一种高靶材利用率的矩形靶制造技术

一种高靶材利用率的矩形靶，用于磁控溅射金属镀膜；它的水冷座经绝缘板固定在靶基座上；四条钕铁硼永磁材料的边永磁体围成一个封闭的四边形框并嵌装在水冷座上，做为Ｎ极；一条钕铁硼永磁材料的中间永磁体位于四边形框中间并嵌装在水冷座上，做为Ｓ极；边永磁体为长方体且朝向四边形框内一侧上部为倒角，中间永磁体为长方体且对应两侧上部也为倒角；位于永磁体上方的靶材衬板固定在水冷座顶部，靶材经靶材压板固定安装在靶材衬板上。它具有很好的镀膜均匀性和较高的靶材利用率，还显著提高了溅射率和生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于磁控溅射镀膜设备的矩形靶。
技术介绍
磁控溅射台是一种多用途、高效率的镀膜设备，可以在陶瓷、玻璃、石英、硅片等基 底材料上沉积金属、合金和非金属介质等材料的薄膜，在光学、半导体、新型电子材料功能 薄膜的制备等
，磁控溅射镀膜发挥了重要的作用。 磁控溅射镀膜具有膜层致密、膜层均匀、附着力高、沉积温度低，操作简单、可长时 间大批量工业化生产等优点，磁控溅射技术在微电子、航天航空、机械制造、光学、太阳能等 领域已广泛应用。 目前绝大部分应用的是金属材料薄膜，由于靶材要求纯度很高，特别是半导体和 新型功能材料的制备，需要镀制贵重金属材料薄膜；传统的矩形靶通常采用四氧化三铁永 磁体，磁场强度不高，溅射靶内磁体较大，占用空间较多，致使用于放电溅射区域的范围较 窄，造成矩形靶靶面的刻蚀区呈较深的沟壑，导致靶材利用率不高；常规矩形溅射靶镀膜， 其靶材利用为20%左右，通常靶材纯度为99.9%至99. 999%，耙材价格高，日常靶材消耗 量巨大，耙材利用率低造成镀膜成本上升，若使用贵重耙材镀膜，其耙材价格更加昂贵，耙 材浪费更严重，回收成本也很高，严重制约行业的发展。如何提高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高靶材利用率的矩形靶，包括靶基座（１０），水冷座（８）经绝缘板（９）固定在靶基座（１０）上；其特征是，四条钕铁硼永磁材料的边永磁体（７）围成一个封闭的四边形框并嵌装在所述水冷座（８）上，做为Ｎ极；一条钕铁硼永磁材料的中间永磁体（１）位于所述四边形框中间并嵌装在所述水冷座（８）上，做为Ｓ极；所述边永磁体（７）为长方体且朝向四边形框内一侧上部为倒角（１４），中间永磁体（１）为长方体且对应两侧上部也为倒角（１５）；位于永磁体上方的靶材衬板（６）固定在水冷座（８）顶部且在靶材衬板（６）与水冷座（８）顶部之间装有密封圈（５），靶材（２）经靶材压板（４）固定安装在靶材衬板（６）上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘咸成，王慧勇，刘嘉宾，贾京英，龚杰宏，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]