电路的仿真方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本公开提供一种电路的仿真方法、装置、设备及存储介质。所述电路包括晶体管以及晶体管与导电层之间的接触结构；所述仿真方法包括：获取所述电路的第一预设参数；根据所述第一预设参数，确定所述接触结构的第二预设参数与所述晶体管的第三预设参数的关系模型，进而确定接触结构对晶体管的可靠性的影响，以提升晶体管仿真模型的精确度。管仿真模型的精确度。管仿真模型的精确度。

【技术实现步骤摘要】
电路的仿真方法、装置、设备及存储介质


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种电路的仿真方法、装置及存储介质。

技术介绍

[0002]在半导体电路的仿真过程中，例如在场效应管MOSFET(金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管，Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor)的仿真过程，通常是基于BSIM4仿真模型描述的。目前，BSIM4仿真模型只考虑了场效应管的基础结构，例如只考虑了源极、漏极、栅极以及阱区等结构特点，并未考虑其外围结构对场效应管的可靠性的影响，该仿真模型存在不准确性。

技术实现思路

[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开提供一种电路的仿真方法、装置及存储介质。
[0005]根据本公开实施例的第一方面，提供一种电路的仿真方法，所述电路包括晶体管以及晶体管与导电层之间的接触结构；所述仿真方法包括：
[0006]获取所述电路的第一预设参数；
[0007]根据所述第一预设参数，确定所述接触结构的第二预设参数与所述晶体管的第三预设参数的关系模型。
[0008]在一些示例性的实施例中，所述获取所述电路的第一预设参数，包括：
[0009]在预设条件下，获取M+i个所述电路的所述第一预设参数；获取M个所述电路的所述第一预设参数；其中，M为大于等于1的正整数，i为大于等于1的正整数；
[0010]根据M+i个所述电路的所述第一预设参数和M个所述电路的所述第一预设参数，确定所述电路的所述第一预设参数。
[0011]在一些示例性的实施例中，根据M+i个所述电路的所述第一预设参数和M个所述电路的所述第一预设参数，确定所述电路的所述第一预设参数，包括：
[0012]根据M+i个所述电路的所述第一预设参数与M个所述电路的所述第一预设参数的差，确定所述电路的所述第一预设参数。
[0013]在一些示例性的实施例中，所述获取所述电路的第一预设参数，包括：
[0014]在所述预设条件下，获取不同时刻下的所述电路的第一预设参数。
[0015]在一些示例性的实施例中，所述第一预设参数包括所述电路的电流。
[0016]在一些示例性的实施例中，根据所述第一预设参数，确定所述接触结构的第二预设参数与所述晶体管的第三预设参数的关系模型，包括：
[0017]获取所述接触结构的所述第二预设参数，
[0018]获取所述晶体管的第三预设参数；
[0019]根据所述第一预设参数、所述第二预设参数和所述第三预设参数，确定所述接触
结构的第二预设参数与所述晶体管的第三预设参数的关系模型。
[0020]在一些示例性的实施例中，所述第二预设参数为所述晶体管与导电层之间的接触结构的电阻模型。
[0021]在一些示例性的实施例中，，所述第二预设参数包括所述接触结构的长和宽；所述第三预设参数包括晶体管的漏极电压和栅极电压；
[0022]在一些示例性的实施例中，所述根据所述第一预设参数、所述第二预设参数和所述第三预设参数，确定所述接触结构的第二预设参数与所述晶体管的第三预设参数的关系模型，包括：
[0023]获取不同时刻下的所述晶体管的所述第三预设参数；
[0024]根据所获取的不同时刻下的所述电路的第一预设参数和所获取的不同时刻下的所述晶体管的第三预设参数，以及所述接触结构的所述第二预设参数，确定所述接触结构的第二预设参数与所述晶体管的第三预设参数的关系模型。
[0025]在一些示例性的实施例中，，根据所获取的不同时刻下的所述电路的第一预设参数和所获取的不同时刻下的所述晶体管的第三预设参数，以及所述接触结构的所述第二预设参数，确定所述接触结构的第二预设参数与所述晶体管的第三预设参数的关系模型，包括：
[0026]根据所获取的不同时刻下的所述电路的第一预设参数和所述晶体管的第三预设参数，以及所述接触结构的所述第二预设参数，通过下述公式确定拟合参数，以确定所述接触结构的第二预设参数与所述晶体管的第三预设参数的关系模型：
[0027]id＝(r1*e
h1*abs(vg)
*N
t
*e
h2*abs(vd)
*e
h3*w
*e
h4*L
)*I0+I0[0028]其中，id为t时刻下的电路的电流，vd为t时刻下的晶体管的漏极电压，vg为t时刻下的晶体管的栅极电压，I0为t为0时的电路的电流，r1,h1,h2,h3,h4为拟合参数。其中，t为获取所述电路的所述第一预设参数的时刻；N为t时刻下的电路的电流与时间坐标下的斜率；W为接触结构的宽，L为接触结构的长。
[0029]在一些示例性的实施例中，所述接触结构包括与所述导电层和所述晶体管的漏极相接触的第一接触结构。
[0030]在一些示例性的实施例中，所述接触结构包括与所述导电层和所述晶体管的源极相接触的第二接触结构。
[0031]本公开的第二方面提供了一种电路的仿真装置，所述电路包括晶体管以及晶体管与导电层之间的接触结构；所述仿真装置包括：
[0032]获取模块，被配置为获取所述电路的第一预设参数；
[0033]确定模块，被配置为根据所述第一预设参数，确定所述接触结构的第二预设参数与所述晶体管的第三预设参数的关系模型。
[0034]本公开的第三方面提供了一种电路的仿真装置，所述仿真装置包括：
[0035]处理器；
[0036]用于存储处理器可执行指令的存储器；
[0037]其中，所述处理器被配置为执行本公开示例性的实施例所提供的仿真方法。
[0038]本公开的第四方面提供了一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由内存测试设备的处理器执行时，使得仿真装置能够执行本公开示例性的实施例所
提供的仿真方法。
[0039]本公开实施例所提供的电路的仿真方法、设备及存储介质，具有以下有益效果：通过获取电路的第一预设参数，根据第一预设参数，确定接触结构的第二预设参数与晶体管的第三预设参数的关系模型，进而确定接触结构对晶体管的可靠性的影响，以提升晶体管仿真模型的精确度。
[0040]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0041]并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
[0042]图1是根据一示例性实施例示出的一种电路的仿真方法；
[0043]图2示出了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路的仿真方法，其特征在于，所述电路包括晶体管以及晶体管与导电层之间的接触结构；所述仿真方法包括：获取所述电路的第一预设参数；根据所述第一预设参数，确定所述接触结构的第二预设参数与所述晶体管的第三预设参数的关系模型。2.根据权利要求1所述的电路的仿真方法，其特征在于，所述获取所述电路的第一预设参数，包括：在预设条件下，获取M+i个所述电路的所述第一预设参数；获取M个所述电路的所述第一预设参数；其中，M为大于等于1的正整数，i为大于等于1的正整数；根据M+i个所述电路的所述第一预设参数和M个所述电路的所述第一预设参数，确定所述电路的所述第一预设参数。3.根据权利要求2所述的电路的仿真方法，其特征在于，根据M+i个所述电路的所述第一预设参数和M个所述电路的所述第一预设参数，确定所述电路的所述第一预设参数，包括：根据M+i个所述电路的所述第一预设参数与M个所述电路的所述第一预设参数的差，确定所述电路的所述第一预设参数。4.根据权利要求2所述的电路的仿真方法，其特征在于，所述获取所述电路的第一预设参数，包括：在所述预设条件下，获取不同时刻下的所述电路的第一预设参数。5.根据权利要求1
‑
4任一所述的电路的仿真方法，其特征在于，所述第一预设参数包括所述电路的电流。6.根据权利要求5所述的电路的仿真方法，其特征在于，根据所述第一预设参数，确定所述接触结构的第二预设参数与所述晶体管的第三预设参数的关系模型，包括：获取所述接触结构的所述第二预设参数，获取所述晶体管的第三预设参数；根据所述第一预设参数、所述第二预设参数和所述第三预设参数，确定所述接触结构的第二预设参数与所述晶体管的第三预设参数的关系模型。7.根据权利要求6所述的电路的仿真方法，其特征在于，所述第二预设参数为所述晶体管与导电层之间的接触结构的电阻模型。8.根据权利要求7所述的电路的仿真方法，其特征在于，所述第二预设参数包括所述接触结构的长和宽；所述第三预设参数包括晶体管的漏极电压和栅极电压。9.根据权利要求8所述的电路的仿真方法，其特征在于，所述根据所述第一预设参数、所述第二预设参数和所述第三预设参数，确定所述接触结构的第二预设参数与所述晶体管的第三预设参数的关系模型，包括：获取不同时刻下的所述晶体管的所述第三预设参数；根据所获取的不同时刻下的所述电路的第一预设参数和所获取的不同时刻下的所述晶体管的第三预设参...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨海洋，林仕杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：