本发明专利技术提供一种Micro LED芯片测试方法及装置，方法包括提供一基板，在基板上制备两通孔，并在基板上沉积导电金属层；刻蚀导电金属层，以在基板上形成电极总线；在基板上涂覆绝缘保护层，并在绝缘保护层上开设若干测试孔，以漏出预设位置的电极总线；在测试孔上沉积测试电极，使测试电极与待测芯片电极一一对应并贴合；采用激光照射待测芯片，得到待测芯片的发光信息，并通过测试电极测量待测芯片的电压信号及电流信号；将测试电极的阴极和阳极分别汇总到阴极总线、阳极总线，并将阴极总线与阳极总线接入测试信号源，以测试电压信号及电流信号。本发明专利技术接触的对待测芯片进行测试，无需探针卡对待测芯片进行测试，有效降低测试成本。本。本。
【技术实现步骤摘要】
一种Micro LED芯片测试方法及装置
[0001]本专利技术涉及芯片测试
，特别涉及一种Micro LED芯片测试方法及装置。
技术介绍
[0002]Micro
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LED又称微型发光二极管，是指高密度集成的LED阵列，阵列中的LED像素点距离在10微米量级，每一个LED像素都能自发光。Micro
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LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。该技术将传统的无机LED阵列微小化，每个尺寸在10微米尺寸的LED像素点均可以被独立的定位、点亮。也就是说，原本小间距LED的尺寸可进一步缩小至10微米量级。Micro
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LED的显示方式十分直接，将10微米尺度的LED芯片连接到TFT驱动基板上，从而实现对每个芯片放光亮度的精确控制，进而实现图像显示。
[0003]现有技术当中，由于Micro LED芯片的尺寸太小，无法实用传统探针式点测方法进行测试，使用非接触检测方式PL、AOI等都无法得到每颗芯片的实际光电性能，后续芯片进行巨量转移后在对坏损的芯片进行测试和修复工程量巨大，而传统探针卡的检测方式不仅制作方法复杂而且价格昂贵。
技术实现思路
[0004]基于此，本专利技术的目的是提供一种Micro LED芯片测试方法及装置，以至少解决上述现有技术当中的不足。
[0005]本专利技术提供一种Micro LED芯片测试方法，所述测试方法包括：
[0006]提供一基板，在所述基板上制备两通孔，并在所述基板上沉积导电金属层；
[0007]刻蚀所述导电金属层，以在所述基板上形成电极总线；
[0008]在所述基板上涂覆绝缘保护层，并在所述绝缘保护层上开设若干测试孔，以漏出预设位置的所述电极总线；
[0009]在所述测试孔上沉积测试电极，使所述测试电极与待测芯片电极一一对应并贴合；
[0010]采用激光照射所述待测芯片，得到所述待测芯片的发光信息，并通过测试电极测量所述待测芯片的电压信号及电流信号；
[0011]将所述测试电极的阴极和阳极分别汇总到阴极总线、阳极总线，并将所述阴极总线与所述阳极总线接入测试信号源，以测试所述电压信号及所述电流信号。
[0012]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：通过在基板上沉积导电金属层，并刻蚀导电金属层，在基板上形成电极总线，然后在涂覆一层绝缘层，并在绝缘层上开设若干漏出电极总线的测试孔，然后在测试孔内沉积测试电极，并使测试电极与待测芯片的电极对应并贴合，最后通过激光照射待测芯片，得到待测芯片的发光信息，并通过测试电极测量待测电极的电压信号和电流信号，并通过测试信号源测试电压信号和电流信号，通测试电极可以
对待测芯片进行接触测试，可以测试出待测芯片的实际光电性能，而且无需使用探针对待测芯片进行测试，有效降低了在对待测芯片进行测试时的成本。
[0013]进一步的，所述基板采用蓝宝石、石英、玻璃、有机玻璃或聚乙烯中的一种制成，所述基板的厚度为200μm
‑
5000μm。
[0014]进一步的，所述导电金属层的厚度为0.5μm
‑
10μm；
[0015]其中，所述在所述基板上沉积导电金属层的步骤包括：
[0016]采用化学镀的方式在所述基板上沉积一层所述导电金属层。
[0017]进一步的，所述刻蚀所述导电金属层，以在所述基板上形成电极总线的步骤包括：
[0018]采用光刻的方式刻蚀预设部分的所述导电金属层，留下指定部分的所述导电金属层形成所述电极总线。
[0019]进一步的，所述绝缘保护层为硅胶、橡胶、聚氨酯或聚酰亚胺中的一种制成，所述绝缘保护层弹性模量低于200N/mm2。
[0020]进一步的，所述激光的功率密度为5mW/mm2‑
100mW/mm2，所述激光的波长小于所述待测芯片的发光波长至少50nm。
[0021]进一步的，所述激光在单颗所述待测芯片上的停留时间为0.1ms
‑
10ms。
[0022]进一步的，所述以测试所述电压信号及所述电流信号的步骤之后，所述方法还包括：
[0023]基于所述测试信号源发出的电信号，以使所述待测芯片进行发光；
[0024]通过收光器接收所述待测芯片发出的光，并通过所述收光器对所述待测芯片上的衬底进行灰度分析。
[0025]本专利技术还提供一种Micro LED芯片测试装置，应用于上述的Micro LED芯片测试方法，所述测试装置包括：
[0026]基板；
[0027]电极总线，设于所述基板的上表面，所述电极总线的底部贯穿所述基板；
[0028]绝缘保护层，设于所述电极总线的上表面，所述绝缘保护层上开设有若干用于漏出所述电极总线的测试孔；
[0029]测试电极，设置在所述测试孔内并与所述电极总线连接。
[0030]进一步的，所述测试装置还包括：
[0031]测试阴极总线与测试阳极总线，分别连接所述测试电极的阴极、阳极；
[0032]测试信号源，与所述阴极总线及所述阳极总线连接。
附图说明
[0033]图1为本专利技术第一实施例中的Micro LED芯片测试方法的流程图；
[0034]图2为本专利技术第三实施例中的Micro LED芯片测试装置的结构示意图；
[0035]图3为本专利技术第三实施例中的Micro LED芯片测试装置的工作结构示意图
[0036]图4为本专利技术第三实施例中的Micro LED芯片测试装置中测试电极的结构示意图；
[0037]图5为本专利技术第三实施例中的Micro LED芯片测试装置中测试信号源的工作结构示意图。
[0038]主要元件符号说明：
[0039]10、衬底；11、待测芯片；12、芯片电极；
[0040]20、测试电极；201、基板；202、电极总线；203、绝缘保护层；204、触点；
[0041]30、测试信号源；31、待测芯片阳极；32、待测芯片阴极；
[0042]41、测试阳极总线；42、测试阴极总线。
[0043]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。
具体实施方式
[0044]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的若干实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容更加透彻全面。
[0045]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Micro LED芯片测试方法，其特征在于，所述测试方法包括：提供一基板，在所述基板上制备两通孔，并在所述基板上沉积导电金属层；刻蚀所述导电金属层，以在所述基板上形成电极总线；在所述基板上涂覆绝缘保护层，并在所述绝缘保护层上开设若干测试孔，以漏出预设位置的所述电极总线；在所述测试孔上沉积测试电极，使所述测试电极与待测芯片电极一一对应并贴合；采用激光照射所述待测芯片，得到所述待测芯片的发光信息，并通过测试电极测量所述待测芯片的电压信号及电流信号；将所述测试电极的阴极和阳极分别汇总到阴极总线、阳极总线，并将所述阴极总线与所述阳极总线接入测试信号源，以测试所述电压信号及所述电流信号。2.根据权利要求1所述的Micro LED芯片测试方法，其特征在于，所述基板采用蓝宝石、石英、玻璃、有机玻璃或聚乙烯中的一种制成，所述基板的厚度为200μm
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5000μm。3.根据权利要求1所述的Micro LED芯片测试方法，其特征在于，所述导电金属层的厚度为0.5μm
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10μm；其中，所述在所述基板上沉积导电金属层的步骤包括：采用化学镀的方式在所述基板上沉积一层所述导电金属层。4.根据权利要求1所述的Micro LED芯片测试方法，其特征在于，所述刻蚀所述导电金属层，以在所述基板上形成电极总线的步骤包括：采用光刻的方式刻蚀预设部分的所述导电金属层，留下指定部分的所述导电金属层形成所述电极总线。5.根据权利要求1所述的Micro LED芯片测试方法，其特征在于，所述绝...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪恒青，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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