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昆山正富机械工业有限公司专利技术
昆山正富机械工业有限公司共有20项专利
不含界面活性剂及溶剂的铜铟镓硒浆料的调配方法组成比例
本发明是有关一种不含界面活性剂及溶剂的铜铟镓硒浆料的调配方法,是混合含有IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末,形成原始混合粉末,再添加额外的VIA族元素粉末以形成最后混合粉末,接着加热再经搅拌以形成含有IB、IIIA...
非真空制作铜铟镓硒吸收层的方法技术
本发明是有关一种非真空制作铜铟镓硒吸收层的方法,用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层,包括以下步骤:首先,依据配方比例,混合含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)的原始混合粉末;其次,在该混合...
非真空制作铜铟镓硒光吸收层的装置制造方法及图纸
本实用新型涉及一种制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的装置,特别是一种非真空制作铜铟镓硒光吸收层的装置,包括快速升温退火热处理炉,设于炉内的传送机构,包括硒蒸汽产生器,硒蒸汽供应管及控制阀的向炉体内供给硒蒸汽的硒蒸气供给装置,以及端部设有排气...
一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法技术
本发明是有关于一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法,其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料时,使用含IB、IIIA及VIA族元素化合物的材料,其中含至多不超过50%的薄片状材料,其余材料形状可为球状或不规则状,再搭配溶...
以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法技术
本发明是有关于一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法,其包括以下步骤:首先依据配方比例,调配球状和非球状含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末,其中粉末颗粒平均粒径小于500纳...
无粘接剂及活性剂的铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层制造方法技术
本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层的制造方法,特别是一种无粘接剂及活性剂的铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层制造方法:(1)调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份,形成第一和第二混合粉末;(2)在第一混合粉末中添加...
非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法技术
本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫光吸收层的制作方法,特别是一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法,包括:(1)依据配方比例,混合含IB、IIIA的二成份或三成份硒化物材料,形成原始混合粉末;混合粉末为纳米级的球形粉和薄片形粉;(2)...
非真空制作铜铟镓硒和/或硫的太阳能电池制造技术
本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫太阳能电池的制作方法,特别是一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫的太阳能电池,包括:(1)依据配方比例,混合含IB、IIIA和VIA族元素的二成份或三成份或四成份粉末,以形成含铜铟镓硒和/或硫原始混合粉末;(2)...
多段式硫化镉薄膜沉积方法技术
本发明是有关于一种多段式硫化镉薄膜沉积方法,包含以下步骤:步骤一:将一含有光吸收层的基板置于一具有硫离子及镉离子且高浴温的第一化学浴溶液中,以在该基板的光吸收层上沉积一第一硫化镉膜;以及步骤二:再将上述基板置于一具有硫离子及镉离子的另一...
多段式硫化镉薄膜沉积方法技术
本发明是有关于一种多段式硫化镉薄膜沉积方法,至少包含以下步骤:将一含有光吸收层的基板置于一具有第一硫离子及第一镉离子含量的化学浴中,以在该基板的光吸收层上沉积一第一硫化镉膜;以及再将上述基板置于一具有第二硫离子及第二镉离子含量的另一化学...
非真空制作铜铟镓硒浆料的方法技术
本发明是有关于一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法,包括混合不同平均粒径且具有IB、IIIA及VIA族元素的二个成份、三个成份或四个成份的粉末,形成原始混合粉末,额外添加VIA族元素粉末并混合以形成最后混合粉末,添加溶剂并搅拌以形成所需的浆...
以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法技术
本发明是有关于一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法,其主要包括以下步骤:首先依据配方比例,调配不同平均粒径含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末,其中小尺寸颗粒平均粒径为大尺...
不含界面活性剂的太阳能吸收层浆料的制造方法及应用技术
本发明是有关于一种不含界面活性剂的太阳能吸收层粉末浆料的制造方法及其所制作的该浆料和太阳能吸收层,包含有如下步骤:混合含IB族、IIIA族及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成原始含IB族、IIIA族及VIA族元素的一混合粉末...
多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法技术
本发明是有关于一种多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法,为一种非真空制作方法,用以在非真空下一钼层上形成多层均匀的光吸收前驱层。其主要利用调配铜铟镓硒(硫)浆料时,除了原始使用正常比例的铜铟镓硒(硫)化合物以外,另外添加过量VIA族元...
多段式硫化镉薄膜沉积方法技术
本发明是有关于一种多段式硫化镉薄膜沉积方法沉积包含步骤:将一含有太阳能光吸收层的基板置于一具有硫离子及第一镉离子含量的化学浴中,以在该基板的太阳能光吸收层上成型一第一硫化镉膜;再将上述基板置于一具有硫离子及第二镉离子含量的另一化学浴中,...
太阳能吸收层的浆料的制造方法、太阳能吸收层及其浆料技术
本发明是有关于一种太阳能吸收层的浆料的制造方法、太阳能吸收层及其浆料。该太阳能吸收层的浆料的制造方法,包含以下步骤:混合含IB族、IIIA族及VIA族元素的二个成份、三个成份或四个成份的粉末以形成原始含IB族、IIIA族及VIA族元素的...
一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法技术
本发明是有关于一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法,其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料时,使用含IB、IIIA族的二元或三元硒化物的薄片状材料,其中薄片状材料不超过50%,再搭配溶剂或相关添加剂搅拌均匀,以配成含铜铟镓硒或铜铟镓硒(...
非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法组成比例
本发明是有关于一种非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法,其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料时,使用含IB、IIIA族的二元或三元硒化物薄片状材料,其中以不超过50%的薄片状材料,再搭配溶剂或相关添加剂搅拌均匀,以配成含铜铟镓硒或铜铟...
太阳能吸收层浆料的制造方法、该浆料及吸收层技术
本发明是有关于一种太阳能吸收层浆料的制造方法、该浆料及吸收层。该太阳能吸收层浆料的制造方法,包含步骤:混合含IB族、IIIA族及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末及IIIA族元素粉末以形成原始含IB族、IIIA族及VIA族元素的一...
非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法技术
本发明是有关一种非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法,用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层,该方法包括以下步骤:首先,依据配方比例,调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的混合粉末;其...
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