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本发明提供一种获取晶圆潜在weakpoint的方法，提供原始光罩层图形，将光罩层图形各边分别以设置比例扩大及缩小获取第一、二光罩层图形；分别利用第一、二光罩层图形获取其在光刻胶层上的第一、二显影后图形；利用第一、二显影后图形获取两者关键尺寸...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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