一种微波器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种微波器件的制造方法，包括：将基体材料加工为带有板孔的板状结构，然后再在所述板孔中嵌入铁氧体后得到基板；在所述基板的上表面上形成一体加工成型的环行器/隔离器电路与信号调整电路从而得到复合电路基板，所述环行器/隔离器电路与所述信号调整电路级联在一起，所述环行器/隔离器电路位于对应铁氧体上方；将复合电路基板的下表面连接在载板上，并在对应环行器/隔离器电路上表面依次安装电阻片和永磁体，从而得到微波器件；其中，所述微波器件包括：1)环行器/隔离器部分以及2)信号调整部分，信号调整电路与环行器/隔离器电路是在基板上表面一体加工成型的。隔离器电路是在基板上表面一体加工成型的。隔离器电路是在基板上表面一体加工成型的。

【技术实现步骤摘要】
一种微波器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种微波器件及一种微波设备。此外，本专利技术还涉及一种微波器件的制造方法。

技术介绍

[0002]环行器/隔离器是微波工程中一类重要的基础性器件，其广泛应用于民用通讯、微波测量、雷达、通信、电子对抗、航空航天等各种民用、军用微波设备中，在微波设备中主要用来实现天线收发共用，级间隔离等问题。近年来，基于MEMS(微机电系统)技术的陶瓷嵌套铁氧体微带环行器/隔离器逐渐开始替代铁氧体基微带环行器，在相控阵雷达、电子对抗等军事领域普遍应用。
[0003]这类陶瓷嵌套铁氧体微带环行器/隔离器可以从诸如公开号为CN115313012A的专利文献等现有技术中所了解。通常可以描述为包含：基板，具有基体材料以及嵌合在该基体材料的板孔中的铁氧体；载板，设置在基板的下表面上；环行器/隔离器电路，设置在基板上表面上并位于对应铁氧体上方；电阻片，设置在对应环行器/隔离器电路上表面；永磁体，设置在对应陶瓷片的上表面。环行器/隔离器电路具体利用集成电路制造技术形成在基板上。
[0004]遗憾的是，陶瓷嵌套铁氧体微带环行器/隔离器在功能拓展上的潜力尚未被充分的意识和挖掘。因此，目前的陶瓷嵌套铁氧体微带环行器/隔离器仅就作为环行器/隔离器而已。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种微波器件及一种微波设备，在借鉴陶瓷嵌套铁氧体微带环行器/隔离器的结构的基础上，有效拓展了环行器/隔离器的功能，解决了环行器/隔离器功能单一的问题。此外，本专利技术还提供了一种微波器件的制造方法。
[0006]第一个方面，提供了一种微波器件，包括：1)环行器/隔离器部分，包含：基板，具有基体材料以及嵌合在该基体材料的板孔中的铁氧体；载板，设置在所述基板的下表面上；环行器/隔离器电路，设置在所述基板上表面上并位于对应铁氧体上方；电阻片，设置在对应环行器/隔离器电路上表面；永磁体，设置在对应陶瓷片的上表面；2)信号调整部分，包含：信号调整电路，设置在所述基板上表面上并位于所述基体材料上方，且与所述环行器/隔离器电路级联在一起；其中，所述环行器/隔离器电路与所述信号调整电路是在所述基板上表面一体加工成型的。
[0007]根据本专利技术的实施例，所述环行器/隔离器电路和所述信号调整电路构成薄膜电路；该薄膜电路中，所述环行器/隔离器电路与所述信号调整电路之间的连接部位与所述环行器/隔离器电路以及所述信号调整电路是一体的且不存在专门级联匹配电路的薄膜电路。
[0008]根据本专利技术的实施例，所述环行器/隔离器电路与所述信号调整电路之间的连接部位的线路宽度无突变。
[0009]根据本专利技术的实施例，所述环行器/隔离器电路与所述信号调整电路之间的连接部位由阻抗为50欧姆的连接线构成。
[0010]根据本专利技术的实施例，所述薄膜电路经由两次高频电磁仿真设计而成，第一次高频电磁仿真设计时分别对所述环行器/隔离器电路和所述信号调整电路进行高频电磁仿真设计，第二次高频电磁仿真设计时对由所述环行器/隔离器电路与所述信号调整电路组成的整体电路进行高频电磁仿真设计。
[0011]根据本专利技术的实施例，所述信号调整电路包含功率合成电路、功分电路、滤波电路、信号耦合电路中的至少一种；并且，当所述信号调整电路包含分别与所述环行器/隔离器部分连接的至少两个输入端或至少两个输出端时，所述环行器/隔离器部分具有与所述至少两个输入端或所述至少两个输出端一一对应的一组环行器/隔离器；所述一组环行器/隔离器包含间隔排列在所述基体材料上的一组所述板孔以及与这一组板孔一一对应设置的一组所述铁氧体、一组所述环行器/隔离器电路、一组所述电阻片以及一组所述永磁体。
[0012]根据本专利技术的实施例，所述信号调整电路为一个M路功率合成电路，其中M为≥3或4的整数。
[0013]根据本专利技术的实施例，所述基体材料由氧化铝陶瓷制成。所述载板为铁板。所述电阻片由氧化铝陶瓷制成。
[0014]根据本专利技术的实施例，所述载板的下表面设有金属镀层，所述载板设置在所述金属镀层的下表面上。
[0015]根据本专利技术的实施例，所述基板上位于所述环行器/隔离器电路以及所述信号调整电路的旁侧开设有通孔，使用时所述通孔中用于嵌合安装铝柱。
[0016]第二个方面，提供了一种微波设备，其采用了上述第一个方面的一种微波器件。
[0017]第三个方面，提供了一种微波器件的制造方法，包括：将基体材料加工为带有板孔的板状结构，然后再在所述板孔中嵌入铁氧体后得到基板；在所述基板的上表面上形成一体加工成型的环行器/隔离器电路与信号调整电路从而得到复合电路基板，所述环行器/隔离器电路与所述信号调整电路级联在一起，所述环行器/隔离器电路位于对应铁氧体上方；将复合电路基板的下表面连接在载板上，并在对应环行器/隔离器电路上表面依次安装电阻片和永磁体，从而得到微波器件；其中，所述微波器件包括：1)环行器/隔离器部分，该环行器/隔离器部分具体包含：基板，具有基体材料以及嵌合在该基体材料的板孔中的铁氧体；载板，设置在所述基板的下表面上；环行器/隔离器电路，设置在所述基板上表面上并位于对应铁氧体上方；电阻片，设置在对应环行器/隔离器电路上表面；永磁体，设置在对应陶瓷片的上表面；以及2)信号调整部分，该信号调整部分具体包含：信号调整电路，设置在所述基板上表面上并位于所述基体材料上方，且与所述环行器/隔离器电路级联在一起，所述信号调整电路与所述环行器/隔离器电路是在所述基板上表面一体加工成型的。
[0018]根据本专利技术的实施例，通过薄膜电路制造工艺在所述基板的上表面上形成具有所述环行器/隔离器电路和所述信号调整电路的薄膜电路；该薄膜电路中，所述环行器/隔离器电路与所述信号调整电路的连接部位与所述环行器/隔离器电路以及所述信号调整电路是一体的且不存在专门级联匹配电路的薄膜电路。
[0019]根据本专利技术的实施例，所述环行器/隔离器电路与所述信号调整电路之间的连接部位的线路宽度无突变。
[0020]根据本专利技术的实施例，所述环行器/隔离器电路与所述信号调整电路的连接部位由阻抗为50欧姆的连接线构成。
[0021]根据本专利技术的实施例，所述薄膜电路经由两次高频电磁仿真设计而成，第一次高频电磁仿真设计时分别对所述环行器/隔离器电路和所述信号调整电路进行高频电磁仿真设计，第二次高频电磁仿真设计时对由所述环行器/隔离器电路与所述信号调整电路组成的整体电路进行高频电磁仿真设计。根据本专利技术的实施例，所述薄膜电路制造工艺具体采用薄膜溅射工艺。
[0022]根据本专利技术的实施例，所述信号调整电路包含功率合成电路、功分电路、滤波电路、信号耦合电路中的至少一种；并且，当所述信号调整电路包含分别与所述环行器/隔离器部分连接的至少两个输入端或至少两个输出端时，所述环行器/隔离器部分具有与所述至少两个输入端或所述至少两个输出端一一对应的一组环行器/隔离器；所述一组环行器/隔离器包含间隔排列在所述基体材料上的一组所述板孔以及与这一组板孔一一对应设置的一组所述铁氧体、一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微波器件的制造方法，其特征在于，包括：将基体材料加工为带有板孔的板状结构，然后再在所述板孔中嵌入铁氧体后得到基板；在所述基板的上表面上形成一体加工成型的环行器/隔离器电路与信号调整电路从而得到复合电路基板，所述环行器/隔离器电路与所述信号调整电路级联在一起，所述环行器/隔离器电路位于对应铁氧体上方；将复合电路基板的下表面连接在载板上，并在对应环行器/隔离器电路上表面依次安装电阻片和永磁体，从而得到微波器件；其中，所述微波器件包括：1)环行器/隔离器部分，该环行器/隔离器部分具体包含：基板，具有基体材料以及嵌合在该基体材料的板孔中的铁氧体；载板，设置在所述基板的下表面上；环行器/隔离器电路，设置在所述基板上表面上并位于对应铁氧体上方；电阻片，设置在对应环行器/隔离器电路上表面；永磁体，设置在对应陶瓷片的上表面；以及2)信号调整部分，该信号调整部分具体包含：信号调整电路，设置在所述基板上表面上并位于所述基体材料上方，且与所述环行器/隔离器电路级联在一起，所述信号调整电路与所述环行器/隔离器电路是在所述基板上表面一体加工成型的。2.如权利要求1所述的一种微波器件的制造方法，其特征在于：通过薄膜电路制造工艺在所述基板的上表面上形成具有所述环行器/隔离器电路和所述信号调整电路的薄膜电路；该薄膜电路中，所述环行器/隔离器电路与所述信号调整电路之间的连接部位与所述环行器/隔离器电路以及所述信号调整电路是一体的且不存在专门级联匹配电路的薄膜电路。3.如权利要求2所述的一种微波器件的制造方法，其特征在于：所述环行器/隔离器电路与所述信号调整电路之间的连接部位的线路宽度无突变。4.如权利要求3所述的一种微波器件的制造方法，其特征在于：所述环行器/隔离器电路与所述信号调整电路的连接部位由阻抗为50欧姆的连接线构成。5.如权利要求2所述的一种微波器件的制造方法，其特征在于：所述薄膜电路经由两次高频...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昌伍，黄茜，周福全，李建新，林兵，陈景雪，高洋，伍晓荣，
申请(专利权)人：成都迈可维微波电子有限公司，
类型：发明
国别省市：