【技术实现步骤摘要】
一种具有高极限工作温度的金属纳米薄膜电极的制备方法
[0001]本申请涉及纳米薄膜电极领域，尤其是一种具有高极限工作温度的金属纳米薄膜电极的制备方法。
技术介绍
[0002]诸如铜、锌、银、镍之类金属制成的金属纳米薄膜电极具有优异的高抗电迁移能力、低电阻率和良好的导热性，在集成电路和印刷电子等领域有着广泛的应用。
[0003]但是在纳米尺度下，由于金属纳米薄膜电极具有高的比表面积和高的化学活性，容易与空气中的氧气或者水蒸汽发生反应而导致性能退化，比如铜和铁等金属易发生氧化生成金属氧化物，严重影响金属纳米薄膜电极的电学性能。特别是在高温环境下，金属纳米薄膜电极的氧化反应会更加剧烈，得到的高温氧化产物不仅降低了金属纳米薄膜电极的导电性和机械性能，同时因其氧化层不致密使其不能进一步阻绝高温氧化进程，导致目前金属纳米薄膜电极的极限工作温度都不高，较难在高温环境下应用。
技术实现思路
[0004]本申请人针对上述问题及技术需求，提出了一种具有高极限工作温度的金属纳米薄膜电极的制备方法，本申请的技术方案如下：
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有高极限工作温度的金属纳米薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在真空镀膜腔室中，利用多靶位电子束蒸发镀膜仪使用金属靶材在硅片基底表面制备纳米级厚度的金属纳米薄膜；在真空镀膜腔室下控制所述多靶位电子束蒸发镀膜仪切换至使用铝靶材，并利用所述多靶位电子束蒸发镀膜仪使用铝靶材在所述金属纳米薄膜表面制备具有预定纳米级厚度的铝纳米薄膜，制备得到金属纳米薄膜电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制备得到的金属纳米薄膜电极从所述真空镀膜腔室取出后，所述铝纳米薄膜的表面发生氧化并形成氧化铝膜，形成的所述氧化铝膜遮盖原子空隙并隔绝金属纳米薄膜与空气的接触，防止所述金属纳米薄膜发生氧化。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述金属纳米薄膜电极的极限工作温度与所述铝纳米薄膜的预定纳米级厚度相关，所述铝纳米薄膜的预定纳米级厚度可调且始终大于厚度阈值。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在制备得到所述金属纳米薄膜电极的过程中，制备金属纳米薄膜以及制备铝纳米薄膜时，所述多靶位电子束蒸发镀膜仪使用的蒸镀速率、用于放置所述硅片基底的样品台的旋转速度均相同。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述蒸镀速率为所述样品台的旋转速度为5rpm。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述真空镀膜腔室的真空度为9.8
×
10
‑4Pa。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述真空镀膜腔室中制备多个样品薄膜电极，各个样品薄膜电极包括依次层叠的硅片基底、金属纳米薄膜和铝纳米薄膜，各个所述样品薄膜电极中的铝纳米薄膜的厚度不同、其他规格参数均相同；将各个样品薄膜电极从所述真空镀膜腔室中取出，并在相同的环境下进行氧化试验，分别获取各个样品薄膜电极的特性参数，所述特征参数用于表征样品薄膜电极中的金属纳米薄膜的氧化程度，且获取到的特征参数越优、表征的金属纳米薄膜的...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。