多层电容器及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种多层电容器及其制造方法。该电容器元件包括第一电极、第二电极、第三电极、第一介电层以及第二介电层。第一电极与电容器元件的第一电极接点电性耦合。第二电极位于第一电极的下方且与电容器元件的第二电极接点电性耦合。第二电极与第一电极电性绝缘。第三电极位于第一电极以及第二电极的下方，第三电极与第二电极电性绝缘并与第一电极电性耦合。第一介电层位于第一电极与第二电极之间，而且第一介电层具有第一介电常数。第二介电层位于第二电极与第三电极之间，而且第二介电层具有第二介电常数。在一实施例中，第二介电常数比第一介电常数至少大五倍。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多层电容器，且特别是涉及一种用于多层电容器的制作方法以及 装置，此多层电容器可以提供多个谐振频率(resonant frequency) 0
技术介绍
电容器已经广泛地应用于电路的设计中。例如，电容器已经被用于印刷电路板 (printed circuit board, PCB)和集成电路(integrated circuit, IC)基板上，当做降 低或者消除(cancellation)杂讯的元件。在一些应用中，电容器可以是表面粘着元件 (surface-mount device, SMD)，例如用作于电源输入系统的去耦合电容器(decoupling capacitor)或者旁路电容器(bypass capacitor)。这些电容器可以用于吸收突波(absorb glitch)，以降低射频(radio frequency, RF)杂讯，以稳定电源供应系统。随着半导体制造技术的持续进步，对于元件来说，日益增长的挑战在于高频时的 操作，在诸如10GHz或者更高的频率。信号通讯频率或者布线密度的增加也会增加信号或 者切换之间的干扰(interference)。因此，IC本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器元件，包括：第一电极，与该电容器元件的第一电极接点电性耦合；第二电极，位于该第一电极的下方且与该电容器元件的第二电极接点电性耦合，该第二电极与该第一电极电性绝缘；第三电极，位于该第一电极与该第二电极的下方，该第三电极与该第二电极电性绝缘且与该第一电极电性耦合；第一介电层，至少具有一第一介电常数，该第一介电层夹在该第一电极与该第二电极之间；以及第二介电层，具有第二介电常数，该第二介电层夹在该第二电极与该第三电极之间，其中该第二介电常数比该第一介电常数至少大五倍。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：徐健明，李明林，赖信助，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]