真空镀膜腔及真空镀膜系统技术方案

本公开提供了一种真空镀膜腔及真空镀膜系统，真空镀膜腔包括：真空腔体；至少一组镀膜源接口，每组镀膜源接口包括：第一镀膜源接口，设置在真空腔体的侧壁上并且与真空腔体连通；以及第二镀膜源接口，设置在真空腔体的侧壁上并且与真空腔体连通，其中第一镀膜源接口和第二镀膜源接口被配置为位于镀膜表面的同侧。二镀膜源接口被配置为位于镀膜表面的同侧。二镀膜源接口被配置为位于镀膜表面的同侧。

【技术实现步骤摘要】
真空镀膜腔及真空镀膜系统


[0001]本公开涉及真空设备
，特别涉及一种真空镀膜腔及真空镀膜系统。

技术介绍

[0002]在真空环境下的生产或实验中，镀膜是十分常见的真空技术。在镀膜过程中，需要让不同的镀膜源发射不同的镀膜材料，在样品的镀膜表面上发生反应，形成所需成分的薄膜。在半导体器件的镀膜工艺中，通常需要先对半导体晶片进行解离，形成堆叠的巴条，并对巴条的端面进行镀膜。但是，由于巴条在堆叠过程中，存在参差不齐排列的端面，很难对这些端面进行均匀镀膜。

技术实现思路

[0003]本公开提供了一种真空镀膜腔，包括：真空腔体；至少一组镀膜源接口，每组镀膜源接口包括：第一镀膜源接口，设置在真空腔体的侧壁上并且与真空腔体连通；以及第二镀膜源接口，设置在真空腔体的侧壁上并且与真空腔体连通，其中第一镀膜源接口和第二镀膜源接口被配置为位于镀膜表面的同侧。
[0004]在一些实施例中，第一镀膜源接口包括：第一真空筒，第一真空筒的远端与真空腔体连通；以及第一真空法兰，位于第一真空筒的近端，用于与第一镀膜源真空密封连接。
[0005]在一些实施例中，第一真空筒的轴线与真空腔体的轴线呈80度至100度之间的夹角。
[0006]在一些实施例中，第二镀膜源接口包括：第二真空筒，第二真空筒的远端与真空腔体连通；以及第二真空法兰，位于第二真空筒的近端，用于与第二镀膜源真空密封连接。
[0007]在一些实施例中，第二真空筒的轴线与真空腔体的轴线呈30度至60度之间的夹角。
[0008]在一些实施例中，第一镀膜源接口的轴线与第二镀膜源接口的轴线在所示真空腔体的横截面上的投影夹角在45度至135度之间。
[0009]在一些实施例中，至少一组镀膜源接口包括第一组镀膜源接口和第二组镀膜源接口，第一组镀膜源接口与第二组镀膜源接口关于真空腔体的轴线旋转对称。
[0010]本公开还提供一种真空镀膜系统，包括：根据本公开任一实施例的真空镀膜腔；至少一组镀膜源，每组镀膜源包括：第一镀膜源，与真空镀膜腔的每组镀膜源接口中的第一镀膜源接口真空密封连接；以及第二镀膜源，与真空镀膜腔的每组镀膜源接口中的第二镀膜源接口真空密封连接。
[0011]在一些实施例中，真空镀膜系统还包括：可旋转样品架，用于承载待镀膜样品并且调整样品的镀膜表面朝向以使得样品镀膜表面朝向至少一组镀膜源中的一组镀膜源，或者在多组镀膜源之间切换。
[0012]在一些实施例中，第一镀膜源包括电子束Si源或者Al源；和/或所述第二镀膜源包括等离子N源、H源、或O源中的至少一种。
[0013]根据本公开一些实施例的真空镀膜腔采用组合式的镀膜源接口，能够解决现有技术中的问题，并且可以带来有益的技术效果。例如，在一些实施例中，真空镀膜腔及真空镀膜系统能够解决以下问题中的一项或多项：无法实现样品相对镀膜源的大自由度调整，无法实现对参差不齐排列的端面的均匀镀膜，更换或添加镀膜材料困难且需要破坏真空环境，耗时长、成本高等等。在一些实施例中，真空镀膜腔及真空镀膜系统能够带来以下有益效果中的一项或多项：由于每组镀膜源接口位于样品的镀膜表面同一侧，可以方便地相对于镀膜源调节样品的镀膜表面的朝向；能够对参差不齐排列的端面进行均匀镀膜，消除阴阳面镀膜差别，增强镀膜的可靠性；可以在多组镀膜源之间切换，节省更换或添加镀膜材料的时间和成本，增加镀膜工艺寿命，延长维护周期。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一种实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1示出根据本公开一些实施例的真空镀膜腔的立体示意图；
[0016]图2示出根据本公开一些实施例的真空镀膜系统的立体示意图；
[0017]图3示出根据本公开一些实施例的真空镀膜系统的俯视示意图；
[0018]图4示出根据本公开一些实施例的电子束Si源200的立体示意图；以及
[0019]图5示出根据本公开一些实施例的等离子N源300的立体示意图。
具体实施方式
[0020]下面将结合附图对本公开一些实施例进行描述。显然，所描述的实施例仅仅是本公开示例性实施例，而不是全部的实施例。
[0021]在本公开的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”、“顶”、“底”、“正”、“反”、“背”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本公开的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”、“相连”、“耦合”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接；可以是两个元件内部的连通。在本公开的描述中，远端或远侧是指深入真空环境(例如，真空腔)的一端或一侧，近端或近侧是与远端或远侧相对的一端或一侧(例如，远离真空腔的一端或一侧，或者真空腔内靠近真空腔壁的一端或一侧等等)。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
[0022]图1示出根据本公开一些实施例的真空镀膜腔100的立体示意图。如图1所示，真空镀膜腔100可以包括真空腔体110以及至少一组镀膜源接口，例如第一组镀膜源接口120、第二组镀膜源接口130。每组镀膜源接口可以包括第一镀膜源接口(例如，镀膜源接口121、镀
膜源接口131)和第二镀膜源接口(例如，镀膜源接口122、镀膜源接口132(图1中未示出，如图3所示))。第一镀膜源接口(例如，镀膜源接口121、镀膜源接口131)可以设置在真空腔体110的侧壁上，并且与真空腔体110连通。第二镀膜源接口(例如，镀膜源接口122、镀膜源接口132)可以设置在真空腔体110的侧壁上并且与真空腔体110连通。每组镀膜源接口，例如第一镀膜源接口(例如，镀膜源接口121、镀膜源接口131)和第二镀膜源接口(例如，镀膜源接口122、镀膜源接口132)，可以被配置为位于镀膜表面的同侧。
[0023]如图1所示，以第一组镀膜源接口120为例，第一组镀膜源接口120可以包括镀膜源接口121和镀膜源接口122。镀膜源接口121设置在真空腔体110的侧壁上，并且与真空腔体110连通。镀膜源接口122设置在真空腔体110的侧壁上，并且与真空腔体110连通。第一组镀膜源接口120的镀膜源接口121和镀膜源接口122可以被配置为位于真空腔体110的右侧，如图1所示。在真空腔体110中装载有样品的情况下，样品的镀膜表面可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空镀膜腔，其特征在于，包括：真空腔体；至少一组镀膜源接口，每组镀膜源接口包括：第一镀膜源接口，设置在所述真空腔体的侧壁上并且与所述真空腔体连通；以及第二镀膜源接口，设置在所述真空腔体的侧壁上并且与所述真空腔体连通，其中所述第一镀膜源接口和所述第二镀膜源接口被配置为位于镀膜表面的同侧。2.根据权利要求1所述的真空镀膜腔，其特征在于，所述第一镀膜源接口包括：第一真空筒，所述第一真空筒的远端与所述真空腔体连通；以及第一真空法兰，位于所述第一真空筒的近端，用于与第一镀膜源真空密封连接。3.根据权利要求2所述的真空镀膜腔，其特征在于，所述第一真空筒的轴线与所述真空腔体的轴线呈80度至100度之间的夹角。4.根据权利要求1所述的真空镀膜腔，其特征在于，所述第二镀膜源接口包括：第二真空筒，所述第二真空筒的远端与所述真空腔体连通；以及第二真空法兰，位于所述第二真空筒的近端，用于与第二镀膜源真空密封连接。5.根据权利要求4所述的真空镀膜腔，其特征在于，所述第二真空筒的轴线与所述真空腔体的轴线呈30度至60度之间的夹角。6.根据权利要求1所述的真空镀膜腔，其特征在于，所述第一镀膜源...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢斌平，王天邻，陈飞，杨贺鸣，
申请(专利权)人：费勉仪器科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：