获取晶圆潜在weakpoint的方法技术

本发明专利技术提供一种获取晶圆潜在weakpoint的方法，提供原始光罩层图形，将光罩层图形各边分别以设置比例扩大及缩小获取第一、二光罩层图形；分别利用第一、二光罩层图形获取其在光刻胶层上的第一、二显影后图形；利用第一、二显影后图形获取两者关键尺寸差距大于预设值的图形位置，之后根据图形位置获取原始光罩层图形对应处的图形为MEEF值超标图形；标记出MEEF值超标图形以及光刻工艺窗口小于目标值的图形为光刻weak point。本发明专利技术能够筛选出所有光罩图形中MEEF较大的图形，并结合光刻工艺窗口参数确定光刻工艺窗口较小的图形作为光刻weak point，改善了MEEF和光罩的误差结合在一起对硅片CD产生更大的影响的问题。起对硅片CD产生更大的影响的问题。起对硅片CD产生更大的影响的问题。

【技术实现步骤摘要】
获取晶圆潜在weak point的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种获取晶圆潜在weak point的方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路的快速发展和晶圆代工企业规模的扩大，摩尔定律已达到实际应用极限。特别是55nm技术节点以后，晶圆代工对光刻工艺的要求越来越高，有效发现潜在的晶圆上weak point，并提高其光刻工艺窗口，成为提高光刻工艺质量，加速晶圆代工的核心因素。
[0003]目前，发现硅片上的weak point(通常指一个产品中最容易出现问题的特殊版图)主要是结合人工经验方法，具体是OPC(光学邻近修正)工程师集中检查光刻工艺窗口比较小的个别图形并将此作为weak point，而没有考虑到实际光罩上某些图形由于MEFF(Mask Error EnhancementFactor，掩模误差增强因子定义为晶圆上光刻胶线宽随掩模图形线宽变化的斜率)较大，会和光罩的误差结合在一起，成为新的光刻工艺窗口小的图形和硅片上新的weak point这一问题，因此对weak point的预测无法达到能准确命中的效果。
[0004]MEEF通常作为衡量光刻工艺制程的标准之一，可以理解为1倍光罩关键尺寸(CD)变化1nm，硅片上关键尺寸的变化量。MEEF越大，说明硅片上关键尺寸受光罩变化量的影响越大。由于每一层的最小设计规则不同，即每一层的最小关键尺寸不同，出于精度和成本的考虑，不同光刻层使用的光罩等级也不同。光罩等级越高，实际光罩关键尺寸与理想光罩关键尺寸的误差越小。但是任何等级的光罩，实际光罩关键尺寸与理想光罩关键尺寸总是存在误差。MEEF和光罩的误差结合在一起，会对硅片关键尺寸产生更大的影响。
[0005]为解决上述问题，需要提出一种新型的获取晶圆潜在weak point的方法。

技术实现思路

[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种获取晶圆潜在weak point的方法，用于解决现有技术中实际光罩关键尺寸与理想光罩关键尺寸总是存在误差，MEEF和光罩的误差结合在一起，会对硅片关键尺寸产生更大的影响的问题。
[0007]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种获取晶圆潜在weak point的方法，1、包括：
[0008]步骤一、提供原始光罩层图形，将所述光罩层图形各边分别以设置比例扩大及缩小获取第一、二光罩层图形；
[0009]步骤二、分别利用所述第一、二光罩层图形获取其在光刻胶层上的第一、二显影后图形；
[0010]步骤三、利用所述第一、二显影后图形获取两者关键尺寸差距大于预设值的图形位置，之后根据所述图形位置获取所述原始光罩层图形对应处的图形为MEEF值超标图形；
[0011]步骤四、标记出所述MEEF值超标图形以及光刻工艺窗口小于目标值的图形为光刻weak point。
[0012]优选地，步骤一中将所述原始光罩层图形各边扩大获取偏移量为a的所述第一光罩层图形，将所述光罩层图形各边缩小获取偏移量为b的所述第二光罩层图形。
[0013]优选地，步骤二中所述分别利用所述第一、二光罩层图形获取对应的第一、二曝光后图形的方法包括：利用光学邻近修正模型分别模拟出所述第一、二光罩层图形在衬底上的光刻胶层显影后的轮廓，从而获取所述第一、二显影后图形。
[0014]优选地，步骤二中所述分别利用所述第一、二光罩层图形获取对应的第一、二曝光后图形的方法包括：利用光刻将所述第一、二光罩层图形分别转移至衬底上的光刻胶层，之后进行显影后量测获取所述第一、二显影后图形。
[0015]优选地，步骤三中所述利用所述第一、二显影后图形获取两者关键尺寸差距大于预设值的图形位置，之后根据所述图形位置获取所述原始光罩层图形对应处的差异图形的方法包括：对所述第一、二显影后图形进行逻辑非运算获取两者的差异图形，之后获取所述差异图形中线宽大于所述预设值处的图形位置，之后根据所述图形位置获取所述原始光罩层图形对应处的图形为所述MEEF值超标图形。步骤四中还包括判断所述MEEF值超标图形的景深大小，若其所述景深小于目标景深值，则定义所述所述MEEF值超标图形为所述光刻工艺窗口小于目标值的图形。
[0016]如上所述，本专利技术的获取晶圆潜在weak point的方法，具有以下有益效果：
[0017]本专利技术能够筛选出所有光罩图形中MEEF较大的图形，并结合光刻工艺窗口参数确定光刻工艺窗口较小的图形作为光刻weak point，改善了MEEF和光罩的误差结合在一起对硅片CD产生更大的影响的问题，所筛选出的光刻weak point既可以作为光刻工艺开发的参考，也可以作为硅片上的热点进行后续验证。
附图说明
[0018]图1显示为本专利技术的获取晶圆潜在weak point的方法示意图；
[0019]图2显示为本专利技术的原始光罩层图形示意图；
[0020]图3显示为本专利技术的获取第一、二光罩层图形示意图；
[0021]图4显示为本专利技术的第一光罩层图形示意图；
[0022]图5显示为本专利技术的第二光罩层图形示意图；
[0023]图6显示为本专利技术的第一光罩层图形的显影后轮廓示意图；
[0024]图7显示为本专利技术的第二光罩层图形的显影后轮廓示意图；
[0025]图8显示为本专利技术的差异图形示意图；
[0026]图9显示为图8中圆圈处的结构放大示意图。
具体实施方式
[0027]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0028]请参阅图1，本专利技术提供一种获取晶圆潜在weak point的方法，包括：
[0029]步骤一、提供原始光罩层图形(如图2所示)，将光罩层图形各边分别以设置比例扩
大及缩小获取第一、二光罩层图形(如图4、5所示)；
[0030]在本专利技术的实施例中，请参阅图3，步骤一中将原始光罩层图形各边扩大获取偏移量为a的第一光罩层图形，第二将光罩层图形各边缩小获取偏移量为b的第二光罩层图形，即第一光罩层图形与原始光罩层图形的距离为a，第二光罩层图形与原始光罩层图形的距离为b。
[0031]步骤二、分别利用第一、二光罩层图形获取其在光刻胶层上的第一、二显影后图形(如图6、7所示)；
[0032]在本专利技术的实施例中，步骤二中分别利用第一、二光罩层图形获取对应的第一、二曝光后图形的方法包括：利用光学邻近修正模型分别模拟出第一、二光罩层图形在衬底上的光刻胶层显影后的轮廓，从而获取第一、二显影后图形。
[0033]在本专利技术的实施例中，步骤二中分别利用第一、二光罩层图形获取对应的第一、二曝光后图形的方法包括：利用光刻将第一、二光罩层图形分别转移至衬底上的光刻胶层，之后进行显影后量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种获取晶圆潜在weakpoint的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供原始光罩层图形，将所述光罩层图形各边分别以设置比例扩大及缩小获取第一、二光罩层图形；步骤二、分别利用所述第一、二光罩层图形获取其在光刻胶层上的第一、二显影后图形；步骤三、利用所述第一、二显影后图形获取两者关键尺寸差距大于预设值的图形位置，之后根据所述图形位置获取所述原始光罩层图形对应处的图形为MEEF值超标图形；步骤四、标记出所述MEEF值超标图形以及光刻工艺窗口小于目标值的图形为光刻weak point。2.根据权利要求1所述的获取晶圆潜在weakpoint的方法，其特征在于：步骤一中将所述原始光罩层图形各边扩大获取偏移量为a的所述第一光罩层图形，将所述光罩层图形各边缩小获取偏移量为b的所述第二光罩层图形。3.根据权利要求1所述的获取晶圆潜在weakpoint的方法，其特征在于：步骤二中所述分别利用所述第一、二光罩层图形获取对应的第一、二曝光后图形的方法包括：利用光学邻近修正模型分别模拟出所述第一、二光罩层图形在衬底上的光刻胶层显影后的轮廓，从而...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯顺魁，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：