一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法技术

本发明专利技术是有关于一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法，其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒（硫）浆料时，使用含ＩＢ、ＩＩＩＡ及ＶＩＡ族元素化合物的材料，其中含至多不超过５０％的薄片状材料，其余材料形状可为球状或不规则状，再搭配溶剂或相关添加剂搅拌均匀，以配成含铜铟镓硒或铜铟镓硒（硫）浆料，再使用非真空涂布法如刮刀涂布、狭缝涂布法、超音波喷涂法、电镀法或网印法等涂布成光吸收层的前驱层，再经快速退火热处理后形成光吸收层。本发明专利技术由于不使用高温还原法和硒化法，节省了设备成本并避免了使用危险的硒化氢，同时由于使用不同形状的颗粒，提高所生成膜的致密性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能光吸收层的制造方法，特别是涉及。
技术介绍
近年来，随着国际油价高涨及环保意识的抬头，绿色能源已成为新能源的主流，其 中太阳能电池又因是取自太阳的稳定辐射能，来源不会枯竭，因此更为各国所重视，无不挹 注大量研发经费及政策性补贴，以扶植本地的太阳能电池产业，使得全球太阳能产业的发 展非常快速。第一代太阳能模块包括单晶硅和多晶硅的太阳能模块，虽然光电转换效率高且量 产技术成熟，但因为材料成本高，且硅晶圆常因半导体工业的需求而货源不足，影响后续的 量产规模。因此，包含非晶硅薄膜、铜铟镓硒(CIGS)薄膜或铜铟镓硒(硫)(CIGSS)薄膜和 碲化镉薄膜的第二代的薄膜太阳能模块，在近几年已逐渐发展并成熟，其中又以铜铟镓硒 或铜铟镓硒(硫)太阳能电池的转换效率最高(单元电池可高达20%而模块约14% )，因 此特别受到重视。请参阅图1所示，是现有习用技术的铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)太阳能电池结构 的示意图。如图1所示，现有习用技术的铜铟镓硒太阳能电池结构包括基板10、第一导电 层20、铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)吸收层30、缓冲层40、绝缘层50以及第二导电层60，其 中基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法，其特征在于其是用以在非真空环境下制作铜铟镓硒浆料，该铜铟镓硒浆料是用以涂布在一钼层上而形成一吸收层，该方法系包括以下步骤：首先，依据一配方比例，混合具有薄片形状和其他形状且含ⅠＢ、ⅢＡ和ⅥＡ族元素的二个成份或三个成份或四个成份的粉末材料，以形成含铜铟镓硒的原始混合粉末，且该ⅠＢ族元素包括铜，该ⅢＡ族元素包括铟或镓或铟镓混合材料，该ⅥＡ族元素包括硒或硫或硒硫混合材料；接着，以原始ⅥＡ族元素比例，再添加额外的ⅥＡ族元素粉末至该原始混合粉末中，并进行混合以形成一最后混合粉末；之后，添加溶剂至该最后混合粉末中并进行搅拌，藉以形成含有ⅠＢ、ⅢＡ及ⅥＡ族...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文仁，杨益郎，
申请(专利权)人：昆山正富机械工业有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]