半导体封装装置制造方法及图纸

本申请提出了一种半导体封装装置，包括：主动面相向设置的第一芯片与第二芯片，以及设置于所述第一芯片与所述第二芯片之间的重布线层，所述重布线层中包括堆叠通孔，所述堆叠通孔电性连接所述第一芯片与所述第二芯片。本申请取得的有益效果包括：第一方面，移除了第一芯片和第二芯片之间的间隙，解决了应力导致线路裂纹的问题；第二方面，第一芯片和第二芯片透过堆叠通孔直上直下传递信号，可以缩短电信号路径，提高电性能；第三方面，还可以借由堆叠通孔在堆叠过程中的偏移拉开焊料凸块的间距，以此避免焊料桥接的风险。以此避免焊料桥接的风险。以此避免焊料桥接的风险。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置


[0001]本申请涉及半导体封装
，具体涉及一种半导体封装装置。

技术介绍

[0002]FOCoS
‑
B(Fan
‑
Out Chip on Substrate
‑
Bridge，扇出型基板上芯片桥接封装)结构中，至少两个功能芯片并排设置，功能芯片(Function dies)之间的讯号透过下方的桥接芯片(Bridge die)传递，而桥接芯片的设置会横跨不同功能芯片之间的间隙(Gap)，且桥接芯片表面的桥接线路(Bridge line)朝向功能芯片，则功能芯片之间间隙的应力会延伸至桥接芯片表面的桥接线路，由于桥接线路为细线路，容易产生线路裂纹(Line crack)。

技术实现思路

[0003]本申请提出了一种半导体封装装置，用于改善FOCoS
‑
B结构中桥接芯片表面的桥接线路容易受到来自功能芯片之间间隙的应力而产生裂纹的问题。
[0004]为实现上述目的，本申请采用如下技术方案：一种半导体封装装置，包括：主动面相向设置的第一芯片与第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，其特征在于，包括：主动面相向设置的第一芯片与第二芯片，以及设置于所述第一芯片与所述第二芯片之间的重布线层，所述重布线层中包括堆叠通孔，所述堆叠通孔电性连接所述第一芯片与所述第二芯片。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述重布线层包括设置于所述第一芯片的主动面的第一重布线层，所述第一重布线层中的通孔朝向所述第一芯片的方向孔径渐缩。3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其特征在于，所述重布线层还包括设置于所述第二芯片的主动面的第二重布线层，所述第二重布线层中的通孔朝向所述第二芯片的方向孔径渐缩。4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其特征在于，所述第一重布线层与所述第二重布线层通过焊料凸块电性连接。5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，还包括一空腔，所述第一芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：