获取晶圆潜在weakpoint的方法技术

本发明专利技术提供一种获取晶圆潜在weakpoint的方法，提供原始光罩层图形，将光罩层图形各边分别以设置比例扩大及缩小获取第一、二光罩层图形；分别利用第一、二光罩层图形获取其在光刻胶层上的第一、二显影后图形；利用第一、二显影后图形获取两者关键尺寸差距大于预设值的图形位置，之后根据图形位置获取原始光罩层图形对应处的图形为MEEF值超标图形；标记出MEEF值超标图形以及光刻工艺窗口小于目标值的图形为光刻weak point。本发明专利技术能够筛选出所有光罩图形中MEEF较大的图形，并结合光刻工艺窗口参数确定光刻工艺窗口较小的图形作为光刻weak point，改善了MEEF和光罩的误差结合在一起对硅片CD产生更大的影响的问题。起对硅片CD产生更大的影响的问题。起对硅片CD产生更大的影响的问题。

【技术实现步骤摘要】
获取晶圆潜在weak point的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种获取晶圆潜在weak point的方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路的快速发展和晶圆代工企业规模的扩大，摩尔定律已达到实际应用极限。特别是55nm技术节点以后，晶圆代工对光刻工艺的要求越来越高，有效发现潜在的晶圆上weak point，并提高其光刻工艺窗口，成为提高光刻工艺质量，加速晶圆代工的核心因素。
[0003]目前，发现硅片上的weak point(通常指一个产品中最容易出现问题的特殊版图)主要是结合人工经验方法，具体是OPC(光学邻近修正)工程师集中检查光刻工艺窗口比较小的个别图形并将此作为weak point，而没有考虑到实际光罩上某些图形由于MEFF(Mask Error EnhancementFactor，掩模误差增强因子定义为晶圆上光刻胶线宽随掩模图形线宽变化的斜率)较大，会和光罩的误差结合在一起，成为新的光刻工艺窗口小的图形和硅片上新的weak point这一问题，因此对weak point的预测无法达到能准确命中的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种获取晶圆潜在weakpoint的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供原始光罩层图形，将所述光罩层图形各边分别以设置比例扩大及缩小获取第一、二光罩层图形；步骤二、分别利用所述第一、二光罩层图形获取其在光刻胶层上的第一、二显影后图形；步骤三、利用所述第一、二显影后图形获取两者关键尺寸差距大于预设值的图形位置，之后根据所述图形位置获取所述原始光罩层图形对应处的图形为MEEF值超标图形；步骤四、标记出所述MEEF值超标图形以及光刻工艺窗口小于目标值的图形为光刻weak point。2.根据权利要求1所述的获取晶圆潜在weakpoint的方法，其特征在于：步骤一中将所述原始光罩层图形各边扩大获取偏移量为a的所述第一光罩层图形，将所述光罩层图形各边缩小获取偏移量为b的所述第二光罩层图形。3.根据权利要求1所述的获取晶圆潜在weakpoint的方法，其特征在于：步骤二中所述分别利用所述第一、二光罩层图形获取对应的第一、二曝光后图形的方法包括：利用光学邻近修正模型分别模拟出所述第一、二光罩层图形在衬底上的光刻胶层显影后的轮廓，从而...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯顺魁，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：