一种恒流源电路及芯片老化测试方法技术

本发明专利技术公开一种恒流源电路及芯片老化测试方法，用于提供芯片老化测试所需的恒流源，恒流源电路包括：第一运放单元；主控制单元，主控制单元的I1

【技术实现步骤摘要】
一种恒流源电路及芯片老化测试方法


[0001]本专利技术涉及芯片老化电路测试
，尤其涉及一种恒流源电路及芯片老化测试方法。

技术介绍

[0002]作为光信号接收的载体，光芯片广泛应用于光通信领域。光芯片的可靠性测试是 评估其批量应用的重要环节，可靠性测试的效果直接关系到芯片寿命的评判。光芯片的可靠性测试，一般是将芯片带电运行于不同的老化环境下，通过周期监测芯片参数的变化，来反映芯片的特性。
[0003]现有的老化测试，一般是将光芯片与恒流源电路连通，进行老化测试；而现有的恒流源只能提供一种量程，在小量程范围内的分辨率不能满足整体0.5%的误差范围，无法保证精确性，而且现有的恒流源只能有一种状态去输出，共阳或者共阴，功能单一。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种恒流源电路及芯片老化测试方法，解决了现有技术中的芯片老化测试用恒流源电路功能单一的技术问题。
[0005]本申请实施例公开了一种恒流源电路，用于提供芯片老化测试所需的恒流源，包括：第一运放单元；主控制单元，所述主控制单元的I1
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接口的I1+接口分别与所述第一运放单元的对应接口电连接；所述主控制单元包括：电源输出电路，所述电源输出电路与所述第一运放单元的反馈端口电连接；放大采集电路，与所述电源输出电路的采集电阻并联，且所述放大采集电路与所述第一运放单元电连接。
[0006]本申请提供一个恒定的、可切换量程的恒流源，能够准确地检查产品在同样条件下性能和质量。
[0007]在上述技术方案的基础上，本申请实施例还可以做如下改进：进一步地，所述运放单元为四通道运放芯片。
[0008]进一步地，所述放大采集电路包括：模拟开关芯片，所述模拟开关芯片包括十个引脚，所述模拟开关芯片的引脚1连接有+5V电源，用于实现模拟开关芯片的供电，引脚3为I1+接口；引脚4与引脚8连接；引脚8为控制端，用于与MCU连接；引脚6接地；引脚9为I1
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接口；电阻R16，一端与所述引脚2接通，另一端与所述电源输出电路接通；电阻R5，一端与所述引脚10连接，另一端与所述电源输出电路接通；电阻R17，一端与所述引脚3连接，另一端接地；
电阻R6，一端与所述引脚5接通，另一端与所述电阻R16串联；电阻R7，一端与所述引脚7连接，另一端与所述电阻R5连接；电阻R8，一端与所述引脚9连接，另一端与电源输出电路连接。
[0009]进一步地，当所述引脚3与所述引脚2连通时，所述第一运放单元的放大倍速为A1；当所述引脚3与所述引脚5连通时，所述第一运放单元的放大倍速为A2，所述A1=10A2。
[0010]进一步地，所述电源输出电路包括：第二运放单元，所述第二运放单元的一个端口与所述电阻R3的另一端接通，另一端口与电容C5串联后连接供电源；电阻R3，一端与所述第一运放单元U15的反馈接口连接，另一端与所述电容C5并联后与所述第二运放单元的端口连接；电阻R1，一端与所述第二运放单元接通；电阻R4，一端与所述第二运放单元连接；三极管Q1，所述三极管Q1的基极与电阻R4的另一端电连接；电阻R27，一端与所述三极管Q1的集电极连通，另一端接地；电阻R18，一端与所述三极管Q1的集电极连通，另一端接地，所述电阻R18与所述R27并联；控制单元，所述控制单元一端与所述三极管Q1的发射极连接，另一端与所述芯片的阴极端连接；所述控制单元的控制端与所述第二运放单元的端口连接；所述电阻R16与所述三极管Q1的集电极连接，所述电阻R5与所述电阻R18的接地端连接，所述芯片的阳极与所述供电源连接。
[0011]进一步地，所述控制单元包括：阳极连接端口，与所述三极管Q1的发射极连接；电阻R15，与所述三极管Q1的发射极连接；电阻R14，一端与所述电阻R15串联，另一端接地；控制端口，一端与所述电阻R14和电阻R15之间连通，另一端连接有ADC模块，所述ADC模块与所述第二运放单元的端口连接。
[0012]进一步地，所述电源输出电路包括：第二运放单元，所述第二运放单元的一个端口与所述电阻R3的另一端接通，另一端口与电容C5串联后连接供电源；电阻R3，一端与所述第一运放单元U15的反馈接口连接，另一端与所述电容C5并联后与所述第二运放单元的端口连接；电阻R1，一端与所述第二运放单元接通；电阻R4，一端与所述第二运放单元连接；三极管Q1，所述三极管Q1的基极与电阻R4的另一端电连接，且所述三极管Q1的发射极与所述供电源连接；电阻R27，一端与所述三极管Q1的集电极连通，另一端作为电源输出口；电阻R18，一端与所述三极管Q1的集电极连通，另一端作为电源输出口，所述电阻R18与所述R27并联；控制单元，所述控制单元一端与所述电源输出口连接，另一端与所述芯片的阳极
连接，所述控制单元的控制端与所述第二运放单元的端口连接；所述电阻R16与所述三极管Q1的集电极连接，所述电阻R5与所述电源输出口连接；所述芯片的阴极接地。
[0013]进一步地，所述控制单元包括：阳极连接端口，与所述电源输出口连接；电阻R15，与所述电源输出口连接；电阻R14，一端与所述电阻R15串联，另一端接地；控制端口，一端与所述电阻R14和电阻R15之间连通，另一端连接有ADC模块，所述ADC模块与所述电源输出电路的端口连接。
[0014]本申请还公开一种芯片老化测试方法，采用前述的恒流源电路进行芯片老化测试。
[0015]本申请实施例中提供的一个或者多个技术方案，至少具有如下技术效果或者优点：1.本申请提供一个恒定的电流老化，可以检查产品在同样条件下性能和质量。
[0016]2.本申请设置有相关的电路切换放大，以此增加在小电流情况下的电流分辨率，从而提高检测的准确性。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本专利技术具体实施例所述的在共阳极时一种恒流源电路的一部分示意图；图2为本专利技术具体实施例所述的在共阳极时一种恒流源电路的另一部分示意图；图3为本专利技术具体实施例所述的在共阴极时一种恒流源电路的一部分示意图；图4为本专利技术具体实施例所述的在共阴极时一种恒流源电路的另一部分示意图。
具体实施方式
[0019]下面将结合附图对本专利技术技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域技术人员所理解的通常意义。
[0020]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种恒流源电路，用于提供芯片老化测试所需的恒流源，其特征在于，包括：第一运放单元；主控制单元，所述主控制单元的I1
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接口的I1+接口分别与所述第一运放单元的对应接口电连接；所述主控制单元包括：电源输出电路，所述电源输出电路与所述第一运放单元的反馈端口电连接；放大采集电路，与所述电源输出电路的采集电阻并联，且所述放大采集电路与所述第一运放单元电连接。2.根据权利要求1所述的恒流源电路，其特征在于，所述运放单元为四通道运放芯片。3.根据权利要求1所述的恒流源电路，其特征在于，所述放大采集电路包括：模拟开关芯片，所述模拟开关芯片包括十个引脚，所述模拟开关芯片的引脚1连接有+5V电源，用于实现模拟开关芯片的供电，引脚3为I1+接口；引脚4与引脚8连接；引脚8为控制端，用于与MCU连接；引脚6接地；引脚9为I1
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接口；电阻R16，一端与所述引脚2接通，另一端与所述电源输出电路接通；电阻R5，一端与所述引脚10连接，另一端与所述电源输出电路接通；电阻R17，一端与所述引脚3连接，另一端接地；电阻R6，一端与所述引脚5接通，另一端与所述电阻R16串联；电阻R7，一端与所述引脚7连接，另一端与所述电阻R5连接；电阻R8，一端与所述引脚9连接，另一端与电源输出电路连接。4.根据权利要求3所述的恒流源电路，其特征在于，当所述引脚3与所述引脚2连通时，所述第一运放单元的放大倍速为A1；当所述引脚3与所述引脚5连通时，所述第一运放单元的放大倍速为A2，所述A1=10A2。5.根据权利要求4所述的恒流源电路，其特征在于，所述电源输出电路包括：第二运放单元，所述第二运放单元的一个端口与所述电阻R3的另一端接通，另一端口与电容C5串联后连接供电源；电阻R3，一端与所述第一运放单元U15的反馈接口连接，另一端与所述电容C5并联后与所述第二运放单元的端口连接；电阻R1，一端与所述第二运放单元接通；电阻R4，一端与所述第二运放单元连接；三极管Q1，所述三极管Q1的基极与电阻R4的另一端电连接；电阻R27，一端与所述三极管Q1的集电极连通，另一端接地；电阻R18，一端与所述三极管Q1的集电极连通，另一端接地，所述电阻R18与所述R27并...

【专利技术属性】
技术研发人员：张华，薛银飞，黄河，李家桐，
申请(专利权)人：无锡菲光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：