【技术实现步骤摘要】
一种场效应管数理模型构建方法
[0001]本申请属于场效应管仿真试验
,具体涉及一种场效应管数理模型构建方法。
技术介绍
[0002]场效应管具有优越的开关性能,在飞机电气接口电路中广泛应用,数量众多。
[0003]为了提高试验效率,降低费用,节约人力、物力,倡导以仿真试验代替实际的试验,对于场效应管试验,其仿真涉及到数理模型的建立,当前,场效应管数理模型构建方法,极度依赖试验数据的准确性,以及数据曲线中完备的特性曲线,在场效应管参数简略,所需要建模数量巨大的情形下,难以构建得到准确的场效应管数理模型。
[0004]鉴于上述技术缺陷的存在提出本申请。
[0005]需注意的是,以上
技术介绍
内容的公开仅用于辅助理解本申请的专利技术构思及技术方案,其并不必然属于本专利申请的现有技术,在没有明确的证据表明上述内容在本申请的申请日已经公开的情况下,上述
技术介绍
不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。
技术实现思路
[0006]本申请的目的是提供一种场效应管数理模型构建方法,以克服或减轻已知存 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种场效应管数理模型构建方法,其特征在于,包括:分析场效应管物理机理,筛选与场效应管静态特性直接关联的主要物理参数,以该主要物理参数构建场效应管静态模型;分析场效应管物理机理,筛选与场效应管动态特性直接关联的主要物理参数,以该主要物理参数构建场效应管静态模型;以场效应管静态模型、场效应管静态模型,搭建场效应管测试电路,将仿真结果与实测数据进行对比,若不相吻合,则重新构建场效应管静态模型、场效应管静态模型。2.根据权利要求1所述的场效应管数理模型构建方法,其特征在于,分析场效应管物理机理,筛选与场效应管静态特性直接关联的主要物理参数,包括栅极开启电压V
TO
、正向跨导K
p
、沟道长度L与沟道宽度W的比值,其中,I
D
=K
p
(V
GS
‑
pV
TO
)2;其中,I
D
为漏极电流;V
GS
为栅源电压;p在N沟道场效应管时,取值为1,在P沟道场效应管时,取值为
‑
1;μ
a
为电子表面迁移率取,600...
【专利技术属性】
技术研发人员:周维,王鹏,刘亮,张宁,代振东,张广宇,陈大鹏,
申请(专利权)人:中国航空工业集团公司沈阳飞机设计研究所,
类型:发明
国别省市:
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