空间，从而使从等离子激发槽中射出的等离子体分散更均匀，为提升镀膜的均匀性提供了支持；同时，上述结构的ICP线圈不再直接朝向镀膜基材，而是朝向等离子激发槽，ICP线圈启动时产生的热幅射不再直接作用于镀膜基材上，大大降低了热幅射对镀膜质量的不良影响。本专利技术的磁控溅射镀膜机，由于具有上述的用于磁控溅射镀膜的等离子发生器，因此具有相应的技术效果，在此不再赘述。
附图说明
[0014]图1是本专利技术等离子发生器实施例1的主视结构示意图。
[0015]图2是本专利技术等离子发生器实施例1的侧视结构示意图。
[0016]图3是图1的A
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A剖面图。
[0017]图4是图1的B
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B剖面图。
[0018]图5是本专利技术等离子发生器实施例2的主视结构示意图。
[0019]图6是本专利技术等离子发生器实施例2的侧视结构示意图。
[0020]图7是图1的C
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C剖面图。
[0021]图8是图1的D
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D剖面图。
[0022]图9是本专利技术磁控溅射镀膜机实施例的结构示意图。
[0023]图中各标号表示：1、壳体；11、线圈安装腔；111、抽真空接口；112、密封接头；12、等离子激发槽；13、石英玻璃罩；2、ICP线圈；100、镀膜室；200、等离子发生器。
具体实施方式
[0024]以下将结合说明书附图和具体实施例对本专利技术做进一步详细说明。
[0025]等离子发生器实施例1：如图1至图4所示，本实施例的用于磁控溅射镀膜的等离子发生器，包括壳体1和ICP线圈2，壳体1设有线圈安装腔11和等离子激发槽12，线圈安装腔11围绕等离子激发槽12设置，ICP线圈2装设于线圈安装腔11内，等离子激发槽12的开口朝向镀膜基材所在方向。ICP线圈2启动时，集中在等离子激发槽12中激发出大量等离子体，并且等离子激发槽12为大量的等离子体提供了充分、反复碰撞的空间，从而使从等离子激发槽12中射出的等离子体分散更均匀，为提升镀膜的均匀性提供了支持；同时，上述结构的ICP线圈2不再直接朝向镀膜基材，而是朝向等离子激发槽12，ICP线圈2启动时产生的热幅射不再直接作用于镀膜基材上，从而大大降低了热幅射对镀膜质量的不良影响。
[0026]本实施例中，线圈安装腔11设有抽真空接口111，该抽真空接口111连接抽真空设备，通过抽真空设备和抽真空接口111对线圈安装腔11抽真空，可以优化ICP线圈2的工作环境，防止ICP线圈2工作时出现“打火”的现象。
[0027]本实施例中，线圈安装腔11为环状腔室，ICP线圈2为环绕布置于线圈安装腔11内的整体线圈，采用整体线圈的结构，其针对等离子激发槽12产生的激发能量分布更均匀，可有效提高对镀膜基材的镀膜质量，尤其是对膜层的均匀性和一致性有明显提升。
[0028]本实施例中，线圈安装腔11和等离子激发槽12之间设有用于隔离的石英玻璃罩13；线圈安装腔11设有用于安装电极引线的密封接头112，电极引线与ICP线圈2电连接，石英玻璃罩13和密封接头112在发挥其基本功能的同时，为线圈安装腔11提供了有利的抽真空条件。
[0029]等离子发生器实施例2：如图5至图8所示，本实施例中，与上一实施例基本相同，其区别仅在于：ICP线圈2设有多组，多组ICP线圈2对称布设于等离子激发槽12两侧的线圈安装腔11内。
[0030]磁控溅射镀膜机实施例：如图9所示，本实施例的磁控溅射镀膜机，包括镀膜室100，镀膜室100内设有如等离子发生器实施例1所述的用于磁控溅射镀膜的等离子发生器200。
[0031]虽然本专利技术已以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限定本专利技术。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本专利技术技术方案范围的情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本专利技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均应落在本专利技术技术方案保护的范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于磁控溅射镀膜的等离子发生器，包括壳体（1）和ICP线圈（2），其特征在于：所述壳体（1）设有线圈安装腔（11）和等离子激发槽（12），所述线圈安装腔（11）围绕等离子激发槽（12）设置，所述ICP线圈（2）装设于线圈安装腔（11）内。2.根据权利要求1所述的用于磁控溅射镀膜的等离子发生器，其特征在于：所述线圈安装腔（11）设有抽真空接口（111），所述抽真空接口（111）连接抽真空设备。3.根据权利要求2所述的用于磁控溅射镀膜的等离子发生器，其特征在于：所述线圈安装腔（11）为环状腔室，所述ICP线圈（2）为环绕布置于所述线圈安装腔（11）内的整体线圈。4.根据权利要求2所述的用于磁控溅射镀膜的等离子发生器，其特征在于：所述ICP线圈（2）设有多组，多组所述ICP...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙桂红，祝海生，梁红，陈立，唐洪波，杨恒，力家东，黄乐，黄国兴，
申请(专利权)人：湘潭宏大真空技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：