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本公开提供一种电路的仿真方法、装置、设备及存储介质。所述电路包括晶体管以及晶体管与导电层之间的接触结构；所述仿真方法包括：获取所述电路的第一预设参数；根据所述第一预设参数，确定所述接触结构的第二预设参数与所述晶体管的第三预设参数的关系模型，...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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